集成電路工藝基礎——04_離子注入(參考版)
2025-01-10 13:40本頁面
【正文】 2023年 1月 24日星期二 2時 43分 34秒 02:43:3424 January 2023 ? 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 43分 34秒 02:43: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。勝人者有力，自勝者強。 :43:3402:43Jan2324Jan23 ? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯兒。 , January 24, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 2023年 1月 24日星期二 2時 43分 34秒 02:43:3424 January 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 。 :43:3402:43:34January 24, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 :43:3402:43Jan2324Jan23 ? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 , January 24, 2023 ? 很多事情努力了未必有結果，但是不努力卻什么改變也沒有。 2023年 1月 24日星期二 2時 43分 34秒 02:43:3424 January 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 。 :43:3402:43:34January 24, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 :43:3402:43Jan2324Jan23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 , January 24, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 （ 假設襯底是 n型 Si， ND= 1016cm3，而硼的表面濃度為Cs= 1020cm3。如果注入在 1min內(nèi)完成，求離子束電流。 電子科技大學中山學院 快速熱退火（ RTA） 電子科技大學中山學院 快速熱退火（ RTA） ?作用： ? *消除由注入所產(chǎn)生的晶格損傷 ? *恢復材料少子壽命和載流子遷移率 ? *雜質激活 電子科技大學中山學院 作業(yè)： 1. 離子注入與熱擴散相比 哪個要求溫度低（ ） 哪個摻雜純度高（ ） 哪個高濃度摻雜不受固溶度限制（ ） 哪個摻雜均勻性好（ ） 哪個可精確控制摻雜濃度、分布和注入深度（ ） 哪個橫向效應?。? ） A. 離子注入 B. 熱擴散 電子科技大學中山學院 2. 離子注入摻雜純度高，是因為（ ） . 3. 減弱或消除溝道現(xiàn)象的措施有：（ ） ① 入射方向偏離溝道軸向 ② 入射方向平行溝道軸向 ③ 樣品表面淀積一層二氧化硅 ④ 樣品表面淀積一層氮化硅 A． ①③ B. ②③ C. ①③④ D. ②③④ 電子科技大學中山學院 4. 離子注入所造成的晶格損傷會直接影響半導體材料和器件的特性，主要影響有（ ） ① PN結反向漏電流增大 ② 載流子遷移率下降 ③ 少子壽命下降 ④ 雜質原子大多處于間隙位置不能提供導電性能 A. ②③ B. ①②④ C. ②③④ D. ①②③④ 5. 入射離子的兩種能量損失模型為： _____碰撞和____碰撞。 ? 熱退火中的擴散稱為 增強擴散 。 ? 這是因為離子注入所造成的晶格損傷，使硅內(nèi)的空位密度比熱平衡時晶體中的空位密度要大得多。 磷的退火特性 電激活比例 電子科技大學中山學院 熱退火過程中的 擴散效應 ? 熱退火的溫度與熱擴
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