x射線光電子能譜分析案例-資料下載頁(yè)
2025-05-07 18:15本頁(yè)面
【正文】 峰解疊 ?對(duì)不同價(jià)態(tài)的譜峰分別積分得到譜峰面積； ?查各價(jià)態(tài)的靈敏度因子，利用公式求各價(jià)態(tài)的比例。 X射線光電子能譜的應(yīng)用 例子：確定二氧化鈦膜中 +4價(jià)和 +3價(jià) 的比例。 X射線光電子能譜的應(yīng)用 （ 3） 材料表面不同元素之間的定量 ?方法 ? 對(duì)試樣做 XPS分析，得到窄區(qū)譜。 ? 根據(jù)峰面積和靈敏度因子，利用公式計(jì)算各元素的相對(duì)含量。 X射線光電子能譜的應(yīng)用 （ 4）化學(xué)結(jié)構(gòu)分析 依據(jù)：原子的化學(xué)環(huán)境與化學(xué)位移之間的關(guān)系； 羰基碳上電子云密度小， 1s電子結(jié)合能大（動(dòng)能?。? 峰強(qiáng)度比符合碳數(shù)比。 X射線光電子能譜的應(yīng)用 （ 5）深度分析 ?原理 用離子槍打擊材料的表面，這樣可以不斷地打擊出新的下表面，通過(guò)連續(xù)測(cè)試，循序漸進(jìn)就可以做深度分析，得到沿表層到深層元素的濃度分布。 利用離子槍依次剝落表面，進(jìn)行 XPS分析，就可以得到深度分布圖譜 X射線光電子能譜的應(yīng)用 X射線光電子能譜的應(yīng)用 NiB合金表面 Ni、 B、 O的表面濃度與氬刻時(shí)間的關(guān)系 X射線光電子能譜的應(yīng)用 （ 6） 高分子結(jié)構(gòu)分析 ? 光降解作用 ?方法： 比較光照前后譜圖是否有變化，變化的程度 如何。 ? 例 1 紫外光對(duì)聚丙烯酸甲酯的降解 X射線光電子能譜的應(yīng)用 X射線光電子能譜的應(yīng)用 ?例 2：聚偏氯乙烯降解反應(yīng)隨時(shí)間的變化 X射線光電子能譜的應(yīng)用 ? 輻射交聯(lián) ?交聯(lián)的定義： 高分子鏈之間形成新的鍵，使之成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)高 分子的反應(yīng)。交聯(lián)分為 化學(xué)交聯(lián)、光交聯(lián) 及 輻照 交聯(lián) 。 ?交聯(lián)度的定義： 表征骨架性能的參數(shù)，是指交聯(lián)劑在反應(yīng)物中所 占的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。 X射線光電子能譜的應(yīng)用 ?輻射交聯(lián)信息的獲得利用了共軛 ?電子體系中的???*躍遷。這種 ???*躍遷在 XPS的譜圖上表現(xiàn)為在 C1s的高結(jié)合能端（約 6~7eV）出現(xiàn)振激峰。 ?振激峰的強(qiáng)度隨輻射劑量的增加而明顯下降。 ?振激峰越弱，交聯(lián)度越高。 X射線光電子能譜的應(yīng)用 圖 742 振激峰的相對(duì)強(qiáng)度與輻射劑量關(guān)系的 C1s的 XPS譜 輻射劑量 Sv: a:0。 b: 。 c:。 d: 。 e: X射線光電子能譜的應(yīng)用 ? 有機(jī)物界面反應(yīng) ?方法：測(cè)反應(yīng)前后某一元素結(jié)合能的變化。 ?例子： X射線光電子能譜的應(yīng)用 X射線光電子能譜的應(yīng)用 X射線光電子能譜的應(yīng)用 ?XPS在分子篩 方面的應(yīng)用 ?判斷分子篩的類型 ?分子篩中各陽(yáng)離子的交換度 ?體相 Si/Al 比 ?分子篩的純度 ?分子篩的酸性質(zhì) X射線光電子能譜的應(yīng)用 Si2p 判斷分子篩的類型 X射線光電子能譜的應(yīng)用 Binding energy /ev 分子篩中各陽(yáng)離子的交換度 X射線光電子能譜的應(yīng)用 Al2p 分子篩的純度 X射線光電子能譜的應(yīng)用 X射線光電子能譜的應(yīng)用 酸性質(zhì) Si/Al 比越高， O1S的結(jié)合能越大。這是由于 SiO2中 O1S的結(jié)合能為 ， Al2O3的為。因此 O1S的結(jié)合能越大意味著酸量越少，酸強(qiáng)度增大。 X射線光電子能譜的應(yīng)用 Pd催化劑在含氮有機(jī)化合物體系中失活前后的 XPS譜圖 催化劑中毒
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