fe,sn摻雜in2o3稀磁半導體的結(jié)構(gòu)和磁性畢業(yè)論文-資料下載頁
2025-06-28 07:55本頁面
【正文】 越多，磁性越大。當基片溫度低時，擴散能量小，幾片上的氧原子不易摻入到氧空位中，氧空位數(shù)量多，磁性大。反之，溫度升高，擴散能量增大，氧空位被基片上的氧原子摻入，氧空位數(shù)量減少，磁性減小。圖3是在不同基片溫度下制備的FeSnIn2O3薄膜的（222）磁滯回線圖圖4是在100 mror下制備的FeSnIn2O3薄膜的（222）磁滯回線圖。從圖中可以看出FeSnIn2O3薄膜隨著溫度的升高氧空位數(shù)量減少，樣品幾乎成順磁性。圖4是在100 mror下制備的FeSnIn2O3薄膜的（222）磁滯回線圖六、結(jié)論………………………………………………………………………（XX）本論文制備了()2O3的稀磁半導體材料，通過對其結(jié)構(gòu)和磁性的分析研究，得到以下結(jié)論：本文采用固相反應法和真空退火制備了()2O3固體粉末。采用了脈沖激光沉積技術(shù)在不同的溫度下制備了()2O3薄膜。采用超導量子干涉儀 (SQUID)測量其磁學性能。結(jié)果如下（1）XRD不同溫度下測量結(jié)果表明衍射峰與立方方鐵錳礦結(jié)構(gòu)In2O3的衍射峰一致，沒有出現(xiàn)Sn的雜質(zhì)峰，隨著溫度的升高，峰值增大。（2）在不同溫度下制備的FeSnIn2O3薄膜的（222）衍射峰的半峰寬和顆粒大小隨著基片溫度的變化表明隨著溫度的升高衍射峰的半峰寬成減小趨勢而顆粒尺寸逐漸增大。衍射峰的半峰寬和顆粒尺寸成相反變化趨勢，表明溫度的提高在一定條件下能改善樣品的結(jié)晶質(zhì)量。（3）在不同基片溫度下制備的FeSnIn2O3薄膜的（222）磁滯回線圖表明隨著基片溫度的升高樣品的磁性呈先增大后減小的趨勢。（4）在100 mror下制備的FeSnIn2O3薄膜的（222）磁滯回線圖。從圖中可以看出FeSnIn2O3薄膜隨著溫度的升高氧空位數(shù)量減少，樣品幾乎成順磁性。致謝 ……………………………………………………………………………(XX) 參考文獻………，楊紅秀，丁馬太，材料化學導論，高等教育出版社，1997（7）2. 李咪 孫志剛 顧爾丹 Fe、Cu共摻雜InZo3稀釋磁性半導體的結(jié)構(gòu)和室溫鐵磁性研究 新能源材料 武漢理工大學出版社 2008年12月,et al, Room temperature ferromagnetic ntype semiconductor in (In1xFex)2O3,., ,052503, in transitionmetaldoped In2O3 thin ::68976905(2006)5. 趙勝利 文九巴 樊麗梅 秦啟宗 脈沖激光沉積技術(shù)制備薄膜鋰電池河南科技大學材料學院：《功能材料》2006年 第2
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