【正文】 （3）SiO2基片表面MoO3表面擴(kuò)散的面分布分析 可以進(jìn)行灰度處理和偽色彩處理 俄歇電子能譜的面分布像與掃描電鏡及透射電鏡的照片是否相同，為什么？14 / 14。其數(shù)據(jù)處理可參見(jiàn)以上的處理方式。一般一幅面掃描圖采用150條線和150個(gè)點(diǎn)比較合適。此外，在面掃描分析過(guò)程中還需確定需掃描的線數(shù)和每條線的掃描點(diǎn)數(shù)。這是因?yàn)樵诿鎾呙璧姆秶鷥?nèi)，面掃描由許多線構(gòu)成，而每一條線又由很多點(diǎn)組成。在確定了分析區(qū)域后，對(duì)所需分析的元素的窄掃描的條件進(jìn)行修改（與定量分析相同）。一般每條掃描線選擇200個(gè)點(diǎn)比較合適。這是因?yàn)樵诰€掃描的范圍內(nèi)，每一條線都由很多點(diǎn)組成，為了增加收譜速度和減少數(shù)據(jù)容量，一般并不收集每一個(gè)元素的整個(gè)俄歇峰，而是收集俄歇峰的峰位和兩邊的基線處的信號(hào)強(qiáng)度，計(jì)算出信號(hào)強(qiáng)度。當(dāng)選定合適的線后，對(duì)所需分析的元素的窄掃描條件進(jìn)行修改（與定量分析相同）。線掃描分析： 為了獲得線掃描分析譜，首先必須用計(jì)算機(jī)設(shè)置掃描線為垂直線或水平線。 （3）儀器參數(shù)設(shè)置和數(shù)據(jù)采集選點(diǎn)分析的參數(shù)設(shè)置依據(jù)所用的分析方法有所不同。調(diào)節(jié)電子槍的高壓到2 KV的校準(zhǔn)位置，通過(guò)調(diào)節(jié)樣品臺(tái)與電子槍的距離使彈性峰的信號(hào)最強(qiáng)。（1）樣品處理和進(jìn)樣 （）（2）儀器硬件調(diào)整通過(guò)調(diào)整樣品臺(tái)位置和傾角，使樣品表面與電子束垂直。了解和掌握俄歇電子能譜的微區(qū)分析功能，了解俄歇電子能譜微區(qū)分析的應(yīng)用。依據(jù)以上條件錄譜，就可以獲得元素沿深度方向的信號(hào)強(qiáng)度分布圖，通過(guò)計(jì)算可以獲得各元素濃度的深度分布圖。（3）儀器參數(shù)設(shè)置和數(shù)據(jù)采集 選擇深度分析程序，設(shè)置譜儀的采集參數(shù)。然后在把電子槍的高壓升到所須的位置。待分析室真空度達(dá)到5107 Pa后, 啟動(dòng)電子槍, 通過(guò)調(diào)節(jié)電子槍高壓，改變放大倍數(shù)，并在二次電子像或吸收電流像上確定所須分析的點(diǎn)，并使待分析點(diǎn)處在電子束與離子束的重疊區(qū)。（1）樣品處理及進(jìn)樣（）（2）硬件調(diào)節(jié) 通過(guò)調(diào)整樣品臺(tái)位置和傾角，使樣品表面與電子束成60176。(1) 俄歇電子能譜與X射線光電子能譜在分析內(nèi)容和提供的表面信息上有何區(qū)別？對(duì)樣品有何特殊要求？(2) 在深度分析時(shí)常用原子濃度百分比來(lái)表達(dá)，這種濃度概念與我們平常所用的重量百分比濃度有何不同？是否就可以認(rèn)為所測(cè)得的原子百分比濃度就是樣品中某元素的存在濃度？為何？ 單晶硅表面自然氧化層的深度分析 了解和掌握俄歇深度分析的方法以及硅表面自然氧化層的分布和厚度。根據(jù)俄歇?jiǎng)幽芫涂梢耘袛喙柙诠杵砻娲嬖诘幕瘜W(xué)價(jià)態(tài)。（3）硅片表面元素的化學(xué)價(jià)態(tài)分析 由于微分譜的物理意義不明確，俄歇電子能譜的化學(xué)價(jià)態(tài)分析常用積分譜的俄歇?jiǎng)幽?。也可依?jù)計(jì)算出的面積和元素的靈敏度因子進(jìn)行手動(dòng)計(jì)算濃度。根據(jù)俄歇標(biāo)準(zhǔn)譜圖手冊(cè)，可以了解到Si LVV和Si LMM俄歇電子的動(dòng)能分別為92和1919 eV。不能根據(jù)一個(gè)峰的出現(xiàn)來(lái)判定元素的存在與否。最后確定有那些元素存在。這樣就可以從俄歇譜圖上表注每個(gè)俄歇峰的結(jié)合能位置（負(fù)峰），然后根據(jù)俄歇?jiǎng)幽艿臄?shù)據(jù)在標(biāo)準(zhǔn)手冊(cè)中尋找對(duì)應(yīng)的元素。（1） 定性分析的數(shù)據(jù)處理 計(jì)算機(jī)采集的俄歇電子能譜為積分態(tài)模式，信背比很低，其俄歇峰基本被二次電子的信號(hào)所掩蓋。 （3）儀器參數(shù)設(shè)置和數(shù)據(jù)采集定性分析的參數(shù)設(shè)置為： 掃描的能量范圍為201200 eV, 步長(zhǎng)為1eV/步, 掃描時(shí)間為2 min。調(diào)節(jié)電子槍的高壓到2 kV的校準(zhǔn)位置，通過(guò)調(diào)節(jié)樣品臺(tái)與電子槍的距離使彈性峰的信號(hào)最強(qiáng)。（2）儀器硬件調(diào)整通過(guò)調(diào)整樣品臺(tái)位置和傾角，使樣品表面與電子束垂直。開(kāi)啟低真空閥，用機(jī)械泵和分子泵抽真空到103 Pa。利用化學(xué)環(huán)境對(duì)俄歇?jiǎng)幽艿挠绊懀涂梢詫?duì)元素的化學(xué)價(jià)態(tài)進(jìn)行鑒別。 利用每個(gè)元素所產(chǎn)生的俄歇電子的特征能量，可以對(duì)樣品中存在的元素進(jìn)行定性鑒定。 實(shí)驗(yàn) 硅片表面SiO2自然氧化層超薄膜薄膜的AES分析(1) 了解和掌握俄歇電子能譜定性分析、表面定量分析及化學(xué)價(jià)態(tài)分析的方法。俄歇電子能譜的面分布分析適合于微型材料和技術(shù)的研究，也適合表面擴(kuò)散等領(lǐng)域的研究。只不過(guò)電鏡照片提供的是樣品表面的形貌像，而俄歇電子能譜提供的是元素的分布像。俄歇電子能譜的面分布分析也可稱為俄歇電子能譜的元素分布的圖像分析。這表明Ag和Au在電場(chǎng)作用下的擴(kuò)散過(guò)程是不一樣的。橫坐標(biāo)為線掃描寬度，縱坐標(biāo)為元素的信號(hào)強(qiáng)度。俄歇電子能譜的線掃描分析常應(yīng)用于表面擴(kuò)散研究，界面分析研究等方面。這是一種非常有效的微探針?lè)治龇椒ā＿@種方法的優(yōu)點(diǎn)是可以在很大的空間范圍內(nèi)對(duì)樣品點(diǎn)進(jìn)行分析，選點(diǎn)范圍取決于樣品架的可移動(dòng)程度。微區(qū)范圍內(nèi)的選點(diǎn)分析可以通過(guò)計(jì)算機(jī)控制電子束的掃描，在樣品表面的吸收電流像或二次電流像圖上鎖定待分析點(diǎn)。從理論上，俄歇電子能譜選點(diǎn)分析的空間分別率可以達(dá)到束斑面積大小。這種功能是俄歇電子能譜在微電子器件研究中最常用的方法，也是納米材料研究的主要手段。這界面層是通過(guò)從樣品表面擴(kuò)散進(jìn)的氧與從基底