【正文】 壓飽和漏極電流當 UGS(off) ≤ uGS0且 0 UGS － UDS ＝ UGD UGS(off) 時，管子工作于 （飽和）放大狀態(tài) ，此時有：uDS /ViD /mAuGS = ? 4 V? 2 V0 V2 VO O《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件三、 P 溝道 MOSFET增強型 耗盡型SGDBSGDB《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件N 溝道 增強型SGDBiDP 溝道 增強型SGDBiD2 – 2 O uGS /ViD /mAUGS(th)SGDBiDN 溝道耗盡 型iDSGDBP 溝道耗盡 型UGS(off) IDSSuGS /ViD /mA– 5 O 5FET 符號、特性的比較《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件O uDS /ViD /mA5 V2 V0 V–2 VuGS = 2 V0 V– 2 V– 5 VN 溝道結(jié) 型SGDiDSGDiDP 溝道結(jié) 型uGS /ViD /mA5– 5 OIDSSUGS(off)O uDS /ViD /mA5 V2 V0 VuGS = 0 V– 2 V– 5 V《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件 場效應(yīng)管的主要參數(shù)1. 開啟電壓 UGS(th)(增強型 )－－ UGS ＝ 0時導電溝道尚未開形成2. 夾斷電壓 UGS(off)(耗盡型 ) －－ UGS ＝ 0時導電溝道已經(jīng)存在 UGS(th)UGS(off)2. 飽和漏極電流 IDSS耗盡型場效應(yīng)管，當 uGS = 0(導電溝道天然存在且最寬 ) 時所對應(yīng)的漏極電流。IDSSuGS /ViD /mAO對增強型：UDS=0的情況下，導電溝道開始形成時的 UGS對耗盡型：UDS=0的情況下，導電溝道剛被完全夾斷時的 UGS《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件UGS(th)UGS(off)3. 直流輸入電阻 RGS指漏源間短路時，柵、源間加 反向電壓呈現(xiàn)的直流電阻。JFET： RGS 107 ?MOSFET： RGS = 109 ? 1015??IDSSuGS /ViD /mAO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件4. 低頻跨導 gm 反映了 uGS 對 iD 的控制能力，單位 S(西門子 )。一般為幾 毫西 (mS)uGS /ViD /mAQO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件PDM = uDS iD，受溫度限制。5. 漏源動態(tài)電阻 rds6. 最大漏極功耗 PDM《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件小 結(jié)第 1 章《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件一、兩種半導體和兩種載流子兩種載流子的運動電子 — 自由電子空穴 — 價電子兩 種半導體N 型 (多電子 )P 型 (多空穴 )二、二、 二極管1. 特性特性 — 單向 導電導電正向電阻小 (理想為 0)， 反向電阻大 (?)?！赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件iDO uDU (BR)I FURM2. 主要參數(shù)主要參數(shù)正向 — 最大平均電流 IF反向 —最大反向工作電壓 U(BR)(超過則擊穿 )反向飽和電流 IR (IS)(受溫度影響 )IS《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件3. 二極管的等效模型理想模型 (大信號狀態(tài)采用 )uDiD正偏導通 電壓降為零 相當于理想開關(guān)閉合反偏截止 電流為零 相當于理想開關(guān)斷開恒壓降模型 UD(on)正偏電壓 ? UD(on) 時導通 等效為恒壓源 UD(on)否則截止，相當于二極管支路斷開UD(on) = ( ? ) V 估算時取 V硅管：鍺管： ( ? ) V V折線近似模型相當于有內(nèi)阻的恒壓源 UD(on)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件4. 二極管的分析方法圖解法微變等效電路法5. 特殊二極管工作條件 主要用途穩(wěn)壓二極管 反 偏 穩(wěn) 壓發(fā)光二極管 正 偏 發(fā) 光光敏二極管 反 偏 光電轉(zhuǎn)換《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件三、兩種半導體放大器件雙極型半導體三極管 (晶體三極管 BJT)單極型半導體三極管 (場效應(yīng)管 FET)兩種載流子導電多數(shù)載流子導電晶體三極管1. 形式與結(jié)構(gòu) NPNPNP 三區(qū)、三極、兩結(jié)2. 特點基極電流控制集電極電流并實現(xiàn) 放大流控器件《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件放大條件內(nèi)因：發(fā)射區(qū)載流子濃度高、 基區(qū)薄、集電區(qū)面積大外因： 發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏3. 電流關(guān)系IE = IC + IBIC = ? IB + ICEO IE = (1 + ?) IB + ICEOIE = IC + IBIC = ? IB IE = (1 + ? ) IB 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件4. 特性iC / mAuCE /V100 181。A80 181。A60 181。A40 181。A20 181。AIB = 0O 3 6 9 124321O iB / ?AuBE / V60402080死區(qū)電壓 (Uth)： V (硅管 ) V (鍺管 )工作電壓 (UBE(on) ) ： ? V 取 V (硅管 ) ? V 取 V (鍺管 )飽和區(qū)截止區(qū)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件iC / mAuCE /V100 181。A80 181。A60 181。A40 181。A20 181。AIB = 0O 3 6 9 124321放大區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)特點：1)iB 決定 iC (IC = ? IB )2)曲線水平表示恒流3)曲線間隔表示受控《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件5. 參數(shù)特性參數(shù)電流放大倍數(shù) ? ? ? = ? /(1 ? ? )? = ? /(1 + ? )極間反向電流 ICBOICEO極限參數(shù)ICMPCMU(BR)CEOuCEOICEOiCICMU(BR)CEOPCM安 全 工 作 區(qū)= (1 + ?) ICBO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件場效應(yīng)管1. 分類按導電溝道分 N 溝道P 溝道按結(jié)構(gòu)分 絕緣柵型(MOS)結(jié)型按特性分 增強型耗盡型 uGS = 0 時， iD = 0uGS = 0 時， iD ? 0增強型耗盡型(耗盡型 )導電溝道尚未形成導電溝道已經(jīng)存在《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件2. 特點柵源電壓改變溝道寬度從而控制漏極電流壓控器件輸入電阻高，工藝簡單，易集成由于 FET 無柵極電流，故采用 轉(zhuǎn)移特性 和輸出特性 描述3. 特性不同類型 FET 的特性比較參見 表 12 第 6 4頁《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件不同類型 FET 轉(zhuǎn)移特性比較結(jié)型N 溝道uGS /ViD /mAO增強型耗盡型MOS 管(耗盡型 ) IDSS 開啟電壓UGS(th)夾斷電壓 UGS(off)IDO 是 uGS = 2UGS(th) 時的 iD 值《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件四、晶體管電路的基本問題和分析方法三種工作狀態(tài)狀態(tài) 電流關(guān)系 ?條 ???件放大 I C = ? IB 發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏飽和 I C ? ? IB 兩個結(jié)正偏ICS = ? IBS 集電結(jié)零偏臨界截止 IB 0, IC = 0 兩個結(jié)反偏判斷導通還是截止：UBE U(th) 則 導通以 NPN為 例：UBE U(th) 則 截止《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件判斷飽和還是放大：1. 電位判別法NPN 管 UC UB UE 放大UE UC ? UB 飽和PNP 管 UC UB UE 放大UE UC ? U B 飽和2. 電流判別法IB IBS 則 飽和 IB IBS 則 放大且 UB － UE ≥U th(正 ) 且 UB － UE ≤ Uth(負 ) 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學課件謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH