3d封裝技術(shù)解決芯片封裝日益縮小的挑戰(zhàn)-資料下載頁
2025-07-14 20:25本頁面
【正文】 ，導(dǎo)線直徑跨度高達(dá)320密耳。Q7 L. M* n( f% A8 ^碳納米管(CNT)將來可能用作3D互連材料。CNT可能會在每一給定面積傳輸更大的電流，電流密度水平達(dá)1 x 107 A/cm2。富士通公司正在開發(fā)32nm設(shè)計(jì)CNT，在溫度約450℃下，得到了穿過300mm晶圓的32nm CNT管束，電阻值像鎢的那么低(圖5)。該公司的研究人員正在努力，使其盡可能匹配兼容CMOS的生長溫度為400℃的電阻。, l6 U8 ^* x) R1 s: \4 @! {7 Y( Ew9 I/ c y未來技術(shù)路線7 CX4 K。 E5 J h! _! p3D封裝開發(fā)如何完成、什么時(shí)候完成，取決于很多因素：半導(dǎo)體芯片制造商采用新型封裝方法的速度有多快？面對熱水平不斷的增加，需要什么冷卻方法來散熱？兼容的工藝設(shè)備和工具有哪些，其對準(zhǔn)和精度水平能達(dá)到所需要的水平嗎？~3 g2 k。 M4 ~( j4 O% N7 E大多數(shù)IC專家認(rèn)為可能會經(jīng)歷以下幾個(gè)階段。具有TSV和導(dǎo)電漿料的快閃存儲器晶圓疊層很可能會發(fā)展，隨后會有表面凸點(diǎn)間距小至5μm的IC表面表面鍵合出現(xiàn)。最后，硅上系統(tǒng)將會發(fā)展到存儲器、圖形和其他IC將與微處理器芯片相鍵合。 n5 A! U0 [39。 U4 b0 c o 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)IC工具制造商已經(jīng)著手開發(fā)適合即將來臨的3D時(shí)代用的工具。這些工具目前用于更寬的數(shù)百微米線寬腐蝕側(cè)邊和溝槽，可能會作改進(jìn)，以用于一般45nm和32nm工藝系統(tǒng)的更細(xì)些的數(shù)十微米線寬。9 r3 B7 y9 u) U 很多設(shè)備提供商、原料公司和研究人員已經(jīng)聯(lián)合創(chuàng)立一個(gè)國際性的組織，進(jìn)行包括處理TSV 3D芯片互連技術(shù)并解決成本問題?！鞍雽?dǎo)體3D設(shè)備和材料協(xié)會(EMC3D)”將采用“先通孔和后通孔”技術(shù)工藝，開發(fā)在50～300mm薄晶圓上生成5～30μm微孔的工藝。( }7 D39。 A4 X( m3 o發(fā)起成立該協(xié)會的設(shè)備公司有阿爾卡特、EV Group、Semitool公司和XSiL公司；材料公司有美國羅姆哈斯(Rohm Haas)公司、美國霍尼威爾 (Honeywell)公司、美國Enthone公司以及美國AZ公司；Isonics公司提供晶圓服務(wù)支持；研究伙伴包括德國弗朗霍夫研究院(Fraunhofer IZM)、 韓國三星高等技術(shù)學(xué)院(SAIT，Samsung Advanced Institute of Technology)、 韓國高等理工學(xué)院(KAIST，Korea Advanced Institute of Science and Technology)和德州Aamp。M大學(xué)7 / 7
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