半導體物理semiconductorphysics(文件)
【正文】 ics 說明： ? 對于圖 (a)中表面能級接受體內電子、能級上彎的情況，n型樣品的近表面區(qū)域導帶底 Ec距 EF的距離要比體內大，同時 EF距價帶頂 Ev比體內更近，也就是近表面區(qū)域電子減少而空穴增多 (多數(shù)載流子耗盡 )，甚至可以出現(xiàn)該區(qū)域轉化為 p型 (反型 )的情形。 ? 通常氧化層中的帶電中心均為帶正電的離子，受其作用表面能帶要向下彎曲，因此氧化層下半導體表面的實際情況與圖 (b)所示的情況類似。 School of Microelectronics 半導體中表面復合與體內復合同時發(fā)生，如果這兩種 不同位置的復合獨立發(fā)生互不影響，那么實際非平衡載流子 的壽命應為表面復合和體內復合的綜合效果，即 1/τv 是體內復合幾率， 1/τs 是表面復合幾率，而 τ稱為有效 壽命。 因為較高的表面復合速度會使更多的非平衡載流子在表面復 合中消失，大多數(shù)半導體器件都希望具有穩(wěn)定良好的表面和 很少的表面復合。表面 復合率 Us與表面處的非平衡載流子濃度 (Δp)s成正比 式中 s為表面復合速度，它反映了表面復合的強弱。 ? 由于半導體表面處存在著特有的雜質和缺陷能級以及禁帶中的表面能級，它們都可以形成復合中心能級而具有促進復合的作用，通常就把發(fā)生在半導體表面的復合過程稱為表面復合 。 School of Microelectronics ? 對于圖 (b)所示的表面能級帶正電、能帶下彎的情況， 那么 p型樣品在近表面區(qū)域其 EF距價帶頂 Ev的距離就有可能比距導帶底 Ec的距離更遠，這樣該區(qū)域電子濃度大于空穴濃度，呈現(xiàn) n型反型層。 School of Microelectronics ? 與此類似當 Es高于半導體體內 EF時，表面能級中出現(xiàn)正 電荷，因此表面附近出現(xiàn)能帶下彎，產生負的空間電荷。 ? 因此在趨于平衡的過程中，如果半導體體內有較多的電子填充到表面能級，半導體表面就因此而帶負電，反之半導體表面就會帶正電。 ? 另外還可以制備鈍化層以防止可動電荷 Na+的沾污， Si3N4具有比磷硅玻璃更強的阻擋外界 Na+和吸收 SiO2中已經存在的 Na+的作用。 School of Microelectronics ? 對已經存在于 SiO2中的 Na+，要盡量減少其可動性。 School of Microelectronics ? Na+來
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