模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)學習指導與習題解答第一章-資料下載頁
2025-03-25 04:55本頁面
【正文】 c)中 0，因此是P溝道耗盡型MOS管。對應(yīng)的值為夾斷電壓，即=2 V對應(yīng)=0 V時的值為：=2 圖(d)中0，因此是N溝道耗盡型MOS管。其夾斷電壓為)=3 V=3118 填空題試從下述幾方面比較場效應(yīng)管和晶體三極管的異同。(1)場效應(yīng)管的導電機理為，而晶體三極管為。比較兩者受溫度的影響管優(yōu)于管。(2)場效應(yīng)管屬于器件，其G、S間的阻抗要晶體三極管b、e極間的阻抗，后者則應(yīng)屬于器件。(3)晶體三極管3種工作區(qū)域是，與此不同，場效應(yīng)管常把工作區(qū)域分為3種。(4)場效應(yīng)管的漏極D與源極S互換使用，而晶體三極管的集電極C與發(fā)射極E則互換使用。解 (1)一種載流子(多子)參加導電；兩種載流子參加導電；FET；BJT。
(2)壓控；遠大于；流控。(3)飽和、放大、截止；可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)。(4)b、c、e；NPN、PNP。※119 測得半導體三極管及場效應(yīng)管三個電極對地的電位如圖題119所示，試判斷下列器件的工作狀態(tài)。圖題119解 晶體管放大的條件：對于NPN型，其7 V，各極電位關(guān)系；對于PNP型，其2 V，各極電位關(guān)系。圖(1)1= V，滿足NPN管的放大條件，因此處于放大狀態(tài)，由上而下流。圖(2)，= V，也滿足NPN管的放大條件，因此處于放大狀態(tài)，由上而下流。圖(3)是N溝道結(jié)型FET，其放大條件是。 V，滿足放大條件，因此處于放大狀態(tài)，由上而下流。圖(4)是PNP管，UBE= V，是硅材料。，滿足放大條件，因此處于放大狀態(tài)，由下而上流。圖(5)是N溝道耗盡型MOS管，要求UGS0。= V,，處于放大狀態(tài)，由上而下流。圖(6)是PNP管。e結(jié)反偏，因此截止。圖(7)也是PNP管。e結(jié)反偏，因此截止。圖(8)是PNP管。 V，管子處于放大區(qū)。圖(9)是N溝道增強型MOS管，要求。本例中，因此截止。圖(10)是P溝道增強型MOS管，要求。而本例中，因此截止?！?21 測得電路中三極管3個電極，、的電位分別為下列各組數(shù)值：(1) V，6 V，0 V； (2) V， V，0 V； (3) V，6 V， V；(4) V， V， V； (5) V，3 V，0 V； (6) V， V，0 V (7) V，5 V，5 V (8)0 V，0 V，6 V試確定哪幾組數(shù)據(jù)對應(yīng)的三極管處于放大狀態(tài)?解 因為(1)(3)(4)(5)組數(shù)據(jù)滿足放大條件，所以三極管處于放大狀態(tài)，其余組數(shù)據(jù)不滿足放大條件，因此不處于放大狀態(tài)。10 / 10
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