半導(dǎo)體物理semiconductorphysics-資料下載頁(yè)
2025-07-18 13:44本頁(yè)面
【正文】 EF的距離要比體內(nèi)大，同時(shí) EF距價(jià)帶頂 Ev比體內(nèi)更近，也就是近表面區(qū)域電子減少而空穴增多 (多數(shù)載流子耗盡 )，甚至可以出現(xiàn)該區(qū)域轉(zhuǎn)化為 p型 (反型 )的情形。 ? 如果原來(lái)就是 p型樣品，那么能帶上彎導(dǎo)致近表面區(qū)域空穴濃度更大，從而使表面層變?yōu)?p+層 (多數(shù)載流子積累 )。 School of Microelectronics ? 對(duì)于圖 (b)所示的表面能級(jí)帶正電、能帶下彎的情況， 那么 p型樣品在近表面區(qū)域其 EF距價(jià)帶頂 Ev的距離就有可能比距導(dǎo)帶底 Ec的距離更遠(yuǎn)，這樣該區(qū)域電子濃度大于空穴濃度，呈現(xiàn) n型反型層。 ? 對(duì) n型樣品則由于能帶下彎將使近表面區(qū)域電子增多，呈現(xiàn) n+表面層 (多數(shù)載流子積累 )。 ? 通常氧化層中的帶電中心均為帶正電的離子，受其作用表面能帶要向下彎曲，因此氧化層下半導(dǎo)體表面的實(shí)際情況與圖 (b)所示的情況類(lèi)似。 School of Microelectronics 表面復(fù)合 ? 前面只考慮了半導(dǎo)體體內(nèi)的復(fù)合過(guò)程，實(shí)際上少子壽命在很大程度上受半導(dǎo)體表面形狀和表面狀態(tài)的影響。 ? 由于半導(dǎo)體表面處存在著特有的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)以及禁帶中的表面能級(jí)，它們都可以形成復(fù)合中心能級(jí)而具有促進(jìn)復(fù)合的作用，通常就把發(fā)生在半導(dǎo)體表面的復(fù)合過(guò)程稱(chēng)為表面復(fù)合 。 ? 表面復(fù)合也是間接復(fù)合，間接復(fù)合理論同樣適用于表面復(fù)合過(guò)程。 School of Microelectronics 半導(dǎo)體中表面復(fù)合與體內(nèi)復(fù)合同時(shí)發(fā)生，如果這兩種 不同位置的復(fù)合獨(dú)立發(fā)生互不影響，那么實(shí)際非平衡載流子 的壽命應(yīng)為表面復(fù)合和體內(nèi)復(fù)合的綜合效果，即 1/τv 是體內(nèi)復(fù)合幾率， 1/τs 是表面復(fù)合幾率，而 τ稱(chēng)為有效 壽命。 sv τ1τ1τ1 ??School of Microelectronics 為描述發(fā)生在半導(dǎo)體表面的復(fù)合，定義表面復(fù)合率 Us為 單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)單位表面積復(fù)合消失的電子 空穴對(duì)數(shù)。表面 復(fù)合率 Us與表面處的非平衡載流子濃度 (Δp)s成正比 式中 s為表面復(fù)合速度，它反映了表面復(fù)合的強(qiáng)弱。 s的大小主要受到晶體表面的物理性質(zhì)和外界氣氛的影響。 因?yàn)檩^高的表面復(fù)合速度會(huì)使更多的非平衡載流子在表面復(fù) 合中消失，大多數(shù)半導(dǎo)體器件都希望具有穩(wěn)定良好的表面和 很少的表面復(fù)合。 ? ?ss psU ?
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1