電子顯微分析與電子探針(1)-在線瀏覽
2025-06-20 08:20本頁面
【正文】 二次電子像）的景深比光學(xué)顯微鏡的大，成像富有立體感。 ? SEM可以通過樣品上方的電子檢測(cè)器檢測(cè)到具有不同能量的信號(hào)電子有背散射電子、二次電子、吸收電子、俄歇電子等。 ? 影響二次電子產(chǎn)額的因素主要 有： ? (1)二次電子能譜特性； ? (2)入射電子的能量； ? (3)材料的原子序數(shù)； ? (4)樣品傾斜角 ?。 ? 什么是最小襯度？ ZnO 水泥漿體斷口 2．背散射電子像襯度及特點(diǎn) ? 影響背散射電子產(chǎn)額的因素有： ? (1)原子序數(shù) Z ? (2)入射電子能量 E0 ? (3)樣品傾斜角 ? 圖 226 背散射系數(shù)與原子序數(shù)的關(guān)系 背散射電子襯度有以下幾類： ? (1)成分襯度 ? (2)形貌襯度 ? (3)磁襯度 (第二類 ) 背散射電子像的襯度特點(diǎn)： ? （ 1）分辯率低 ? （ 2）背散射電子檢測(cè)效率低，襯度小 ? （ 3）主要反應(yīng)原子序數(shù)襯度 二次電子運(yùn)動(dòng)軌跡 背散射電子運(yùn)動(dòng)軌跡 圖 107 二次電子和背散射電子的運(yùn)動(dòng)軌跡 二、應(yīng)用 ? 1．?dāng)嗫谛蚊灿^察 ? 2．顯微組織觀察 ? 3．其它應(yīng)用（背散射電子衍射花樣、電子通道花樣等用于晶體學(xué)取向測(cè)定） 第三節(jié) 電子探針 X射線顯微分析（ EPMA） ? EPMA的構(gòu)造與 SEM大體相似，只是增加了接收記錄 X射線的譜儀。 圖 2217 電子探針結(jié)構(gòu)示意圖 一、能譜儀 ? 能譜儀全稱為能量分散譜儀 (EDS)． ? 目前最常用的是 Si(Li)X射線能譜儀，其關(guān)鍵部件是 Si(Li)檢測(cè)器，即鋰漂移硅固態(tài)檢測(cè)器，它實(shí)際上是一個(gè)以 Li為施主雜質(zhì)的 nip型二極管。
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