清華大學(xué)模擬電子技術(shù)課件第一章華成英-免費(fèi)閱讀
【正文】 少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng) 因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū) 因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合 因集電區(qū)面積大，在外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū) 基區(qū)空穴的擴(kuò)散 華成英 ? 電流分配： IE＝ IB＋ IC IE－擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電流 IB－復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成的電流 IC－漂移運(yùn)動(dòng)形成的電流 C B OC E OBCBC)(1 IIiiII?????????穿透電流 集電結(jié)反向電流 直流電流放大系數(shù) 交流電流放大系數(shù) 為什么基極開(kāi)路集電極回路會(huì)有穿透電流？ 華成英 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 CE)( BEB Uufi ?為什么 UCE增大曲線右移？ 對(duì)于小功率晶體管， UCE大于 1V的一條輸入特性曲線可以取代 UCE大于 1V的所有輸入特性曲線。 華成英 二、二極管的伏安特性及電流方程 材料 開(kāi)啟電壓 導(dǎo)通電壓 反向飽和電流 硅 Si ~ 1181。由于電流很小，故可近似認(rèn)為其截止。 N區(qū)自由電子濃度遠(yuǎn)高于 P區(qū)。 為什么要將半導(dǎo)體變成導(dǎo)電性很差的本征半導(dǎo)體？ 本征半導(dǎo)體中的兩種載流子 運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。 絕緣體－－惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng)，只有在外電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度時(shí)才可能導(dǎo)電。 5. 注意電路中常用定理在電子電路中的應(yīng)用。 2. 實(shí)踐性 ? 常用電子儀器的使用方法 ? 電子電路的測(cè)試方法 ? 故障的判斷與排除方法 ? EDA軟件的應(yīng)用方法 電子元器件的特點(diǎn)使然 。 “1”的電壓當(dāng)量 “1”的倍數(shù) 介于 K與 K+1之間時(shí)需根據(jù)閾值確定為 K或 K+1 任何瞬間的任何值均是有意義的 華成英 三、電子信息系統(tǒng)的組成 模擬電子電路 數(shù)字電子電路（系統(tǒng)） 信 號(hào) 的提 取信 號(hào) 的預(yù) 處 理信 號(hào) 的加 工信 號(hào) 的 驅(qū)動(dòng) 與 執(zhí) 行A / D 轉(zhuǎn) 換計(jì) 算 機(jī) 或 其它 數(shù) 字 系 統(tǒng)D / A 轉(zhuǎn) 換信 號(hào) 的提 取信 號(hào) 的預(yù) 處 理信 號(hào) 的加 工信 號(hào) 的 驅(qū)動(dòng) 與 執(zhí) 行A / D 轉(zhuǎn) 換計(jì) 算 機(jī) 或 其它 數(shù) 字 系 統(tǒng)D / A 轉(zhuǎn) 換傳感器接收器 隔離、濾波、放大 運(yùn)算、轉(zhuǎn)換、比較 功放 模擬 數(shù)字混合電子電路 模擬電子系統(tǒng) 執(zhí)行機(jī)構(gòu) 華成英 四、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課的特點(diǎn) 工程性 ? 實(shí)際工程需要證明其可行性。 1956年獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。華成英 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 清華大學(xué) 華成英 華成英 緒 論 一、電子技術(shù)的發(fā)展 二、模擬信號(hào)與模擬電路 三、電子信息系統(tǒng)的組成 四、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課的特點(diǎn) 五、如何學(xué)習(xí)這門課程 華
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