俄歇電子能譜ppt課件(參考版)
2024-12-11 03:17本頁面
【正文】 AES應(yīng)用的優(yōu)缺點 18 。 ④可進行成分的深度剖析或薄膜及界面分析。 ②可分析除 H、 He以外的各種元素。對于能量為 50eV~2keV范圍內(nèi)的俄歇電子，逸出深度為 ~2nm。這表明 Ag和 Au在電場作用下的擴散過程是不一樣的。橫坐標(biāo)為線掃描寬度，縱坐標(biāo)為元素的信號強度。這種功能是俄歇電子能譜在微電子器件研究中最常用的方法，也是納米材料研究的主要手段。其分析原理是先用 Ar離子把表面一定厚度的表面層濺射掉，然后再用 AES分析剝離后的表面元素含量，這樣就可以獲得元素在樣品中沿深度方向的分布。 一般采用 Ar離子剝離樣品表面的深度分析的方法。俄歇電子能譜的線形分析也是進行元素化學(xué)價態(tài)分析的重要方法。但是，由于我們很難找到俄歇化學(xué)位移的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，要判斷其價態(tài)，必須用自制的標(biāo)樣進行對比，這是利用俄歇電子能譜研究化學(xué)價態(tài)的不利之處。這種比例關(guān)系可以通過下列公式換算： 14 AES應(yīng)用 表面元素的化學(xué)價態(tài)分析 表面元素化學(xué)價態(tài)分析是 AES分析的一種重要功能。它給出的僅是一種半定量的分析結(jié)果，即相對含量而不是絕對含量。但對于絕緣體薄膜樣品，有時必須進行校準(zhǔn)，以 C 的 KLL峰的俄歇動能為 eV作為基準(zhǔn)。在分析俄歇能譜圖時，必須考慮荷電位
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