電子顯微分析與電子探針(1)-在線瀏覽
2025-06-20 08:20本頁面
【正文】 二次電子像）的景深比光學顯微鏡的大，成像富有立體感。 ? SEM可以通過樣品上方的電子檢測器檢測到具有不同能量的信號電子有背散射電子、二次電子、吸收電子、俄歇電子等。 ? 影響二次電子產(chǎn)額的因素主要 有： ? (1)二次電子能譜特性； ? (2)入射電子的能量； ? (3)材料的原子序數(shù)； ? (4)樣品傾斜角 ?。 ? 什么是最小襯度？ ZnO 水泥漿體斷口 2．背散射電子像襯度及特點 ? 影響背散射電子產(chǎn)額的因素有： ? (1)原子序數(shù) Z ? (2)入射電子能量 E0 ? (3)樣品傾斜角 ? 圖 226 背散射系數(shù)與原子序數(shù)的關(guān)系 背散射電子襯度有以下幾類： ? (1)成分襯度 ? (2)形貌襯度 ? (3)磁襯度 (第二類 ) 背散射電子像的襯度特點： ? （ 1）分辯率低 ? （ 2）背散射電子檢測效率低，襯度小 ? （ 3）主要反應(yīng)原子序數(shù)襯度 二次電子運動軌跡 背散射電子運動軌跡 圖 107 二次電子和背散射電子的運動軌跡 二、應(yīng)用 ? 1．斷口形貌觀察 ? 2．顯微組織觀察 ? 3．其它應(yīng)用（背散射電子衍射花樣、電子通道花樣等用于晶體學取向測定） 第三節(jié) 電子探針 X射線顯微分析（ EPMA） ? EPMA的構(gòu)造與 SEM大體相似，只是增加了接收記錄 X射線的譜儀。 圖 2217 電子探針結(jié)構(gòu)示意圖 一、能譜儀 ? 能譜儀全稱為能量分散譜儀 (EDS)． ? 目前最常用的是 Si(Li)X射線能譜儀，其關(guān)鍵部件是 Si(Li)檢測器，即鋰漂移硅固態(tài)檢測器，它實際上是一個以 Li為施主雜質(zhì)的 nip型二極管。
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