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現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù)之電子顯微測(cè)量(參考版)

2024-08-27 02:14本頁面
  

【正文】 可以用來分析污染物的粘性、油脂厚度以及局部樣品表面彈性變化。 原子力顯微鏡的應(yīng)用 1. 形貌觀察 敲擊式 AFM獲得的聚偏氟乙烯球晶的高度圖 膜表面的形貌觀察(亮點(diǎn)表示膜表面的最高點(diǎn),暗點(diǎn)表示凹坑或膜孔) 不同含水量 PVDF膜 (W0, W3, W5, W7)的輕敲 原子力 (TMAFM)顯微方式圖 . 2. 膜的孔徑和孔徑分布研究 3. 膜污染的研究 膜污染是指微粒、膠體粒子或溶質(zhì)大分子,在膜表面或膜孔內(nèi)吸附、沉積,造成膜孔徑變小或堵塞,使膜產(chǎn)生透過流量與分離特性的不可逆變化。 ?探針在 Z軸維持固定頻率振動(dòng),當(dāng)振動(dòng)到谷底時(shí)與樣品表面接觸 ?分辨率幾乎與接觸模式相同 ?對(duì)樣品破壞小 ?針尖距樣品表面 5~ 20nm ?不損傷樣品表面,可測(cè)試表面柔軟樣品 ?分辨率低 ?誤判的現(xiàn)象 非接觸模式 接觸模式 Ⅳ 、原子力顯微鏡的分辨率 AFM分辨率 側(cè)向分辨率:取決于采集圖像的步寬 和針尖形狀。通過記錄壓電陶瓷管的移動(dòng)就得到樣品表面形貌圖。振幅的變化經(jīng)檢測(cè)輸入控制器后,反饋回路調(diào)節(jié)針尖和樣品的距離,使振幅保持恒定。反饋回路使振幅保持恒定在這一數(shù)值。振幅可以通過檢測(cè)系統(tǒng)檢測(cè)。在此反饋機(jī)制下,記錄在垂直方向上掃描器的位移,探針在樣品的表面掃描得到完整圖像之形貌變化,這就是接觸模式。 ( 1)接觸模式 由表面形貌引起的微懸臂形變量大小是通過計(jì)算激光束在檢測(cè)器四個(gè)像限中的強(qiáng)度差值( A+B) ( C+D)得到的。 Ⅲ 、原子力顯微鏡的工作模式 1. 接觸模式 ? 針尖與樣品表面距離小,利用原子間的斥力 ? 可獲得高解析度圖像 ? 樣品變形,針尖受損 ? 不適合表面柔軟的材料 將一個(gè)對(duì)微弱力極敏感的微懸臂的一端固定,另一端有一微小的針尖,針尖與樣品表面輕輕接觸。適用于表面十分平整的樣品。 兩種反饋模式: ( 1)恒力模式 — 此時(shí)反饋系統(tǒng)打開,通過調(diào)節(jié)樣品垂直方向位置使探針針尖與樣品表面的作用力恒定(即針尖與樣品表面原子距離恒定),可獲得樣品高度形貌圖。 3. 反饋控制系統(tǒng) 根據(jù)樣品與針尖的作用力,改變加在樣品掃描器垂直方向的電壓,從而使壓電陶瓷伸縮,調(diào)節(jié)探針和被測(cè)樣品間的距離,反過來控制探針 樣品相互作用力的大小,實(shí)現(xiàn)反饋控制。也就是說,可以通過改變電壓來控制壓電陶瓷的微小伸縮。 壓電陶瓷是一種性能奇特的材料,當(dāng)在壓電陶瓷對(duì)稱的兩個(gè)端面加上電壓時(shí),壓電陶瓷會(huì)按特定的方向伸長(zhǎng)或縮短。 AFM系統(tǒng)使用壓電陶瓷管制作的掃描器精確控制微小的掃描移動(dòng)。 3. 反饋控制系統(tǒng) 在原子力顯微鏡( AFM)的系統(tǒng)中,將信號(hào)經(jīng)由激光檢測(cè)器取入之后,在反饋系統(tǒng)中會(huì)將此信號(hào)作為內(nèi)部的調(diào)整信號(hào),驅(qū)使掃描器做適當(dāng)?shù)囊苿?dòng),使樣品與針尖保持一定的作用力。在整個(gè)系統(tǒng)中是依靠激光光斑位置變化 ,將偏移量記錄下并轉(zhuǎn)換成電的信號(hào),以供反饋控制系統(tǒng)作信號(hào)處理。 Ⅱ 、原子力顯微鏡的結(jié)構(gòu) 1. 力檢測(cè)系統(tǒng) 即探針,由微懸臂和懸臂末端的針尖組成。 原子力顯微鏡實(shí)物圖 分辨率 工作環(huán)境 樣品環(huán)境 溫度 對(duì)樣品 破壞程度 掃描探針顯微鏡( SPM) 原子級(jí)() 實(shí)環(huán)境、大氣、溶液、真空 室溫或低溫 無 透射電鏡( TEM) ~ 高真空 室溫 小 掃描電鏡( SEM) 6~ 10nm 高真空 室溫 小 掃描探針顯微鏡( SPM)與其他顯微鏡技術(shù)的各項(xiàng)性能指標(biāo)比較 原子力顯微鏡的基本原理是:將一個(gè)對(duì)微弱力極敏感的微懸臂一端固定,另一端有一個(gè)微小的針尖,當(dāng)針尖接近樣品時(shí),由于其尖端原子與樣品表面原子間存在極微弱的排斥力 ,使懸臂發(fā)生偏轉(zhuǎn)或振幅改變。 AFM的優(yōu)點(diǎn): 1. 樣品制備簡(jiǎn)單:對(duì)試樣沒有任何限制 2. 分辨率高:可達(dá)原子級(jí) 3. 儀器經(jīng)處理后,甚至可在有液體的情況下測(cè)定 AFM是利用原子之間的 范德華力 來呈現(xiàn)樣品的表面特性。 SPM 使用一個(gè)尖銳的探針掃描樣品的表面,通過檢測(cè)及控制探針與試樣表面間的相互作用力來形成試樣的表面形態(tài)像。因此, STM要求樣品表面能夠?qū)щ?,只能直接觀察導(dǎo)體和半導(dǎo)體的表面結(jié)構(gòu)。 掃描探針顯微鏡具有三個(gè)傳統(tǒng)顯微鏡無法達(dá)到的重大突破: 1. 掃描探針顯微鏡具有極高度的解析力 2. 掃描探針顯微鏡具有三維立體的成像能力 3. 掃描探針顯微鏡可以在多種環(huán)境下操作 這些顯微技術(shù)都是利用探針與樣品的不同相互作用,來探測(cè)樣品表面或界面在納米尺度上表現(xiàn)出的物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)??梢岳渺`敏度因子的方法進(jìn)行計(jì)算,需要進(jìn)行熒光修正和吸收修正 116 電子探針分析的應(yīng)用 ? 材料局部區(qū)域的成份分析 ? 摩擦材料的元素分布 ? 陶瓷材料的偏析 ? 顆粒催化劑的成份分布 SECTION: 電子探針測(cè)量技術(shù) 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 117 0 2 4 6 8 10 12 14E n e r g y / ke VCounts. / a.u.AlSrCuCuSrBSrAlO4納米球的研究 SECTION: 電子探針測(cè)量技術(shù) 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 水泥漿體斷口 SECTION: SEM與電子探針耦合分析催化劑表面積碳和失效 118 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 原子力顯微鏡 1982 年 ,Gerd Binnig 和 Heinrich Rohrer 共同研制成功了第一臺(tái)掃描隧道顯微鏡 ( scanning tunneling microscope ,STM), 1986 年 ,Binnig 和 Rohrer 被授予諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。 113 ? 儀器裝置 電子光學(xué)系統(tǒng)(電子槍和聚焦透鏡) 樣品室(超高真空) 電子圖像系統(tǒng)(掃描圖像) 檢測(cè)系統(tǒng)( X射線能量分析) 數(shù)據(jù)記錄和分析系統(tǒng) SECTION: 電子探針測(cè)量技術(shù) 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 114 SECTION: 電子探針測(cè)量技術(shù) ? 樣品僅限于固體材料 ? 不應(yīng)該放出氣體 ,能保證真空度 ? 需要樣品有良好的接地 ? 可以蒸鍍 Al和碳,厚度在20~40nm 作為導(dǎo)電層 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 115 ? 定性分析 理論依據(jù)是 Moseley定律和 Bragg定律 計(jì)算機(jī)自動(dòng)標(biāo)識(shí),人工標(biāo)識(shí)主要針對(duì)干擾線譜線干擾,化學(xué)環(huán)境影響等 SECTION: 電子探針測(cè)量技術(shù) ? 定量分析 依據(jù)熒光 X射線強(qiáng)度與元素濃度的線性關(guān)系,可以對(duì)電子探針進(jìn)行定量分析。 其原理是:用細(xì)聚焦電子束入射樣品表面,激發(fā)出樣品元素的特征 X射線,分析特征 X射線的波長(zhǎng)(或能量)可知元素種類;分析特征 X射線的強(qiáng)度可知元素的含量。 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 SECTION: 掃描電子顯微 2022/9/7 108 大豆胞囊線蟲 (Soybean Cyst nematode)病是世界大豆生產(chǎn)上的毀滅性病害 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 SECTION: 掃描電子顯微 2022/9/7 109 三、電子探針分析 ? 材料微區(qū)化學(xué)成份分析的重要手段 ? 利用樣品受電子束轟擊時(shí)發(fā)出的 X射線的波長(zhǎng)和強(qiáng)度,來分析微區(qū)( 130μm3)中的化學(xué)組成 2022/9/7 110 SECTION: 電子探針測(cè)量技術(shù) 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 111 電子探針分析 ? 微區(qū)分析能力, 1微米量級(jí) ? 分析準(zhǔn)確度高 ,優(yōu)于 2% ? 分析靈敏度高,達(dá)到 1015g , 100ppm~1% ? 樣品的無損性 ? 多元素同時(shí)檢測(cè)性 ? 可以進(jìn)行選區(qū)分析 ? 電子探針分析對(duì)輕元素很不利 SECTION: 電子探針測(cè)量技術(shù) 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 材料分析化學(xué) 112 電子探針 /電子能譜分析 原理 SECTION: 電子探針測(cè)量技術(shù) 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 電子探針( Electron Probe MicroanalysisEPMA)的主要功能是進(jìn)行微區(qū)成分分析。 現(xiàn)在許多SEM具有圖像處理和圖像分析功能 。 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 SECTION: 掃描電子顯微 2022/9/7 106 保真度好 樣品通常不需要作任何處理即可以直接進(jìn)行觀察 , 所以不會(huì)由于制樣原因而產(chǎn)生假象 。 現(xiàn)代分析測(cè)試技術(shù) 電子顯微測(cè)量 SECTION: 掃描電子顯微 2022/9/7 99 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析 浙江大學(xué)熱能工程研究所 1h=10mm 2h=20mm 3h=30mm 4h=40mm ?=20%時(shí)的實(shí)驗(yàn)圖像 ?=20%時(shí)沉積物最厚區(qū)域的煙黑形態(tài) 22:40:47 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=15%, t=2min) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 A B C D ?= 15% h=10mm 22:40:47 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=15%, t=2min ) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 A B C D ?= 15% h=20mm 22:40:47 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=15%, t=2min ) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 A B C D ?= 15% h=30mm 22:40:47 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=25%, t=2min ) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 A B C D ?= 25% h=10mm 22:40:47 SiC沉積取樣煙黑 SEM分析 ? 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析( ?=25%, t=2min ) 浙江大學(xué)熱能工程研究所 A B C D ?= 25% h=20mm 22:40:47 多孔 SiC陶瓷的二次電子像 一般情況下, SEM景深比 TEM大 10倍,比光學(xué)顯微鏡( OM) 大 100倍。SEM的景深 ΔF可以用如下公式表示: 0 . 2() DFdMa? ? ?式中 D為工作距離 , a為物鏡光闌孔徑 , M為放大倍率 , d為電子束直徑 。 高分辨率的電子束直徑要小 , 分辨率與子束直徑近似相等 。 SEM是用電子束照射樣品 , 電子束是一種 De Broglie波 , 具有波粒二相性 ,?=(伏 ) , 如果 V=20kV時(shí) , 則 ?=。 因?yàn)? N*sin??, 而可見光波長(zhǎng)范圍為: ?=400nm700nm , 所以光學(xué)顯微鏡分辨率 d?? , 顯然 d ?200nm。分辨率 d可以用貝克公式表示: d=?/N*sin? , ?為透鏡孔徑半角 , ?為照明樣品的光波長(zhǎng) , N為透鏡與樣品間介質(zhì)折射率 。放大倍率是由分辨率制約,不能盲目看儀器放大倍率指標(biāo)。如果放大倍率為 M, 人眼分辨率為 , 儀器分辨率為 5nm, 則有效放大率 M= ?106nm?5nm=40000( 倍)。 Hexane extracted Toluene extracted 掃描電鏡的主要性能與特點(diǎn)
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