離子注入技術(shù)(implant)(參考版)
2024-07-25 01:32本頁面
【正文】 學(xué)習(xí)資料。什么時候離光明最近？那就是你覺得黑暗太黑的時候。我不知道年少輕狂，我只知道勝者為王。歡迎您的光臨，！希望您提出您寶貴的意見，你的意見是我進(jìn)步的動力。這意味著，該技術(shù)的重要性再次得到加強。因此，對離子注入技術(shù)的改進(jìn)是未來高精工藝的發(fā)展方向。5總結(jié) 通過上述對離子注入技術(shù)的基本原理、基本結(jié)構(gòu)以及一些應(yīng)用的介紹，我們可以清楚地認(rèn)識到離子注入技術(shù)的重要性。下面給出了GSD/200E2離子注入機技術(shù)指標(biāo)。 離子注入機實例離子注入機一般根據(jù)其束流大小分為中束流、大束流和高強度三種類型，其中前兩類應(yīng)用較為廣泛。而在后者中，該技術(shù)大大改善了金屬材料的表面性能，提高了其抗腐蝕、耐磨、潤滑等性能。 離子注入技術(shù)的應(yīng)用 應(yīng)用范圍離子注入機主要應(yīng)用在半導(dǎo)體行業(yè)和金屬材料制造業(yè)。4 離子注入技術(shù)的優(yōu)缺點及其應(yīng)用 離子注入技術(shù)和擴(kuò)散工藝比較 關(guān)于離子注入和傳統(tǒng)擴(kuò)散工藝的比較，我們可以通過下表直觀看出來： 離子注入和擴(kuò)散工藝的比較擴(kuò)散離子注入工作溫度高溫，硬掩膜900－1200 ℃低溫，光刻膠掩膜室溫或低于400℃各向同/異性各向同性各向異性 可控性不能獨立控制結(jié)深和濃度可以獨立控制結(jié)深和濃度 優(yōu)點和缺點 優(yōu)點① 可控性好，離子注入能精確控制摻雜的濃度分布和摻雜深度，因而適于制作極低的濃度和很淺的結(jié)深；② 可以獲得任意的摻雜濃度分布；③ 注入溫度低，一般不超過 400℃，退火溫度也在 650℃ 左右，避免了高溫過程帶來的不利影響，如結(jié)的推移、熱缺陷、硅片的變形等；④ 結(jié)面比較平坦；⑤ 工藝靈活，可以穿透表面薄膜注入到下面的襯底中，也可以采用多種材料作掩蔽膜，如 SiO2 、金屬膜或光刻膠等；⑥ 均勻性和重復(fù)性好； ⑦ 橫向擴(kuò)展小，有利于提高集成電路的集成度、提高器件和集成電路的工作頻 率；⑧ 可以用電的方
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