電子顯微分析與電子探針(1)(參考版)
2025-05-06 08:20本頁(yè)面
【正文】 ? ZnOBi2O3陶瓷燒結(jié)表面的面分布成分分析 (a)形貌像； (b)Bi元素的 X射線面分布像 Preparation of nanotubeshaped TiO2 powder 。 ZrO2(Y2O3)陶瓷析出相與基體的定點(diǎn)分析 (圖中數(shù)字為 Y2O3mol%) ? 下圖給出 BaF2晶界線掃描分析的例子，圖 (a)為 BaF2晶界的形貌像和線掃描分析的位置，圖 (b)為 O和 Ba元素沿圖 (a)直線位置上的分布，可見(jiàn)在晶界上有 O的偏聚。 (a)能譜曲線； (b)波譜曲線 能譜議和波譜儀的譜線比較 電子探針?lè)治龅幕竟ぷ鞣绞? ? 一是 定點(diǎn)分析 ，即對(duì)樣品表面選定微區(qū)作定點(diǎn)的全譜掃描，進(jìn)行定性或半定量分析，并對(duì)其所含元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)進(jìn)行定量分析； ? 二是 線掃描分析 ，即電子束沿樣品表面選定的直線軌跡進(jìn)行所含元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)的定性或半定量分析； ? 三是 面掃描分析 ，即電子束在樣品表面作光柵式面掃描，以特定元素的 X射線的信號(hào)強(qiáng)度調(diào)制陰極射線管熒光屏的亮度，獲得該元素質(zhì)量分?jǐn)?shù)分布的掃描圖像。 ? 但由于結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，譜儀要想有足夠的色散率，聚焦圓的半徑就要足夠大，這時(shí)彎晶離 X射線光源的距離就會(huì)變大，它對(duì) X射線光源所張的立體角就會(huì)很小，因此對(duì) X射線光源發(fā)射的 X射線光量子的收集率也就會(huì)很低，致使 X射線信號(hào)的利用率極低 。 波譜儀的特點(diǎn)： ? 波譜儀的突出優(yōu)點(diǎn)是 波長(zhǎng)分辨率很高 。 ? 在電子探針中， X射線是由樣品表面以下 ?m數(shù)量級(jí)的作用體積中激發(fā)出來(lái)的，如果這個(gè)體積中的樣品是由多種元素組成，則可激發(fā)出各個(gè)相應(yīng)元素的特征 X射線。 Si(Li)探頭必須始終保持在液氦冷卻的低溫狀態(tài)，即使是在不工作時(shí)也不能中斷，否則晶體內(nèi) Li的濃度分
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