半導(dǎo)體hgs在高壓下的電子結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)。黃海鋒-資料下載頁(yè)
2025-08-04 14:42本頁(yè)面
【正文】 結(jié)我們利用第一性原理平面波贗勢(shì)密度泛函理論研究了HgS的能帶結(jié)構(gòu)以及態(tài)密度。在計(jì)算中得到了HgS的間接帶隙為Eg=。這個(gè)結(jié)果與其他的理論和試驗(yàn)結(jié)果相一致。通過(guò)對(duì)比HgS在0GPa、30GPa、60GPa、90GPa下能帶圖，我們可以發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體HgS的帶隙最低點(diǎn)是隨著壓強(qiáng)的增大而增高。研究電學(xué)性質(zhì)時(shí)，我們計(jì)算了HgS的能帶結(jié)構(gòu)、總體態(tài)密度以及S、P級(jí)態(tài)密度。最后，我們研究了HgS的光學(xué)性質(zhì)。當(dāng)光通過(guò)晶體材料時(shí)會(huì)發(fā)生各種現(xiàn)象：反射、吸收、能量損失等。這和光與晶體中的電子、雜質(zhì)等的相互作用密切相關(guān)。通過(guò)研究固體中的光吸收光發(fā)射，可以直接得到晶體中電子的狀態(tài)——能帶結(jié)構(gòu)和其他的激發(fā)態(tài)信息。我們計(jì)算了HgS的吸收系數(shù)、介電函數(shù)（包含實(shí)部和虛部）、反射系數(shù)以及折射率。我們發(fā)現(xiàn)HgS介電函數(shù)的虛部ε2和實(shí)部ε1與光子能量之間的關(guān)系?？梢?jiàn)。參考文獻(xiàn)[1] 周世勛著，量子力學(xué)教程，北京：高等教育出版社，1992. P21[2] P. Hohenberg and W. Kohn, Phys. Rev. B 136, 864 (1964)[3] D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 41, 7892 (1990)[4] 李震宇,賀偉,楊金龍。 密度泛函理論及其數(shù)值方法新進(jìn)展[J]。 化學(xué)進(jìn)展。 2005年02期。 1424[5] 熊志華，孫振輝，. 江西科學(xué)報(bào)，第23卷第1期2005年2月.[6] 胡安，章維益著，固體物理學(xué)，北京，高等教育出版社：[7] 李正中著，固體理論，北京，高等教育出版社： [8] 楊兵初，鐘心剛主編，固體物理學(xué)，湖南長(zhǎng)沙，中南大學(xué)出版社：[9] 廖沐真，吳國(guó)是，劉洪霖著，量子化學(xué)從頭計(jì)算方法，北京：清華大學(xué)出版社，1984. pl [10] E. Francisco, J. M. Recio, M. A. Blanco and A. Mart237。n Pend225。s, J. Phys. Chem. 102, 1595 (1998).
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