浙大電力電子技術(shù)第一章-資料下載頁
2025-05-15 00:33本頁面
【正文】 開通： a） b） c） d） 功率場效應(yīng)晶體管 關(guān)斷： a） UP高電平 ， Cin放電 ， UGS下降 ， iD未變 b） td（ off） 時(shí) ， 預(yù)夾斷 ， iD下降 c） Cin仍放電 ， UGS仍下降 ， 夾斷區(qū)上升 ， iD下降 UGSUGS（ TH） 時(shí) ， 導(dǎo)電溝道消失 ， iD＝ 0 d） toff = td(off) + tf 功率場效應(yīng)晶體管 主要參數(shù)與安全工作區(qū) 主要參數(shù) (1)漏極電壓 UDS (2)電流定額 ID (3)柵源電壓 UGS 安全工作區(qū) Ⅰ ： 漏源電阻限制線 Ⅱ ：最大漏極電流限制線 Ⅲ ：最大功率限制線 Ⅳ ：最大漏源電壓限制線 絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT） 一、結(jié)構(gòu)與工作原理 (a) 結(jié)構(gòu)示意圖 (b) 等效電路 (c) 符號(hào) 雙極導(dǎo)電性：電子與空穴均參與導(dǎo)電 電壓全控型：通過調(diào)節(jié)門極電壓控制極、射極（ C、 E）間通斷 絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT） 二、工作特性 靜態(tài)特征 (a) 輸出特性 (b) 轉(zhuǎn)移特性 絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT） 動(dòng)態(tài)特性 ton= td(on)+ tri toff= td(off)+ tfi 絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT） 擎住效應(yīng) IC上升到 ICM時(shí)， Rbr壓降導(dǎo)致 NPN通 ?正反饋 ?寄生等效晶閘管通?IGBT柵極失去控制作用。 靜態(tài)擎住： IC ICM 動(dòng)態(tài)擎?。?關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生 ， J2結(jié)反壓很快建立 ， 建立速度與 有關(guān) ， 越大建立得越快 ， 但在 J上引起的位移電流 也越大 ， 此電流可在 Rbr、 Rdr上產(chǎn)生 NPN管導(dǎo)通的正向偏壓 ， 從而產(chǎn)生擎住現(xiàn)象 。 預(yù)防措施： IC≤ICM ， 或者增大 RG， 使關(guān)斷速度下降 ， 減緩 IGBT的關(guān)斷速度 ， 減小重加 值 。 擎住效應(yīng)仿真演示： 絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT） 安全工作區(qū) (a) FBSOA (b) RBSOA 其他新型功率開關(guān)器件 靜電感應(yīng)晶體管（ SIT） 靜電感應(yīng)晶閘管（ SITH或 FCT） MOS控制晶閘管（ MCT） 集成門極換流晶閘管（ IGCT） 功率模塊（ PM）與功率集成電路 （ PIC） ?智能功率模塊（ IPM）
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