【總結(jié)】第2章邏輯代數(shù)一、邏輯函數(shù)的相等1、定義:設(shè)有兩個(gè)邏輯函數(shù)F=f(x1,x2,…xn)G=g(x1,x2,…xn)其變量都為x1,x2,…xn,如果對(duì)應(yīng)于變量x1,x2,…xn的任何一組變量取值,F(xiàn),G的值都相等,則稱這兩個(gè)函數(shù)相等,記為F=G。2、判斷邏輯函數(shù)是否相等的方法(1)列出輸入變量的
2025-08-05 08:51
【總結(jié)】第二章邏輯代數(shù)基礎(chǔ)概述?二值邏輯:只有兩種對(duì)立邏輯狀態(tài)的邏輯關(guān)系–在二值邏輯中的變量取值:0/1,0和1表示兩個(gè)對(duì)立的邏輯狀態(tài)。–例如:電位的低高(0表示低電位,1表示高電位)、開關(guān)的開合等。–邏輯:事物的因果關(guān)系?邏輯運(yùn)算:當(dāng)兩個(gè)二進(jìn)制數(shù)碼表示不同的邏輯狀態(tài)時(shí),它們之間可以按照指定的某種因果關(guān)系
2025-02-19 00:22
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)第十章基本數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)(補(bǔ)充)華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院廣州集成電路設(shè)計(jì)中心殷瑞祥教授基本數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)(補(bǔ)充)?靜態(tài)傳輸邏輯設(shè)計(jì)?靜態(tài)恢復(fù)邏輯設(shè)計(jì)?動(dòng)態(tài)恢復(fù)邏輯設(shè)計(jì)?時(shí)序電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)第十章基本數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)(補(bǔ)充)CMOS靜態(tài)傳輸邏輯設(shè)計(jì)
2025-01-08 14:24
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)考點(diǎn)1.填空題1.NML和NMH的概念,熱電勢(shì),D觸發(fā)器,D鎖存器,施密特觸發(fā)器。低電平噪聲容限:VIL-VOL高電平噪聲容限:VOH-VIH這一容限值應(yīng)該大于零?熱電勢(shì):兩種不同的金屬相互接觸時(shí),其接觸端與非接觸端的溫度若不相等,則在兩種金屬之間產(chǎn)生電位差稱為熱電勢(shì)。??2.MOS晶體管動(dòng)態(tài)響應(yīng)與什么有關(guān)
2025-03-25 02:55
【總結(jié)】常用數(shù)字集成電路引腳圖74LS51雙與或非門74LS112雙J-K下降沿觸發(fā)器74LS126三態(tài)緩沖器
2025-06-24 19:41
【總結(jié)】第一章數(shù)字邏輯概論數(shù)字電路與數(shù)字信號(hào)數(shù)制二進(jìn)制數(shù)的算術(shù)運(yùn)算二進(jìn)制代碼二值邏輯變量與基本邏輯運(yùn)算邏輯函數(shù)及其表示方法2?本小節(jié)要點(diǎn)–什么是數(shù)字信號(hào)?–什么是數(shù)字電路?§數(shù)字電路與數(shù)字信號(hào)3一、模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào):數(shù)值連續(xù)
2025-10-07 18:41
【總結(jié)】1《數(shù)字邏輯》授課教師:衛(wèi)朝霞Email:2一、課程簡介1.課程性質(zhì)2.課程任務(wù)3.課程要求3第1章數(shù)制邏輯基礎(chǔ)(2學(xué)時(shí))第2章邏輯代數(shù)基礎(chǔ)(8學(xué)時(shí))*第3章組合邏輯電路(12學(xué)時(shí))*第4章觸發(fā)器
2025-10-10 00:18
【總結(jié)】1數(shù)字邏輯——是電子、通信、信息、計(jì)算機(jī)等專業(yè)的一門重要的專業(yè)基礎(chǔ)課。是進(jìn)入數(shù)字化世界必須學(xué)習(xí)的課程。2“數(shù)字邏輯”在硬件系列課程中的位置硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)微機(jī)原理數(shù)字邏輯數(shù)字邏輯是計(jì)算機(jī)組成的物理實(shí)現(xiàn)3本課程的主
2025-01-21 13:32
【總結(jié)】第二章邏輯門電路?本章主要內(nèi)容?介紹基本門電路的概念?將討論數(shù)字集成電路的幾種主要類型,重點(diǎn)是雙極型TTL集成門電路?MOS型數(shù)字集成電路?TTL電路和MOS電路相互連接的問題.第二章集成邏輯門電路?集成邏輯門電路,是把門電路的所有元器件及連接導(dǎo)線制作在同一塊半導(dǎo)體基片上構(gòu)成的。?它屬于小
2025-09-25 18:02
【總結(jié)】數(shù)字邏輯北航計(jì)算機(jī)學(xué)院艾明晶牛建偉2第3章門電路本章補(bǔ)充常用半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí);介紹晶體二極管、三極管的穩(wěn)態(tài)開關(guān)特性;分立元件門;TTL與非門,OC門,三態(tài)門;MOS管,MOS門等內(nèi)容。介紹門電路的電路結(jié)構(gòu)、工作原理及邏輯功能,以及基于VerilogHDL的門
2025-08-04 13:11
【總結(jié)】第一章集成電路中的晶體管及寄生效應(yīng)內(nèi)容提要、歷史、發(fā)展-M模型第1章集成電路中的晶體管及寄生效應(yīng)?為什么要研究寄生效應(yīng)?1、IC中各元件均制作于同一襯底,注定了元件與元件之間,元件與襯底之間存
2025-10-09 23:49
【總結(jié)】第三章、器件一、超深亞微米工藝條件下MOS管主要二階效應(yīng):1、速度飽和效應(yīng):主要出現(xiàn)在短溝道NMOS管,PMOS速度飽和效應(yīng)不顯著。主要原因是太大。在溝道電場(chǎng)強(qiáng)度不高時(shí)載流子速度正比于電場(chǎng)強(qiáng)度(),即載流子遷移率是常數(shù)。但在電場(chǎng)強(qiáng)度很高時(shí)載流子的速度將由于散射效應(yīng)而趨于飽和,不再隨電場(chǎng)強(qiáng)度的增加而線性增加。此時(shí)近似表達(dá)式為:(),(),出現(xiàn)飽和速度時(shí)的漏源電壓是一個(gè)常數(shù)。線性區(qū)的電流公式
2025-06-25 07:21
2025-06-18 13:01
【總結(jié)】一種數(shù)字集成電路測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)隨著數(shù)字集成電路的廣泛應(yīng)用,測(cè)試系統(tǒng)就顯得越來越重要。在網(wǎng)絡(luò)化集成電路可靠性試驗(yàn)及測(cè)試系統(tǒng)項(xiàng)目中,需要檢驗(yàn)?zāi)承┚哂袑掚娖椒秶能娪脭?shù)字集成電路芯片,而市場(chǎng)上常見的中小型測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)電平范圍達(dá)不到要求,而大型測(cè)試系統(tǒng)價(jià)格昂貴。本文介紹了為此項(xiàng)目研制的一種數(shù)字集成電路測(cè)試系統(tǒng),可測(cè)電平范圍達(dá)±32V,使用方便,且成本較低。測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及工
【總結(jié)】數(shù)字邏輯電路主講教師:王學(xué)梅使用教材:閻石主編數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(第五版)參考書:1、康華光主編電子技術(shù)基礎(chǔ)–數(shù)字部分(第四版)2、余孟嘗主編數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)簡明教程(第二版)
2025-05-14 07:06