現(xiàn)代材料分析測(cè)試技術(shù)第12章x射線(xiàn)電子能譜-資料下載頁(yè)
2024-12-08 10:57本頁(yè)面
【正文】 量分析 一定條件下 ， 峰強(qiáng)度與含量成正比 ， 精密度 12%； 產(chǎn)物有氧化現(xiàn)象 固體化合物表面分析 取樣深度 d = 3? ； 金屬： ~2nm； 氧化物： ~4nm ； 有機(jī)和高分子： 4~10nm； 表面無(wú)損分析技術(shù)； 鈀催化劑在含氮有機(jī)化合物體系中失活前后譜圖變化對(duì)比。 固體化合物表面分析 三種銠催化劑 X射線(xiàn)電子能譜對(duì)比分析； 特殊樣品的元素分析 MoO3/Al2O3催化劑的 XPS NiP合金的 O 1s XPS譜 a 清潔表面； b 1bar O 403K氧化 1小時(shí) 氧 化 鎳 中 的 氧 表面污染的氧 P2O5 中 的 氧 XPS of CuNi alloy 化學(xué)結(jié)構(gòu)分析 依據(jù) ： 原子的化學(xué)環(huán)境與化學(xué)位移之間的關(guān)系； 舉例： 右圖化合物的 XPS分析。化合物中有兩類(lèi)碳原子，對(duì)應(yīng)有兩個(gè)峰分別是 苯環(huán)上碳與羰基上的碳； 羰基碳上電子云密度小， 1s電子結(jié)合能大（動(dòng)能小）； 峰強(qiáng)度比符合碳原子數(shù)比 。 X光電子能譜在高聚物研究中的應(yīng)用 1) PP薄膜氟化的研究 PP薄膜置于 F2/N2氣氛中進(jìn)行氟化。結(jié)果表示經(jīng)氟化的膜表面 F1S峰很強(qiáng)，隨氟化時(shí)間增長(zhǎng)， F1S增強(qiáng)， C/F降低。由的變化，可以推測(cè) F與 C的鍵合方式，如CHF， CHF2， CF， CF2，CF3等。從圖可看得出，氟化時(shí)間增長(zhǎng)， F取代H的個(gè)數(shù)增多， CF2和CF3向低結(jié)合能方向移動(dòng)。 2）含氟均聚物的研究 從一系列含氟聚乙烯的 ESCA譜圖可清楚分辨各 C1S峰形代表不同的基團(tuán)。 （ a）聚乙烯作 C1S內(nèi)標(biāo) （ b）聚氟乙烯的 C1S譜 3）含氟共聚物的研究 F 3 C FC C F 2氟化橡膠是 （ HFP） 和 (VF2)的共聚產(chǎn)物。 F 2 C C H 2 六氟丙烯和氟化橡膠的 C1S能級(jí)譜如圖所示 計(jì)算共聚物中 HFP和 VF2的含量有下面三種方法： a. HFP的摩爾分?jǐn)?shù)應(yīng)是 CF3峰面積分?jǐn)?shù)的三倍； b. CF2和 CF合起來(lái)的峰面積 A是 1/2VF2 和 2/3HFP的貢獻(xiàn)， A= 1/2VF2+2/3HFP, 而 100=VF2＋ HFP，則 HFP%=6(A50)； c. CH2的峰面積分?jǐn)?shù)只反映了 VF2含量的一半，則有 %2% 22 CHAVF ??作業(yè)題 簡(jiǎn)述 X射線(xiàn)光電子能譜的工作原理，并例舉它在材料研究中的應(yīng)用。 XPS譜峰發(fā)生位移的因素有哪些？各因素是如何影響的？
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