離子注入培訓(xùn)資料ppt課件-資料下載頁
2025-01-11 18:03本頁面
【正文】 改善。對于 5英寸基片，掃描面積預(yù)置數(shù)應(yīng)大于 136 cm2。如果掃描圖形比起標(biāo)準(zhǔn)波形有所偏離，則應(yīng)反復(fù)調(diào)節(jié)聚焦旋鈕和掃描幅度，一致化以后方可注入。 ? 束流大小的選擇 ? 離子束入射到絕緣材料如 SiO2及光刻膠的晶片上，就會在這些絕緣材料表面形成電荷積累層，這種現(xiàn)象叫做晶片電荷積累。在大束流注入中，晶片電荷積累是很嚴(yán)重的，它將影響束斑的大小，從而影響注入的均勻性。 ? 如果束流偏大，注入時(shí)間不大于 10 s就會影響 1%或更多的注入均勻性。為此，對于中低劑量的注入，束流值的大小不得不加以限定，如果注入束流過小，就會降低設(shè)備的使用效率。綜合考慮，在實(shí)際注入中，選取束流的原則是使注入時(shí)間不低于 20 s。 ? T與 I， S滿足以下關(guān)系 ? = 1023 ? 式中， S為掃描面積 (cm2)， D為劑量 (cm2)，T為注入時(shí)間 (s)， I為束流值 (μA)。由 T的大小，根據(jù)上式就可計(jì)算出 I的大小，最后調(diào)節(jié)狹縫寬度，使束流滿足計(jì)算值。 ? 在注入組中，我們求解出束流大小大致為： ? 12102 ??? DI? 退火技術(shù) ? 目的：消除注入損傷，并使注入的雜質(zhì)原子進(jìn)入替位位置而實(shí)現(xiàn)電激活。 ? 機(jī)理：使移位原子和注入的雜質(zhì)原子在高溫下獲得較高的遷移率而在晶體中運(yùn)動，從間隙位置移動到替位位置。 結(jié)束語 上述幾種主要控制手段之間互相協(xié)調(diào)配合，經(jīng)過多次均勻性試驗(yàn)，證明該工藝控制方法對于保證注入均勻性是行之有效的，特別對中低劑量注入，它能使注入均勻性得到較大程度的改善，其結(jié)果優(yōu)于 1%，注入質(zhì)量基本能滿足器件設(shè)計(jì)人員的要求。需要指出的是這種控制方法對改善注入重復(fù)性也很有幫助。
教學(xué)教案相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1