離子注入培訓(xùn)資料ppt課件(參考版)
2025-01-14 18:03本頁(yè)面
【正文】 。 結(jié)束語(yǔ) 上述幾種主要控制手段之間互相協(xié)調(diào)配合，經(jīng)過(guò)多次均勻性試驗(yàn)，證明該工藝控制方法對(duì)于保證注入均勻性是行之有效的，特別對(duì)中低劑量注入，它能使注入均勻性得到較大程度的改善，其結(jié)果優(yōu)于 1%，注入質(zhì)量基本能滿(mǎn)足器件設(shè)計(jì)人員的要求。 ? 在注入組中，我們求解出束流大小大致為： ? 12102 ??? DI? 退火技術(shù) ? 目的：消除注入損傷，并使注入的雜質(zhì)原子進(jìn)入替位位置而實(shí)現(xiàn)電激活。 ? T與 I， S滿(mǎn)足以下關(guān)系 ? = 1023 ? 式中， S為掃描面積 (cm2)， D為劑量 (cm2)，T為注入時(shí)間 (s)， I為束流值 (μA)。為此，對(duì)于中低劑量的注入，束流值的大小不得不加以限定，如果注入束流過(guò)小，就會(huì)降低設(shè)備的使用效率。在大束流注入中，晶片電荷積累是很?chē)?yán)重的，它將影響束斑的大小，從而影響注入的均勻性。如果掃描圖形比起標(biāo)準(zhǔn)波形有所偏離，則應(yīng)反復(fù)調(diào)節(jié)聚焦旋鈕和掃描幅度，一致化以后方可注入。這一波形告訴我們，掃描面積一定要大于注入面積，即所謂過(guò)掃描注入，襯底置于 c+d+c區(qū)域，有利于注入均勻性的改善。 ? 以 350D為例：掃描波形是通過(guò)掃描監(jiān)視器來(lái)顯示的， Y軸為主法拉第信號(hào)， X軸為水平 x方向或垂直 y方向的掃描電壓信號(hào)，標(biāo)準(zhǔn)掃描波形如下圖所示。 ? 靜電掃描指的是： wafer不動(dòng)，束流移動(dòng)。因此，應(yīng)仔細(xì)調(diào)節(jié)各聚焦旋鈕，讓中心法拉第測(cè)得的束流強(qiáng)度(Ic)最大，使它與主法拉第測(cè)得的束流強(qiáng)度 (Im)之比 (Ic/Im)大于 3，這是聚焦是否成功的判據(jù)。 ? 硅片表面電荷積累形成的殘存電場(chǎng) ? 束流的成份中正離子占了絕大部分 , 由于正離子大量地注入到硅片上就
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