x射線光電子能譜--儀器分析-資料下載頁
2025-01-05 06:19本頁面
【正文】 最低檢測濃度可 達 ppt級 (1012)高靈敏度和選擇性操作簡便 ,重復(fù)性好 深度分析 擇優(yōu)濺射問題 損傷 離子濺射 應(yīng)注意 還原效應(yīng)問題 表面粗糙度問題 非損傷 改變電子發(fā)射角度變角 XPS技術(shù) –非損傷深度分析 dD ?eh?取樣深度示意圖取樣深度D?10nm變角 XPS技術(shù) –非損傷深度分析 式中 D是光電子出射角與樣品法線夾角為 θ 時的信息深度 d是光電子出射角與樣品法線夾角為 0?時的信息深度 由 Lambert指數(shù)衰減定律 Id=I?(1ed/?) Id厚度為 d的信號強度 I?無窮厚層的信號強度 當(dāng) d=3?時， Id=? ?可以粗略地用 來計算。 ? 例 :用變角 X光電子能譜技術(shù)對非均相高分子材料進行非損傷的層結(jié)構(gòu)分析 ? 軟段結(jié)構(gòu) —O—CH2—CH2—CH2—CH2—n ? 硬段結(jié)構(gòu) —HN—CO—NH— —CH2— —NH—CO—NH—CH2—CH2 —n 由于 N1s,O1s峰在動能 1000eV左右，所以當(dāng)射線垂直人射時， d≈3?≈3 ≈10nm。改變?nèi)肷浣?θ，可以得到不同深度的信息。 取樣深度從 10nm降低到 ，樣品的 O : N原子比增加了約 3倍。這表明含氧的結(jié)構(gòu)富集于表面，而含氮的結(jié)構(gòu)則較多地存在于內(nèi)層。根據(jù)軟硬段的結(jié)構(gòu)，就說明軟段在表面富集。３ 應(yīng)注意的問題 樣品 粉末樣品 10~100mg 薄片或薄膜樣品 約 Φ 10mm?1mm 約 10mm?10mm?1mm 15mm?10mm?1mm 樣品要充分干燥 粉末樣品要盡量細 薄膜樣品表面要平整 不要用手摸樣品表面 荷電校正以污染碳或烴類 CH2的 C1s的結(jié)合能 峰的擬合峰的個數(shù)?。?主要依據(jù)峰形和可能的化學(xué)結(jié)構(gòu) ） 峰位置 （ 結(jié)合能 ） 半峰寬 FWHM （ 一般選 － ） 定量結(jié)果相對原子含量（摩爾含量）半定量結(jié)果XPS表面分析（＜ 10ｎｍ） 深度分析 定性分析 定量分析 元素成分分析元素化學(xué)態(tài)分析 損傷深度分析 非損傷深度分析 謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAI
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