半導體hgs在高壓下的電子結構和能帶結構。黃海鋒-資料下載頁
2025-08-04 14:42本頁面
【正文】 結我們利用第一性原理平面波贗勢密度泛函理論研究了HgS的能帶結構以及態(tài)密度。在計算中得到了HgS的間接帶隙為Eg=。這個結果與其他的理論和試驗結果相一致。通過對比HgS在0GPa、30GPa、60GPa、90GPa下能帶圖，我們可以發(fā)現(xiàn)半導體HgS的帶隙最低點是隨著壓強的增大而增高。研究電學性質時，我們計算了HgS的能帶結構、總體態(tài)密度以及S、P級態(tài)密度。最后，我們研究了HgS的光學性質。當光通過晶體材料時會發(fā)生各種現(xiàn)象：反射、吸收、能量損失等。這和光與晶體中的電子、雜質等的相互作用密切相關。通過研究固體中的光吸收光發(fā)射，可以直接得到晶體中電子的狀態(tài)——能帶結構和其他的激發(fā)態(tài)信息。我們計算了HgS的吸收系數(shù)、介電函數(shù)（包含實部和虛部）、反射系數(shù)以及折射率。我們發(fā)現(xiàn)HgS介電函數(shù)的虛部ε2和實部ε1與光子能量之間的關系。可見。參考文獻[1] 周世勛著，量子力學教程，北京：高等教育出版社，1992. P21[2] P. Hohenberg and W. Kohn, Phys. Rev. B 136, 864 (1964)[3] D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 41, 7892 (1990)[4] 李震宇,賀偉,楊金龍。 密度泛函理論及其數(shù)值方法新進展[J]。 化學進展。 2005年02期。 1424[5] 熊志華，孫振輝，. 江西科學報，第23卷第1期2005年2月.[6] 胡安，章維益著，固體物理學，北京，高等教育出版社：[7] 李正中著，固體理論，北京，高等教育出版社： [8] 楊兵初，鐘心剛主編，固體物理學，湖南長沙，中南大學出版社：[9] 廖沐真，吳國是，劉洪霖著，量子化學從頭計算方法，北京：清華大學出版社，1984. pl [10] E. Francisco, J. M. Recio, M. A. Blanco and A. Mart237。n Pend225。s, J. Phys. Chem. 102, 1595 (1998).
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