【文章內(nèi)容簡介】 子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件二、電流放大原理1. 三極管放大的條件內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結(jié)面積大外部條件發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏2. 滿足放大條件的三種電路ui uoCEB ECBui uoECBui uo共發(fā)射極 共集電極共基極《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件實(shí)現(xiàn)電路 :《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件3. 三極管內(nèi)部載流子的傳輸過程1) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子 電子 ， 形成發(fā)射極電流 IE。I CN多數(shù)向 BC 結(jié)方向擴(kuò)散形成 ICN。IE少數(shù)與空穴復(fù)合，形成 IBN 。I BN基區(qū)空穴來源基極電源提供 (IB)集電區(qū)少子漂移(ICBO)I CBOIBIBN ? IB + ICBO即：IB = IBN – ICBO 2)電子到達(dá)基區(qū)后(基區(qū)空穴運(yùn)動(dòng)因濃度低而忽略)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件I CNIEI BNI CBOIB 3) 集電區(qū)收集擴(kuò)散過 來的載流子形成集 電極電流 ICICI C = ICN + ICBO 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件4. 三極管的電流分配關(guān)系　 　 當(dāng)管子制成后，發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集電結(jié)面積等確定，故電流的比例關(guān)系確定，即：IB = I BN ? ICBO IC = ICN + ICBO穿透電流《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件IE = IC + IB《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 晶體三極管的特性曲線一、輸入特性輸入回路輸出回路與二極管特性相似《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件O特性基本 重合 (電流分配關(guān)系確定 )特性右移 (因集電結(jié)開始吸引電子 )導(dǎo)通電壓 UBE(on) 硅管： ( ? ) V鍺管： ( ? ) V 取 V取 V《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件二、輸出特性iC / mAuCE /V50 181。A40 181。A30 181。A20 181。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43211. 截止區(qū)：2. IB ? 0 3. IC = ICEO ? 04. 條件： 兩個(gè)結(jié)反偏截止區(qū)ICEO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iC / mAuCE /V50 181。A40 181。A30 181。A20 181。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 放大區(qū)：放大區(qū)截止區(qū)條件： 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏特點(diǎn)： 水平、等間隔ICEO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iC / mAuCE /V50 181。A40 181。A30 181。A20 181。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43213. 飽和區(qū)： uCE ? u BEuCB = uCE ? u BE ? 0條件： 兩個(gè)結(jié)正偏特點(diǎn)： IC ? ? IB臨界飽和時(shí)： uCE = uBE深度飽和時(shí)： V (硅管 )UCE(SAT)= V (鍺管 )放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)ICEO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件三、溫度對特性曲線的影響1. 溫度升高，輸入特性曲線 向左移。溫度每升高 1?C， UBE ? (2 ? ) mV。溫度每升高 10?C， ICBO 約增大 1 倍。OT2 T1《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件2. 溫度升高，輸出特性曲線 向上移。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB = 0溫度每升高 1?C， ? ?( ? 1)% 。輸出特性曲線間距增大。O《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 晶體三極管的主要參數(shù)一、電流放大系數(shù)1. 共發(fā)射極電流放大系數(shù)iC / mAuCE /V50 181。A40 181。A30 181。A20 181。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 4321— 直流電流放大系數(shù) ? — 交流電流放大系數(shù)一般為幾十 ? 幾百Q(mào)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iC / mAuCE /V50 181。A40 181。A30 181。A20 181。A10 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 共基極電流放大系數(shù)? ? 1 一般在 以上。 Q二、極間反向飽和電流CB 極 間反向飽和電流 ICBO， CE 極 間反向飽和電流 ICEO。《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件三、極限參數(shù)1. ICM — 集電極最大允許電流，超過時(shí) ? 值明顯降低。2. PCM — 集電極最大允許功率損耗 PC = iC ? uCE。iCICMU(BR)CEO uCEPCMOICEO安全 工 作 區(qū)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件U(BR)CBO — 發(fā)射極開路時(shí) C、 B 極 間反向擊穿電壓。3. U(BR)CEO — 基極開路時(shí) C、 E 極 間反向擊穿電壓。U(BR)EBO — 集電極極開路時(shí) E、 B 極 間反向擊穿電壓。U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO (P34 )已知 :ICM = 20 mA, PCM = 100 mW ，U(BR)CEO = 20 V，當(dāng) UCE = 10 V 時(shí)， IC mA當(dāng) UCE = 1 V，則 IC mA當(dāng) IC = 2 mA，則 UCE V 102020《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件　場效應(yīng)管　場效應(yīng)管 引　言 結(jié)型場效應(yīng)管 場效應(yīng)管的主要參數(shù) MOS 場效應(yīng)管《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件引 言場效應(yīng)管 FET (Field Effect Transistor)類型：結(jié)型 JFET (Junction Field Effect Transistor)絕緣柵型 IGFET(Insulated Gate FET)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件特點(diǎn)：1. 單極性器件 (一種載流子導(dǎo)電 )3. 工藝簡單、易集成、功耗小、 體積小、成本低2. 輸入電阻高 (107 ? 1015 ?， IGFET 可高達(dá) 1015 ?)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 結(jié)型場效應(yīng)管1. 結(jié)構(gòu)與符號N 溝道 JFET P 溝道 JFET《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件2. 工作原理(1) UGS 對導(dǎo)電溝道的影響 UDS=0,UGS0隨 UGS負(fù)向增長， PN結(jié)變厚，導(dǎo)電溝道變窄?！赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件(1) UGS 對導(dǎo)電溝道的影響 UDS=0,UGS0隨 UGS負(fù)向增長， PN結(jié)變厚，導(dǎo)電溝道變窄，當(dāng)負(fù)向增長到某值時(shí)，兩個(gè) PN結(jié)合攏，導(dǎo)電溝道被 完全夾斷完全夾斷 ， 此時(shí)的UGS稱為 完全夾斷電壓，完全夾斷電壓， 記為 UGS （（ off）） 。即使此時(shí)加上 UDS，由于溝道已經(jīng)被完全夾斷，故漏極電流 ID極小，接近于 0。此時(shí)管子處于截至狀態(tài)。處于截至狀態(tài)的條件 : UGS＜ UGS （ off） 02. 工作原理《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 (2) UDS 對導(dǎo)電溝道的影響UGS (Off) UGS? 0 ?溝道未被完全夾斷此時(shí)施加 UDS 0由于沿溝道從 D到 S存在電位差，如：VxVy ，則：VxVy = VxVG VyVG0(G點(diǎn)電位為負(fù) )即 VG Vx＜ VG Vy 0 = UGXUGY0結(jié)論： x處的 PN結(jié)比 y處的 PN結(jié)厚所以： 靠近 D端的 PN結(jié)最厚，靠近 S端的 PN結(jié)最薄。而 D端的 PN結(jié)厚度取決于 UGD，且UGD ＝ VG VD=(VGVS) –(VD –VS)= UGS UDS＜ 0UDS增大會(huì)導(dǎo)致 UGD減?。ǜ?fù)），當(dāng) UDS增大到使UGD＜ UGS（ off）＜ 0時(shí)， PN結(jié)首先在 D