【正文】 使溝道剛剛形成的柵 源電壓稱之為 開啟電壓 VGS(th)。 vGS越大，反型層越寬，導(dǎo)電溝道電阻越小。圖 uGS為大于 UGS(th)的某一值時 uDS對 iD的 影響 ② vGSVGS(th) 的某一固定值時， vDS對溝道的控制作用 當(dāng) vDS=0時， iD=0； vDS ? ? iD ?， 同時 使靠近漏極處的溝道變窄。當(dāng) vDS增加到使 vGD=VGS(th) 時，在緊靠漏極處出現(xiàn) 預(yù)夾斷 。此時 vDS ? ?夾斷區(qū)延長 ?溝道電阻 ? ? iD基本不變，表現(xiàn)出恒流特性。（三） N溝道增強型 MOS管的特性曲線與電流方程N溝道增強型 MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線與輸出特性曲線 如圖 ，與 JFET一樣，可分為四個區(qū)：可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、夾斷區(qū)和擊穿區(qū)。VGS(th)夾斷區(qū) 2VGS(th)圖 預(yù)夾斷軌跡② 轉(zhuǎn)移特性 ① 輸出特性 （ ）（四） N溝道耗盡型 MOS管（其結(jié)構(gòu)和符號如圖 ）圖 與 N溝道增強型 MOS管不同的是， N溝道耗盡型 MOS管的絕緣層中參入了大量的正離子，所以，即使在 vGS=0時，耗盡層與絕緣層之間仍然可以形成反型層，只要在漏 源之間加正向電壓，就會產(chǎn)生 iD。 若 vDS為定值，而 vGS 0， vGS ? ? iD ?； 若 vGS0， vGS ? ? iD ? ， 當(dāng)vGS減小到一定值時，反型層消失，導(dǎo)電溝道被夾斷， iD=0。 此時的 vGS稱為 夾斷電壓 VGS(off) 。 若 vGS VGS(off)， 且為定值，則 iD 隨 vDS 的變化與 N溝道增強型 MOS管的相同。但因 VGS(off) 0， 所以 vGS在正、負方向一定范圍內(nèi)都可以實現(xiàn)對iD的控制。其轉(zhuǎn)移特性曲線與輸出特性曲線見教材 P44。（五） P溝道 MOS管 P溝道 MOS管與 N溝道 MOS管的結(jié)構(gòu)相同，只是摻雜的類型剛好相反，所以其電壓和電流的極性與 N溝道 MOS管的相反。其轉(zhuǎn)移特性曲線與輸出特性曲線見教材 P44。 VMOS管與 普通 MOS管只是制造工藝上的差別，原理上并沒什么不同。但其性能與 普通 MOS管相比， VMOS管的漏區(qū)散熱面積大，耗散功率可達 kW 以上；其漏 源擊穿電壓高，上限工作頻率高，線性好。（六） VMOS管圖 各種場效應(yīng)管的符號及特性N溝道： UGS(off)0 特性曲線在 X軸正半軸P溝道： UGS(off)0 特性曲線在 X軸負半軸增強型：轉(zhuǎn)移特性曲線不穿 iD軸 UGS(th)0 耗盡型：轉(zhuǎn)移特性曲線穿 iD軸 UGS(th)0 場效應(yīng)三極管的參數(shù)和型號 ③ 飽和漏極電流 IDSS 對耗盡型 MOS管或 JFET， 當(dāng) VGS=0時所對應(yīng)的漏極電流。(1) 場效應(yīng)三極管的參數(shù)（一）直流參數(shù)① 開啟電壓 VGS(th)： 對增強型 MOS管， VGS VGS(th)時，ID為 0，場效應(yīng)管不導(dǎo)通。② 夾斷電壓 VGS(off) ： 對耗盡型 MOS管或 JFET ， 當(dāng) VGS=VGS(off) 時 ,漏極電流為零。④ 直流輸入電阻 RGS： 對于結(jié)型場效應(yīng)三極管， RGS大于 107Ω， MOS管的 RGS大于 109Ω 。（二）交流參數(shù)① 低頻跨導(dǎo) gm： 低頻跨導(dǎo)反映了 vGS對 iD的控制作用。 gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求得。 ? 極間電容： Cgs和 Cgd約為 1~3pF， 和 Cds約為 ~1pF。 高頻應(yīng)用時，應(yīng)考慮極間電容的影響。（三）極限參數(shù)① 最大漏極電流 IDM： 管子正常工作時漏極電流的上限值。? 擊穿電壓 V(BR) DS、 V(BR) GS： 管子漏 源、柵 源擊穿電壓。③ 最大耗散功率 PDM ： 決定于管子允許的溫升。注意 ： 對于 MOS管，柵 襯之間的電容容量很小， RGS很大，感生電荷的高壓容易使很薄的絕緣層擊穿，造成管子的損壞。因此，無論是工作中還是存放的 MOS管，都應(yīng)為柵 源之間提供直流通路，避免柵極懸空；同時，在焊接時，要將烙鐵良好接地。③ 輸出電阻 rd： (2) 場效應(yīng)三極管的型號 場效應(yīng)三極管的型號 , 現(xiàn)行有 兩種 命名方法。其一是與晶體管相同，第一位 3代表三極管，第二位字母代表材料， D是 P型硅 N溝道； C是 N型硅 P溝道。第三位字母 J代表結(jié)型場效應(yīng)管， O代表絕緣柵場效應(yīng)管。如， 3DJ6D是結(jié)型 N溝道場效應(yīng)三極管， 3DO6C是絕緣柵型 N溝道場效應(yīng)三極管。 第二種命名方法是 CS， CS代表場效應(yīng)管， 以數(shù)字代表型號的序號， 用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。例如 CS14A、 CS45G等。幾種常見的場效應(yīng)三極管的參數(shù)表 晶體管和場效應(yīng)管的比較小小 結(jié)結(jié) 本講主要介紹了以下基本內(nèi)容：216。 場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和類型216。 場效應(yīng)管的工作原理216。 場效應(yīng)管的特性曲線216。 場效應(yīng)管的主要參數(shù)216。 場效應(yīng)管與晶體管的比較思考題(1) 場效應(yīng)管符號中的箭頭方向表示什么？(2) 為什么 FET的輸入電阻比 BJT的高得多？為什么MOSFET比 JFET的輸入電阻高？(3) 場效應(yīng)管正常放大時，導(dǎo)電溝道處于什么狀態(tài)？(4) 使用 MOS管應(yīng)注意些什么？例 題 例 已知各場效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖 所示。試分析各管子的類型。圖 例 解 : (a) iD0（ 或 vDS0）， 則該管為 N溝道； vGS 0， 故為 JFET。 (b) iD0（ 或 vDS0）， 則該管為 P溝道； vGS0， 故為增強型 MOS管。 (c) iD0（ 或 vDS0）， 則該管為 N溝道； vGS可正、可負，故為耗盡型 MOS管。提示： 場效應(yīng)管工作于恒流區(qū) ：（ 1） N溝道增強型 MOS管： VDS0, VGSVGS(th) 0； P溝道反之。 （ 2） N溝道耗盡型 MOS管： VDS0, VGS可正、可負，也可為 0； P溝道反之。 （ 3） N溝道 JFET： VDS0, V GS0 ； P溝道反之。 圖 例 例 電路如圖 (a) 所示，場效應(yīng)管的輸出特性如圖 (b) 所示 。試分析當(dāng) uI=2V、 8V、 10V三種情況下，場效應(yīng)管分別工作于什么區(qū)域。 (c)當(dāng) uI=10V 時，假設(shè)管子工作于恒流區(qū)，此時 iD=2mA，故 uO =uDS =VDD iD Rd= 182?8=2V， uDS VGS(th) =104=6V，顯然 uDS小于 uGS =10V時的預(yù)夾斷電壓，故假設(shè)不成立 ，管子工作于 可變電阻區(qū) 。此時， Rds?uDS/iD=3V/1mA=3k， 故 解 : (a)當(dāng) uI=2V 時， uI=uGS VGS(th) ， 場效應(yīng)管工作于夾斷區(qū)， iD=0， 故 uO=VDD iD Rd= VDD =18V。 (b)當(dāng) uI=8V 時，假設(shè)管子工作于恒流區(qū)，此時 iD=1mA， 故 uO =uDS =VDD iD Rd= 181?8=10V， VGS =8V時的預(yù)夾斷電壓為 uGS VGS(th) =84=4V， uDS大于 uGS =8V時的預(yù)夾斷電壓，故假設(shè)成立 。圖 解 ：由圖中得 N溝道 JFET的 vGS=0， 此時， iD=IDSS=4mA。 而要保證場效應(yīng)管處在恒流區(qū)需保證 uGDVGS(off)， 即 uGS uDS VGS(off)即 uDS uGS = uDS 0|VGS(off)|=4V ， 所以 vOmax=VDD –VDS=124V=12 –4=8V ，故 RL= vO / IDSS =(0~8V)/4mA=(0~2)k 。 例 電路如圖 所示，場效應(yīng)管的夾斷電壓VGS(off)=4V， 飽和漏極電流 IDSS=4mA。 為使場效應(yīng)管工作于恒流區(qū)，求 RL的取值范圍。 電路如圖 ，晶體管導(dǎo)通時 UBE＝ ， β =50。 試分析 VBB為 0V、 1V、 3V三種情況下 T的工作狀態(tài)及輸出電壓 uO的值。 圖 解 :（ 1）當(dāng) VBB＝ 0時， T截止， uO＝ 12V （ 2）當(dāng) VBB＝ 1V時，因為 μ A 所以 T處于放大狀態(tài)。 （ 3）當(dāng) VBB＝ 3V時，因為 μ A 所以 T處于飽和狀態(tài)。 謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT