畢業(yè)論文----半導(dǎo)體熱電材料的應(yīng)用及研究進(jìn)展-資料下載頁
2025-01-12 06:26本頁面
【正文】 方面。正如 Sales B S 所說 ,如果我們可以將室溫下的 ZT值提高到 3左右 ,那么熱電制冷設(shè)備的制冷效率完全可以和壓縮機制冷技術(shù)抗衡 ,而且這種材料還可以制備高效率低溫?zé)嵩窗l(fā)電機 ,因此熱電材料有著廣泛的開發(fā)和應(yīng)用前景。但要實現(xiàn) 這一目標(biāo) , 還需要做大量的研究工作 ,在材料方面我們可以向著以 下幾個方向研究 : (1)利用半導(dǎo)體能帶理論為基礎(chǔ) 利用計算機為工具進(jìn)行不同結(jié)構(gòu)材料能帶的能帶計算 , 通過計算材料的 Seebeck 系數(shù)和電導(dǎo)率和導(dǎo)熱系數(shù)在更大范圍內(nèi)尋找 第 9 頁 （ 共 9 頁 ） 具有更高熱電靈敏值 Z的熱電材料 。 (2)繼續(xù)對已發(fā)現(xiàn)的高性能熱電材料進(jìn)行理論推導(dǎo)和實驗研究 ,使其達(dá)到穩(wěn)定的高熱電性能 , 以達(dá)到實用化水平。 (3)對有機導(dǎo)電材料進(jìn)行熱電理論研究 , 通過理論計算進(jìn)行分子設(shè)計配合有機合成及有效摻雜 , 尋找新的有機熱電材料 ,使有機熱電材料達(dá) 到實用化水平。 (4)重視對低維材料以及具有納米結(jié)構(gòu)的塊狀材料的研究，努力提高低維材料的制備工藝。 參考文獻(xiàn)： [1] Cadofl J B， Miller E． Thermoelectric Materials and Device[M]. NewYork： Reinhold Publ Corp， 1961. 6567 [2] 史迅，席麗麗，楊炯，等 . 熱電材料研究中的基礎(chǔ)問題 [M].上海 :能源材料專題， [3] 王占國 .半導(dǎo)體研究的新進(jìn)展 [M].北京 :半導(dǎo)體技術(shù)， [4] Teutsch WB. In Thermoelectricity. Edited by Egli P H[M]. New York: JohnWhite amp。 Sons Inc, 1958. 214221 [5] 徐桂英 .熱電材料的研究和發(fā)展方向 [J].材料導(dǎo)報， [6] Shi X,Yang J ,Bai S Q et ,[J].ShangHai, [7] Mateera N, Nicutescu H, Schlennot J, et al. J Appl Phys[J]. 1998, 83(6): 311 [8] Morelli D T, Meisner G P. J Appl Phys[J]. 1995, 77(8): 3777 [9] Tritt T M, Nolas GS, Slack G A, et al. J Appl Phys[J].1996, 79(11): 8412 [10] 劉宏，王繼楊 .半導(dǎo)體熱電材料的研究進(jìn)展 [J].山東 :功能材料， [11] Nolas GS, Slack G A, Morelli D T. J Appl Phys[J]. 1996, 79(8): 4002 [12] Nolas GS, Cohn J L, Slack G A. Phys Rev B[J]. 1998, 58(1): 164 [13] 鐘廣學(xué) .半導(dǎo)體致冷器件及其應(yīng)用 [J].北京 :科學(xué)出版社 ,1989. 167189 [14] Seo J, Park K. Lee C. Mat Res Bull[J]. 1998,33(4) : 553 [15] Benjamin Chu, et al. Macromolecules[J]. 1996,29: 3663 [16] Funahashi R ,M atsubara 1,Ikula H ,et al..4n oxide single crystal with high thermoelectric perfmw ance inair[J].Jpn JAppfPhy, 2022. 1127一 1129 [17] 張暉，楊友軍，吳建生，等 .熱電材料研究的最新進(jìn)展 [J].武漢 :材料導(dǎo)報， 2022. 423443 [18] 張麗鵬，于先進(jìn)，肖曉明 . 熱電材料的研究進(jìn)展 [J].煙臺 :山東理工 ,2022. 1723
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