x射線光電子譜(xps)x-rayphotoelectr-資料下載頁
2025-02-07 03:37本頁面
【正文】 峰，即能量損失峰。216。當光電子能量在 100~1500 eV時，非彈性散射的主要方式是激發(fā)固體中自由電子的集體振蕩，產生等離子激元。 XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 發(fā)射的光電子動能為：其中： n是受振蕩損失的次數， EP是體等離子激元損失的能量， ES是受表面等離子激元損失的能量。一般XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的類型 Al的 2s譜線及相關的能量損失線 XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的識別 216。因 C,O是經常出現的，所以首先識別 C,O的光電子譜線， Auger線及屬于 C,O的其他類型的譜線。216。利用 X射線光電子譜手冊中的各元素的峰位表確定其他強峰，并標出其相關峰，注意有些元素的峰可能相互干擾或重疊。 XPS ?? XPS分析方法v定性分析 譜線的識別 216。 識別所余弱峰。在此步，一般假設這些峰是某些含量低的元素的主峰。若仍有一些小峰仍不能確定，可檢驗一下它們是否是某些已識別元素的 “鬼峰 ”。 216。 確認識別結論。對于 p,d,f等雙峰線，其雙峰間距及峰高比一般為一定值。 p峰的強度比為 1:2； d線為 2:3； f線為 3:4。對于 p峰，特別是 4p線，其強度比可能小于 1:2。 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 216。在 XPS的應用中，化合態(tài)的識別是最主要的用途之一。識別化合態(tài)的主要方法就是測量 X射線光電子譜的峰位位移。216。對于半導體、絕緣體，在測量化學位移前應首先決定荷電效應對峰位位移的影響。 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 光電子峰 216。由于元素所處的化學環(huán)境不同，它們的內層電子的軌道結合能也不同，即存在所謂的化學位移。216。其次，化學環(huán)境的變化將使一些元素的光電子譜雙峰間的距離發(fā)生變化，這也是判定化學狀態(tài)的重要依據之一。 216。元素化學狀態(tài)的變化有時還將引起譜峰半峰高寬的變化。 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 光電子峰 S的 2p峰在不同化學狀態(tài)下的結合能值 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 光電子峰 Ti及 TiO2中 2p3/2峰的峰位及 2p1/2和 2p3/2之間的距離 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 光電子峰 CF4 C6H6 CO CH4半峰高寬(eV) C1s在不同化學狀態(tài)下半峰高寬的變化 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 Auger線 216。由于元素的化學狀態(tài)不同，其 Auger電子譜線的峰位也會發(fā)生變化。216。當光電子峰的位移變化并不顯著時， Auger電子峰位移將變得非常重要。216。在實際分析中，一般用 Auger參數 α作為化學位移量來研究元素化學狀態(tài)的變化規(guī)律。 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 Auger線 216。Auger參數定義為最銳的 Auger譜線與光電子譜主峰的動能差，即 216。為避免 ?0，將 Auger參數改進為 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 Auger線 216。以 EBP為橫坐標， EBA為縱坐標， ?‘為對角參數將給出二維化學狀態(tài)平面圖，對識別表面元素的化學狀態(tài)極為有用。Ag及其化合物的二維化學狀態(tài)圖 XPS ?? XPS分析方法v化合態(tài)識別 伴峰 216。震激線、多重分裂等均可給出元素化學狀態(tài)變化方面的信息 XPS ?? XPS分析方法v定量分析 一級原理模型 216。Fadley就多晶固體光電發(fā)射，提出如下強度計算公式：其中 dIK為來自 dxdydz體積元為檢測器所測得的 K層的光電子譜線強度。 f0為 X射線強度， ?為原子密度， ?K為 K層微分電離截面， Ω為立體接收角， T為檢測效率， ?為電子的平均自由程。 XPS ?? XPS分析方法v定量分析 一級原理模型216。設 f0為常數，有效接收面積為 A，光電子平均出射方向與樣品表面夾角為 ?，入射光和出射光電子方向的夾角為 ?，則可得到以下特定條件下譜線強度的表達式。– 半無限厚原子清潔表面樣品： XPS ?? XPS分析方法v定量分析 一級原理模型– 厚度為 t的原子清潔表面樣品：– 半無限厚襯底上有一厚度為 t的均勻覆蓋層樣品167。 襯 底：167。 覆蓋層： XPS ?? XPS分析方法v定量分析 一級原理模型–半無限襯底表面吸附少量氣體，其覆蓋度 1。 167。襯 底：167。覆蓋層：?‘覆蓋層內的電子逸出深度， ?’為覆蓋層的原子平均密度 XPS ?? XPS分析方法v定量分析 元素靈敏度因子法 216。同 AES中的靈敏度因子法相似。區(qū)別在于 AES定量分析中一般以譜線相對高度計算，同時對背散射因子等作出校正；216。XPS中一般以譜峰面積計算，不計入背散射效應。216。XPS分析中，定量分析的方法與 AES的定量方法基本相似，如標樣法，校正曲線法等，大同小異。 XPS ?? XPS分析方法v小面積 XPS分析 216。小面積 XPS是近幾年出現的一種新型技術。由于 X射線源產生的 X射線的線度小至 mm左右，使 XPS的空間分辨能力大大增加，使得 XPS也可以成像，并有利于深度剖面分析。 XPS ?? XPS分析總結v基本原理： 光電效應v基本組成： 真空室、 X射線源、電子能量分析器v輔助組成： 離子槍v主要功能： 成分分析、化學態(tài)分析v采譜方法： 全譜、高分辨率譜v分析方法： 定性分析、定量分析謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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