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正文內(nèi)容

浙大電力電子技術(shù)第一章(編輯修改稿)

2025-06-20 00:33 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ④ 反向阻斷高阻區(qū) 。 晶閘管 2. 門極伏安特性 IGFM: 門極正向峰電流 UGFM:門極正向峰電壓 PGM: 門極峰值功率 PG: 門極平均功率 具有分散性, 采用區(qū)域表示法 IGFM IGT UGT UGFM PGM PG Ug Ig 晶閘管 二、動(dòng)態(tài)特性 ( 1)開通特性; ( 2)關(guān)斷特性 開通 過程 關(guān)斷 過程 晶閘管 三 、 晶閘管的主要參數(shù) 電壓參數(shù) ( 1) 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 UDRM ( 2) 反向重復(fù)峰值電壓 URRM ( 3) 晶閘管的額定電壓 UR 取 UDRM和 URRM中較小值 , 取整 1000V以下 ( 100V一個(gè)等級(jí) ) 10003000V( 200V一個(gè)等級(jí) ) ( 4) 通態(tài)平均電壓 U T(AV) 晶閘管 電流參數(shù) ( 1) 通態(tài)平均電流 ( 額定電流 ) IT(AV) 單相 、 工頻 、 正弦半波 、 角度 170176。 IT(AV)= ?21 ? ?????0mIs in ttdI = 2I)s i n(I21 m02m ??? ??? tdtK f=I / IT(AV) =π/2 = 選擇元件:有效電流 整流輸出:平均電流 從平均電流找出相應(yīng)波形的有效電流以保證不過熱 ( 2)維持電流 I H 幾十 mA,結(jié)溫 ↑?IH↓(難關(guān)斷 ) ( 3)擎住電流 I L 開通過程中,能維持導(dǎo)通的最小電流,一般 I L= (2~ 4)I H 晶閘管 其他參數(shù) ( 1) 斷態(tài)電壓臨界上升率 UB0 額定結(jié)溫 、 門極開路 , 使元件斷 →通的最小電壓上升率 U 39。ak (duak /dt) UB0(=min duak /dt) 時(shí) , IC相當(dāng)于 Ig ( 2) 通態(tài)電流臨界上升率 ( 3) 門極觸發(fā)電流 I GT與門極觸發(fā)電壓 U GT 對(duì)觸發(fā)電路要求 , 隨溫度變化 。 晶閘管 晶閘管的型號(hào) P — 普通 , K — 快速型 , S — 雙向型 , N — 逆導(dǎo)型 , G — 可關(guān)斷 , LTT — 光控 KP[電流 ]─[電壓 /100][ 通態(tài)壓降組別 ] 如 KP500
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