半導(dǎo)體物理問題解答(文件)
【正文】 半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體一樣）、補償情形少量受主雜質(zhì)情況：NDNA電中性條件： 或：、簡并的出現(xiàn)（重摻雜）單一雜質(zhì)，n型半導(dǎo)體，處于強電離區(qū)（飽和區(qū)）簡并判據(jù) 簡并時（重摻雜時）雜質(zhì)不能充分電離。我們稱絕對零度時全空的能帶為導(dǎo)帶，全滿的為價帶。漂移運動實際是載流子在電場作用下經(jīng)歷加速、碰撞（散射）過程的平均結(jié)果。：在弱電場下，載流子的漂移速度vd與電場E成正比。（隨著溫度T對的升高，或雜質(zhì)濃度NA+ND的升高，遷移率181。第五章、非平衡載流子、非平衡載流子由于受外界因素如光、電的作用，半導(dǎo)體中載流子的分布偏離了平衡態(tài)分布，我們把載流子濃度與平衡狀態(tài)下載流子濃度的差值稱為非平衡載流子或過剩載流子。由于直接躍遷比間接躍遷的幾率高幾個數(shù)量級，因此作為光電導(dǎo)用的材料應(yīng)盡可能選用直接帶隙半導(dǎo)體材料。對光強較強的情況，則產(chǎn)生的電子空穴對數(shù)目很多，即注入的非平衡載流子濃度可以很大，其產(chǎn)生的非平衡載流子濃度甚至可以超過材料中原來的多數(shù)載流子濃度，此時稱強注入。在非平衡狀態(tài)下，半導(dǎo)體材料內(nèi)部沒有統(tǒng)一的費米能級，因此載流子濃度不再由費米能級直接決定。一般情況下非平衡載流子注入時少子的數(shù)目相對變化很大，所以少子的準(zhǔn)費米能級相對平衡時的費米能級可以有很大移動，而多子的準(zhǔn)費米能級往往只有很小的移動。、平衡pn結(jié)中載流子濃度分布 nn0——n區(qū)平衡電子濃度 pn0——n區(qū)平衡空穴濃度 np0——p區(qū)平衡電子濃度 pp0——p區(qū)平衡空穴濃度 耗盡層近似：勢壘區(qū)中載流子濃度可以忽略，空間電荷密度就等于電力雜質(zhì)濃度。、反偏PN結(jié)的能帶圖反向偏置時，漂移電流大于擴散電流。電子親和能χ：真空能級與導(dǎo)帶底之差。、pn結(jié)和肖特基勢壘二極管的比較PNSBD少子器件，電荷存貯效應(yīng)多子器件，載流子無存貯低頻高頻導(dǎo)通電壓 ~導(dǎo)通電壓 ~ 、歐姆接觸（金屬重摻雜半導(dǎo)體接觸）電子隧穿通過勢壘區(qū) 線性IV，正反向?qū)ΨQ；接觸電阻很小。、表面態(tài)對接觸勢壘的影響界面態(tài)密度很大，則費米能級實際上被鉗位在離開價帶邊Eg/3附近（稱為費米能級釘扎效應(yīng)），而肖特基勢壘變成與金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)無關(guān)。、pn結(jié)在三種情況下的勢壘高度及能帶圖、理想pn結(jié)JV關(guān)系、實際pn結(jié)JV關(guān)系、pn結(jié)的擊穿 、雪崩擊穿 T↑，VBR↑ 正溫度系數(shù) 、隧道擊穿（齊納擊穿） T↑，VBR↓ 負溫度系數(shù)第八章、金半接觸、功函數(shù)和電子親和能功函數(shù)：真空能級與費米能級之差。、正偏PN結(jié)能帶圖正向偏置時，擴散電流大于漂移電流。接觸電勢差：勢壘區(qū)(耗盡層/空間電荷區(qū))：N區(qū)電子進入P區(qū)需要克服勢壘qVD，P區(qū)空穴進入N區(qū)也需要克服勢壘qVD。因此電子和空穴準(zhǔn)費米能級的差反映了半導(dǎo)體偏離平衡態(tài)的程度。除了半導(dǎo)體本身的能帶結(jié)構(gòu)外，非平衡載流子的壽命主要取決于晶體內(nèi)部雜質(zhì)、缺陷、應(yīng)力等因素，即取決于晶體的完整性。這種激發(fā)就是本征激發(fā)，其結(jié)果就是產(chǎn)生電子空穴對，使得導(dǎo)帶電子及價帶空穴數(shù)目都增加。、光電導(dǎo)現(xiàn)象 當(dāng)一束波長較短的光照射到半導(dǎo)體材料表面時，半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率會發(fā)生變化，這種現(xiàn)象稱為半導(dǎo)體的光電導(dǎo)現(xiàn)象。則： （有效質(zhì)量大的遷移率?。?、擴散運動擴散運動：多子由于載流子濃度的差異，而形成濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，產(chǎn)生擴散運動。為單位電場作用下載流子獲得平均速度，反映了載流子在電場作用下輸運能力，是反映半導(dǎo)體及其器件導(dǎo)電能力的重
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