x射線光電光譜-資料下載頁
2025-08-04 10:43本頁面
【正文】 ?定量分析 一級原理模型 –半無限襯底表面吸附少量氣體，其覆蓋度 1。 ?襯 底： ?覆蓋層： ?‘覆蓋層內(nèi)的電子逸出深度， ?’為覆蓋層的原子平均密度 。 I f TAK K? 0 ? ?? ?I f T A SL L? 0 ? 39。 / s i n? ?XPS ?? XPS分析方法 ?定量分析 元素靈敏度因子法 ?同 AES中的靈敏度因子法相似 。 區(qū)別在于 AES定量分析中一般以譜線相對高度計算 ， 同時對背散射因子等作出校正； ?XPS中一般以譜峰面積計算 ， 不計入背散射效應(yīng) 。 ?XPS分析中 ， 定量分析的方法與 AES的定量方法基本相似 ， 如標樣法 ， 校正曲線法等 ， 大同小異 。 XPS ?? XPS分析方法 ?小面積 XPS分析 ?小面積 XPS是近幾年出現(xiàn)的一種新型技術(shù) 。由于 X射線源產(chǎn)生的 X射線的線度小至 mm左右 ， 使 XPS的空間分辨能力大大增加 ， 使得 XPS也可以成像 ， 并有利于深度剖面分析 。 XPS ?? XPS分析總結(jié) ?基本原理： 光電效應(yīng) ?基本組成： 真空室、 X射線源、電子能量分析器 ?輔助組成： 離子槍 ?主要功能： 成分分析、化學(xué)態(tài)分析 ?采譜方法： 全譜、高分辨率譜 ?分析方法： 定性分析、定量分析 相關(guān)網(wǎng)站 綜合類 相關(guān)網(wǎng)站 學(xué)習(xí)資源 rel/content/ 相關(guān)網(wǎng)站 數(shù)據(jù)庫 相關(guān)網(wǎng)站 主要軟件 相關(guān)網(wǎng)站 資料 元素靈敏度因子 (在線 ): 元素結(jié)合能 (pdf,可下載 ) 光電子截面 : 儀器說明 儀器名稱 ： X射線光電子能譜儀 產(chǎn)品型號 ： Kratos AXIS Ultra DLD 生產(chǎn)廠家 ：日本島津 KRATOS公司 儀器介紹 ： Kratos AXIS Ultra DLD型號的 X射線光電子能譜儀 (Xray Photoelectron Spectroscopy， XPS)， 可使用單色化 Al靶X射線源及雙陽極 Al/Mg靶 X射線源 ， 包括大面積 XPS，微區(qū) XPS及 XPS平行成像 ， 場發(fā)射俄歇電子能譜 (Auger Electron Spectroscopy， AES)；紫外光電子能譜 (Ultraviolet electron Spectroscopy， UPS)。 Kratos AXIS Ultra DLD可以提供有關(guān)樣品表面和界面 110nm的化學(xué)信息 。 可以一次全分析除氫 、 氦以外的所有原子百分比 (at%)大于 %的元素 ， 并可以對元素相對含量進行半定量分析 (準確度約 10%)。 最具有特色的是可以測定元素的化學(xué)價態(tài)及化學(xué)環(huán)境的影響 ， 并通過角度關(guān)系 XPS (AngleResolved Xray Photoelectron Spectroscopy， ARXPS) 可以提供約 10nm 的無損深度剖析 (nondestructive depth profiling)；此外 ， Ar離子剝離法可以提供約 100nm的有損深度剖析 (destructive depth profiling)和樣品表面清潔 。 性能指標 ： 靶：單色化 Al靶、雙陽極 Al/Mg靶 功率： 450W(最大 ) 樣品分析室 (SAC)：小于 5 1010 Torr(最低壓強 ) 樣品處理室 (STC)：小于 5 109 Torr(最低壓強 ) XPS分析區(qū)域 單色器 Al靶： 700 300μm 雙陽極 Al/Mg靶： 2022 800μm XPS分析區(qū)域 110μm， 55μm， 27μm和 15μm 離子源： Ar 束流： 5μA(最大 ) 光源： He紫外光源 He(I)/He(II)比例： 4:1 功率 :30W(最大 ) 電子槍： Schottky場發(fā)射 電子能量： 10keV(最大 ) 技術(shù)參數(shù) ： 能量分辨率： (Ag 3d5/2） (C 1s) 最小分析區(qū)域（收譜） 15μm 靈敏度：大面積 11， 800kcps 110μm 1， 800kcps 27μm 100kcps 成像空間分辨率：小于 3μm 能量分辨率： Ag表面費米邊在 20%到 80%結(jié)合能差不高于 120meV 靈敏度： Ag 4d峰不低于 1， 000kcps 靈敏度： 大于 500kcps(10kV/5nA時 Cu的 LMM峰 ) 信噪比： 500:1 分辨率：在 10kV/5nA時優(yōu)于 100nm 在 3kV/5nA時優(yōu)于 300nm 送樣要求 ： ，可使用異丙醇，丙酮，正己烷，或三氯甲烷溶液（均為分析純）清洗以達到清潔要求 （如表面皿、稱量瓶等）或者鋁箔盛放樣品，禁止直接使用塑料容器、塑料袋或紙袋 ,以免硅樹脂或纖維污染樣品表面 ，禁止使用塑料手套和工具以免硅樹脂污染樣品表面
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