礦物材料現(xiàn)代測(cè)試技術(shù)4電子顯微鏡3(參考版)
2025-01-19 00:44本頁(yè)面
【正文】 2 背散射成分像與 X射線成分 像的含義及本質(zhì)區(qū)別?？捎^察晶體生長(zhǎng)的細(xì)節(jié) 武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳 51 6 透射電子像 (5) 電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象 用透射電子拍攝的晶格條紋像。 武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳 48 6 透射電子像 (2) 電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象 另外由于透射電子顯微鏡的加速電壓更高，電子波長(zhǎng)更短，因此電子束聚焦的更細(xì)，因此在透射電鏡下，亦可得到分辨率更好的二次電子像和背散射電子像。 由于電子的波動(dòng)性，使得穿過(guò)樣品的電子波亦會(huì)由于晶體中的原子排列規(guī)律，而干涉得到 晶格條紋像 （反映物質(zhì)的總體原子排列規(guī)律），或者更進(jìn)一步地，會(huì)產(chǎn)生電子衍射，得到 衍射花紋 。 武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳 46 5 俄歇電子像 (2) 電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象 如圖為某半導(dǎo)體元件的俄歇電子圖 （左為氧、右為金）。 武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳 45 5 俄歇電子像 (1) 電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象 亦可探測(cè) 俄歇電子信號(hào) （根據(jù)其特征的能量），獲得 俄歇電子圖像 。 武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳 43 3 吸收電子像 (2) 電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象 (左 ) 背散射電子像 (右 )吸收電子像 武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳 44 4 X射線成分像 (1) 電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象 利用測(cè)定 X射線的專門(mén)裝置（ 波譜儀或者能譜儀 ），只收集在電子束的照射下，某一種或者幾種元素產(chǎn)生的 特征 X射線 ，亦可以得到 某一種 或幾種元素在 平面上的分布情況。 由入射電子束于樣品的相互作用可知： iI =iB+iA+iT+iS 當(dāng)樣品厚度足夠大時(shí)，透射電子電流為零，這時(shí)iI =iB+iA +iS 。為了避免形貌襯度對(duì)原子襯度的干擾，被 分析的樣品必須進(jìn)行拋光處理 。 此外，背反射電子能量較高，它們以直線軌跡逸出樣品表面，對(duì)于背向檢測(cè)器的樣品表面，因檢測(cè)器無(wú)法收集到背反射電子而變成一片陰影，因此其圖像上很多的形貌信息無(wú)法反映出來(lái)。 武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳 38 2 背散射電子像 (3) 電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象 背散射信號(hào)也可以反映一些形貌信息，但其分辨率遠(yuǎn)比二次電子低。樣品中 重元素區(qū)域在圖像上是亮區(qū) ，而 輕元素在圖像上是暗區(qū)。 武漢理工大學(xué)資環(huán)學(xué)院 管俊芳 37 2 背散射電子像 (2) 電子顯微分析 第四章 電子顯微鏡的主要圖象 樣品中原子序數(shù)較高的區(qū)域，由于可收集到的電子數(shù)量較多，故顯示熒光屏上的圖像較亮。 用專門(mén)的 背散射信號(hào)探測(cè)裝置 （可檢測(cè)的電子能量較高），可以探測(cè)背散
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