第19章俄歇電子能譜分析-資料下載頁
2025-06-29 16:54本頁面
【正文】 扣背底的方法，處理Si LVV和Si LMM積分譜，并分別標(biāo)定其俄歇動能。根據(jù)俄歇動能就可以判斷硅在硅片表面存在的化學(xué)價態(tài)。根據(jù)以前的工作，單質(zhì)硅的Si LVV和Si eV, 而二氧化硅的Si LVV和Si LMM的俄歇動能分別為72 . eV。(1) 俄歇電子能譜與X射線光電子能譜在分析內(nèi)容和提供的表面信息上有何區(qū)別？對樣品有何特殊要求？(2) 在深度分析時常用原子濃度百分比來表達，這種濃度概念與我們平常所用的重量百分比濃度有何不同？是否就可以認為所測得的原子百分比濃度就是樣品中某元素的存在濃度？為何？ 單晶硅表面自然氧化層的深度分析 了解和掌握俄歇深度分析的方法以及硅表面自然氧化層的分布和厚度。 利用Ar離子束剝離硅片表面層，通過俄歇電子能譜分析表面層的組成，從而獲得元素沿深度的分布圖。（1）樣品處理及進樣（）（2）硬件調(diào)節(jié) 通過調(diào)整樣品臺位置和傾角，使樣品表面與電子束成60176。夾角，與離子槍垂直。待分析室真空度達到5107 Pa后, 啟動電子槍, 通過調(diào)節(jié)電子槍高壓，改變放大倍數(shù)，并在二次電子像或吸收電流像上確定所須分析的點，并使待分析點處在電子束與離子束的重疊區(qū)。調(diào)節(jié)電子槍的高壓到2 kV的校準位置，通過調(diào)節(jié)樣品臺與電子槍的距離使彈性峰的信號最強。然后在把電子槍的高壓升到所須的位置。開啟Ar離子槍，調(diào)節(jié)Ar離子槍中的Ar氣分壓，使分析室的真空度優(yōu)于3105 Pa。（3）儀器參數(shù)設(shè)置和數(shù)據(jù)采集 選擇深度分析程序，設(shè)置譜儀的采集參數(shù)。收集的俄歇能量范圍依據(jù)各元素而定， eV/步，濺射時間和間隔依據(jù)離子槍的濺射速率和薄膜層的厚度而定。依據(jù)以上條件錄譜，就可以獲得元素沿深度方向的信號強度分布圖，通過計算可以獲得各元素濃度的深度分布圖。 俄歇電子能譜深度分析獲得的深度值與實際深度有何關(guān)系？能否認為這深度就是樣品的厚度。了解和掌握俄歇電子能譜的微區(qū)分析功能，了解俄歇電子能譜微區(qū)分析的應(yīng)用。 利用電子束的可掃描性和可聚焦的特點，可以在樣品表面進行選點分析、線掃描分析和面分布掃描分析。（1）樣品處理和進樣 （）（2）儀器硬件調(diào)整通過調(diào)整樣品臺位置和傾角，使樣品表面與電子束垂直。待分析室真空度達到5107 Pa后, 啟動電子槍, 通過調(diào)節(jié)電子槍高壓，改變放大倍數(shù)，并在二次電子像或吸收電流像上用計算機確定所須分析的點，線或面。調(diào)節(jié)電子槍的高壓到2 KV的校準位置，通過調(diào)節(jié)樣品臺與電子槍的距離使彈性峰的信號最強。然后在把電子槍的高壓升到所須的位置。 （3）儀器參數(shù)設(shè)置和數(shù)據(jù)采集選點分析的參數(shù)設(shè)置依據(jù)所用的分析方法有所不同?？蓞⒁姸ㄐ苑治觥⒍糠治龊蜕疃确治龅膮?shù)設(shè)置。線掃描分析： 為了獲得線掃描分析譜，首先必須用計算機設(shè)置掃描線為垂直線或水平線。其次，必須選擇相應(yīng)的圖像放大倍數(shù)，使所需要線掃描分析的區(qū)域在顯示屏上有較大的比例（1/3左右），這樣有利于線分布的空間分辨率的提高。當(dāng)選定合適的線后，對所需分析的元素的窄掃描條件進行修改（與定量分析相同）。然后在掃描線的范圍內(nèi)進行元素俄歇峰信號的收集，并設(shè)置每個元素的峰位和兩邊的基線位置。這是因為在線掃描的范圍內(nèi)，每一條線都由很多點組成，為了增加收譜速度和減少數(shù)據(jù)容量，一般并不收集每一個元素的整個俄歇峰，而是收集俄歇峰的峰位和兩邊的基線處的信號強度，計算出信號強度。最后，在線掃描分析過程中還需確定每條線的掃描點數(shù)，掃描點數(shù)必須選擇合適，過多的點將會使收集時間大幅度增加，點數(shù)過少又會降低線掃描的空間分辨率。一般每條掃描線選擇200個點比較合適。面分布分析： 在進行面分布分析時，主要通過調(diào)節(jié)樣品位置及放大倍數(shù)在二次電子像上確定所分析的區(qū)域。在確定了分析區(qū)域后，對所需分析的元素的窄掃描的條件進行修改（與定量分析相同）。然后在掃描面的范圍內(nèi)進行元素俄歇峰信號的收集，并設(shè)置每個元素的峰位和兩邊的基線位置。這是因為在面掃描的范圍內(nèi)，面掃描由許多線構(gòu)成，而每一條線又由很多點組成。 為了增加收譜速度和減少數(shù)據(jù)容量，一般并不收集每一個元素的整個俄歇峰，而是收集俄歇峰的峰位和兩邊的基線處的信號強度，計算出信號強度。此外，在面掃描分析過程中還需確定需掃描的線數(shù)和每條線的掃描點數(shù)。掃描線和點數(shù)必須選擇合適，過多的線和點將會使收集時間大幅度增加，線和點數(shù)過少由會降低面掃描的空間分辨率。一般一幅面掃描圖采用150條線和150個點比較合適。 ( 1 ) SiO2基片表面MoO3表面擴散的選點分析然后通過計算機進行所選點的表面定性分析，表面元素半定量分析、元素化學(xué)價態(tài)分析及深度分析。其數(shù)據(jù)處理可參見以上的處理方式。（2） SiO2基片表面MoO3表面擴散線的線掃描分析可以進行掃描線的銳化和平滑處理。 （3）SiO2基片表面MoO3表面擴散的面分布分析 可以進行灰度處理和偽色彩處理 俄歇電子能譜的面分布像與掃描電鏡及透射電鏡的照片是否相同，為什么？14 /
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