現(xiàn)代分析測試技術(shù)俄歇電子譜(參考版)
2025-01-04 07:35本頁面
【正文】 從 C KLL俄歇線形上也可見，界面反應(yīng)的確形成了金屬碳化物。但從該線形還是難以分辨 CrC和 Cr3C4物種。Cr/金剛石薄膜經(jīng)真空熱處理后的俄歇深度分析 66固體化學(xué)反應(yīng)n 圖是熱處理后樣品不同深度處的俄歇線形譜。 Cr/金剛石原始薄膜的俄歇深度分析 65固體化學(xué)反應(yīng)n 從圖可見，熱處理后，在 Cr/C界面上發(fā)生了固相化學(xué)反應(yīng)，并形成了兩個界面化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物層。 Cr層與金剛石的界面雖有一定程度的界面擴(kuò)散，但并沒有形成穩(wěn)定的金屬化合物相出現(xiàn)。 64固體化學(xué)反應(yīng)研究 n 圖是金剛石表面鍍 Cr樣品的俄歇深度分析圖。金剛石顆粒是一種重要的耐磨材料，經(jīng)常包覆在金屬基底材料中用作切割工具和耐磨工具。 Sb中的部分 5p軌道的價電子轉(zhuǎn)移到 Sn的 5s軌道，改變了薄膜的價帶結(jié)構(gòu)，從而促使薄膜導(dǎo)電性能的大幅度提高。 由此可見，離子注入 Sb薄膜的電阻率的降低不是由于金屬態(tài)的 Sb所產(chǎn)生的。 在離子注 Sb薄膜層中的 Sn MNN 線形 62固體表面離子注入分布及化學(xué)狀態(tài)的研究n 從 Sb MNN的俄歇線形也可見，在注入層中， Sb MNN的俄歇動能為 eV和 eV，而純 Sb2O3的俄歇動能為 eV和 。顯然在離子注入層中， Sn并不是以 SnO2物種存在。 離子注入 Sb的 SnO2氣敏薄膜的俄歇深度分析圖 61固體表面離子注入分布及化學(xué)狀態(tài)的研究n 圖是沿注入方向的 Sn MNN俄歇線形變化。從圖上可見，離子注入層的厚度大約 35nm，而注入元素的濃度達(dá)到 12%。 圖 29 在不同界面處的 Cr MVV俄歇線形60固體表面離子注入分布及化學(xué)狀態(tài)的研究 n 通過俄歇電子能譜的深度剖析，不僅可以研究離子注入元素沿深度方向的分布，還可以研究注入元素的化學(xué)狀態(tài)。而 Cr和 Si原子的外層電子結(jié)構(gòu)分別為 3d54s1和3s13p3。這可以從 Cr和Si的電負(fù)性以及電子排布結(jié)構(gòu)來解釋。在金屬硅化物層及界面層中， Cr MVV的俄歇動能為 eV，該俄歇動能比純金屬 Cr的俄歇動能還高。該結(jié)果還表明不僅在界面產(chǎn)物層是有金屬硅化物組成，在與硅基底的界面擴(kuò)散層中， Cr也是以硅化物的形式存在。硅化物中 Cr的電子結(jié)構(gòu)與金屬 Cr以及而氧化物 Cr2O3的是不同的。在 CrSi3硅化物層以及與單晶硅的界面層上， Cr LMM的線形為雙峰，其俄歇動能為 和 eV。此外，界面擴(kuò)散反應(yīng)的產(chǎn)物還可以通過俄歇線形來鑒定。同樣，從深度分析圖上還可見， Cr表面層已被氧化以及有 C元素存在。圖是 Cr/Si薄膜在熱處理后形成界面擴(kuò)散反應(yīng)后樣品的俄歇深度分析圖。同時，通過對界面上各元素的俄歇線形研究，可以獲得界面產(chǎn)物的化學(xué)信息，鑒定界面反應(yīng)產(chǎn)物。如多層薄膜超晶格材料等。n 有些情況下，希望薄膜之間能有較強(qiáng)的界面擴(kuò)散反應(yīng)，以增強(qiáng)薄膜間的物理和化學(xué)結(jié)合力或形成新的功能薄膜層。 由于俄歇電子位移機(jī)理比較復(fù)雜，涉及到三個能級，不象 X射線光電子能譜那樣容易識別和分析，并且通常使用的俄歇譜儀分辨率較低，這方面的應(yīng)用受到了很大的限制。53錳和氧化錳的俄歇電子譜氧化錳540eV587eV636eV 錳543eV 590eV 637eV錳氧化錳542）當(dāng)俄歇躍遷涉及到價電子能帶時，情況就復(fù)雜了，這時俄歇電子位移和原子的化學(xué)環(huán)境就不存在簡單的關(guān)系，不僅峰的位置會變化，而且峰的形狀也會變化。俄歇峰兩側(cè)的變化趨勢不同，微分后出現(xiàn)正負(fù)峰不對稱 。n微分譜 ：由直接譜微分而來，是 dN(E)/dE對 E的分布 [dN(E)/dE－ E]。 AES測定 TiO2薄膜光催化劑的厚度 45SEMe槍陰極陰極 熒熒 光光XFS俄歇俄歇 e(AES)二次二次 e背散射背散射 eXRay (EPMA)透射透射 eAAV樣樣 品品e槍槍2?（ TEM）衍射衍射 e電 子束與 樣 品作用后 產(chǎn) 生的粒子和波如下 圖:以電子束為入射源的材料分析方法46e槍樣樣 品品2?衍衍射射 以 XRay為入射源的材料分析方法X射線管 單晶 /多晶 X射線衍射 單色 XRay X射線光電子能譜分析 XPS 47e槍樣樣 品品以電磁波為入射源的材料分析方法電磁波 原子吸收光譜 紅外吸收光譜 紫外 可見吸收光譜 激光拉曼光譜 分子發(fā)光分析 核磁共振波譜 48 End 1. 俄歇電子能譜分析原理。 從圖上可見， TiO2薄膜層的濺射時間約為 6分鐘，由離子槍的濺射速率（ 30 nm/min），可以獲得 TiO2 薄膜光催化劑的厚度約為 180 nm。n 結(jié)果表明在低氧分壓的情況下，只有部分活性強(qiáng)的 Zn被氧化為 ZnO物種，而活性較弱的 Zn只能與氧形成吸附狀態(tài)。 表面初始氧化過程的 Zn LVV譜 Zn LVV 俄歇譜43n 1 L的暴氧量的吸附后： 開始出現(xiàn)動能為 ；n 當(dāng)暴氧量增加到 30 L時，在 O KLL譜上出現(xiàn)了高動能的伴峰，通過曲線解疊可以獲得俄歇動能為
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