【正文】 Pi是光入射到電池上的總功率密度，Isc是短路電流密度，FF為電池的填充因子，Voc為開路電壓，Im 和 Vm 分別是電池在最大輸出功率密度下工作的電流密度和電壓。 目前，—，Isc達到13mA/cm2，η達到12%以上。 silvacoTCAD工具軟件建模go Athena定義初始網格 line x loc= spac=1line x loc=10 spac=1line y loc= spac=line y loc= spac=line y loc=1 spac=line y loc=50 spac=10init amorphus silicon = orientation=100制作氧化膜 deposit oxide coatingdeposit oxide thickness= div=1植入N層 implant n+ layerimplant phos dose=1e15 energy=30灌輸 driveindiffuse擴散區(qū) time=10 temp=900 extract n layer junction depth提取N層結深extract name=junc_depth xj material= amorphus silicon =1 = =1 Set parameters for amorphus silicon設置非晶硅參數material region=2 mun=20 mup= nc300= \ nv300= eg300=defects使用能帶缺陷模型 nta= ntd= wta= wtd= \ nga= ngd= ega= egd= wga= wgd= \ sigtae= sigtah= sigtde= sigtdh= \ siggae= siggah= siggde= siggdh= form contact接觸形式etch oxide right =8deposit alum thickness= div=3etch alum left =8 relax the mesh in deep area在深度區(qū)域擴大網的面積relax =relax =relax =10 Reflect to get plete structure得到完整的反應結構structure mirror right set electrodes for ATLAS (ATLAS系統(tǒng)設置為電極）electrode name=cathode x=10electrode name=anode backsidestructure outf=go atlas set contact material to be opaque設置接觸材料為不透明的material material=Aluminum =1000material material=amorphus silicon taun0=1e6 taup0=1e6 set light beam using solar spectrum from external file（設置從外部射入的太陽能光譜參數）beam num=1 = = angle= = saves optical intensity to solution files將光強度記錄到處理文件中output models conmob fldmob srh print solve get short circuit current獲得短路電流log outf=solve b1=extract name=short_circuit_current max(abs(i.cathode))save outf= get open circuit voltage獲得開路電壓solve initcontact name=cathode currentsolve icathode=0 b1=1e15extract name=open_circuit_voltage max(abs(vint.cathode))save outf=tonyplot set 仿真結果顯示結構為非晶硅薄膜太陽能電池PIN單元結構第二運行ATLAS的光譜響應go atlas SECOND ATLAS RUN FOR SPECTRAL RESPONSE運行第二個ATLAS的光譜響應 set contact material to be opaque設置接觸材料不是透明material material=Aluminum =1000material material=Silicon taun0=1e6 taup0=1e6 set monochromatic light beam for spectral analysis為單色光束的頻譜分析beam num=1 = = angle= saves optical intensity to solution files保存光強度到解決方案output models conmob fldmob srh print spectral response光譜響應solve init b1=0log outf=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=solve b1=1 lambda=tonyplot set quit電池輸出電流特性從上圖可以看出，隨著擴散深度的增加，電流強度先增大，然后隨著擴散深度的增加而逐漸減少；參考文獻[1] 馮垛生，張淼，趙慧，林珊。太陽能發(fā)電技術與應用[M].人民郵電出版社，2009，34[2] 王長貴，王斯成。太陽能光伏發(fā)電實用技術[M].北京工業(yè)出版社，2009，4647[a3] 魏奎先，戴永年，馬文會等．太陽能電池硅轉換材料現狀及發(fā)展趨勢[J]．輕金屬，2006：5256 [4] Zhao J H，Wang A H，Green M A，Electron Devices[M]，1999，46(10)：1978～1983 [e5] 張曉丹，張發(fā)榮，趙穎等．半導體學報，2007，209～212[6] 沐俊應，徐娟，粱氏秋水等．有機薄膜太陽能電池的研究進展[J]．電子工藝技術，2007，2 8(2):93～96[7] 蘇孫慶．多晶硅薄膜太陽能電池的研究進展[J]．技術物理教學，2007：45～47[8] 鐘文建．多晶硅太陽能電池工藝技術探討及應用前景分析[J].陶瓷科學與技術，2005，39(5)：3 6～40 [9] 靳銳敏，盧景霄，揚仕娥，等．溫度對非晶硅薄膜二次晶化的影響[ J ]．電子元件與材料，2005，24(8)：4142． [10] 羅玉峰 太陽能光伏發(fā)電技術[M],:27～31[11] TANAKA R. NonCrystalline silicon cells prepared by a rapid liquid phase(RCPE)growth technique[J].Progress in Batteries and Solar Cell,1992.[12] HANAK JJ. The study of optical properties of amorphous thin films of mixed oxides In2O3SnO2 system,deposited by coevaporation[J].Noncrystal. Solid,.[13] DALAL VL,Electrical properties of hydrogenated amorphous GeO,。Hx films[J],IEEE Trans on Electron Devices,1990,27(4)。662.致 謝值此論文完成之際，衷心地向我的導師王強老師表示崇高的敬意和深深的感謝。從論文的選題、構思到撰寫及修改完成都凝聚了導師大量的心血和汗水。導師淵博的知識，嚴謹與實事求是的治學態(tài)度，孜孜不倦的工作作風、高尚的師德和謙遜的人品以及對學生至真至誠的關懷和諄諄教導，學生將終生銘記。同時，我衷心感謝在大學四年的學習期間各位任課老師對我的教育和培養(yǎng)，感謝南通大學電子信學院所有領導、老師以及各位同學的關懷和幫助。另外，我要深深感謝我的父母，他們的督促與鼓勵是我最大的動力，是他們的愛和支持使我能夠克服各種困難并最終完成本文。家人的愛永遠是我此生最寶貴的財富!最后，對在百忙之中對我的論文進行評審并提出寶貴意見的各位專家、教授致以誠摯的謝意。