清華大學(xué)模擬電子技術(shù)課件第一章華成英-資料下載頁
2025-05-15 01:24本頁面
【正文】 為什么有孔？ 華成英 二、晶體管的放大原理 ??????（集電結(jié)反偏），即（發(fā)射結(jié)正偏）放大的條件BECECBonBE0 uuuUu 擴散運動形成發(fā)射極電流 IE，復(fù)合運動形成基極電流 IB，漂移運動形成集電極電流 IC。 少數(shù)載流子的運動 因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū) 因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合 因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分擴散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū) 基區(qū)空穴的擴散 華成英 ? 電流分配： IE＝ IB＋ IC IE－擴散運動形成的電流 IB－復(fù)合運動形成的電流 IC－漂移運動形成的電流 C B OC E OBCBC)(1 IIiiII?????????穿透電流 集電結(jié)反向電流 直流電流放大系數(shù) 交流電流放大系數(shù) 為什么基極開路集電極回路會有穿透電流？ 華成英 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 CE)( BEB Uufi ?為什么 UCE增大曲線右移？ 對于小功率晶體管， UCE大于 1V的一條輸入特性曲線可以取代 UCE大于 1V的所有輸入特性曲線。 為什么像 PN結(jié)的伏安特性？ 為什么 UCE增大到一定值曲線右移就不明顯了？ 1. 輸入特性 華成英 2. 輸出特性 B)( CEC Iufi ?β是常數(shù)嗎？什么是理想晶體管？什么情況下 ? ???對應(yīng)于一個 IB就有一條 iC隨 uCE變化的曲線。 為什么 uCE較小時 iC隨 uCE變化很大？為什么進入放大狀態(tài)曲線幾乎是橫軸的平行線？ 飽和區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) Bi?Ci?常量????CEBCUii?華成英 晶體管的三個工作區(qū)域 晶體管工作在放大狀態(tài)時，輸出回路的電流 iC幾乎僅僅決定于輸入回路的電流 iB，即可將輸出回路等效為電流 iB 控制的電流源 iC 。 狀態(tài) uBE iC uCE 截止 ＜ Uon ICEO VCC 放大 ≥ Uon βiB ≥ uBE 飽和 ≥ Uon ＜ βiB ≤ uBE 華成英 四、溫度對晶體管特性的影響 ????????BEBBBEC E O )(uiiuIT不變時，即不變時℃?華成英 五、主要參數(shù) ? ?? 直流參數(shù) ： 、 、 ICBO、 ICEO ce間擊穿電壓 最大集電極電流 最大集電極耗散功率， PCM＝ iCuCE 安全工作區(qū) ? 交流參數(shù)： β、 α、 fT（使 β＝ 1的信號頻率） ? 極限參數(shù) ： ICM、 PCM、 U（ BR） CEO EC II?? ??? ?????1ECii華成英
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