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正文內(nèi)容

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2025-07-07 15:30本頁面
  

【正文】 t1導(dǎo)通,這樣12V多的電壓就會加到V1的柵極使V1導(dǎo)通,而V1導(dǎo)通使電源電壓加至負(fù)載,也就是V1的源極電壓會升高至48V,而此時由于C5充滿電,C5上的電壓仍然是12V,所以可以維持t1的導(dǎo)通并使V1柵極的電壓始終保持高于VCC,這樣V1的柵極就好像隨著源極電壓浮動而浮動,所以叫做“浮柵驅(qū)動”。這時如果U4A的3腳一直維持高電平的話,在電容k1和MOSFET本身GS間電容充飽電之后,C5上的儲存的電荷主要通過t1的BE結(jié),電阻a1到三極管q1放電(由于此時二極管D7處于正偏狀態(tài),所以t2的BE結(jié)反偏而截止,因此t2并不參與放電),如果C5足夠大,那么可以在相當(dāng)長的一段時間內(nèi)保證V1的驅(qū)動電壓在合理的范圍內(nèi)。這里b1放在q1的射極上組成一個近似恒流的驅(qū)動電路,用以保證在C5正極電壓升得很高時,通過三極管q1的放電電流不致過大而導(dǎo)致電容很快放完。當(dāng)U4A的3腳輸出低電平時,q1,t1迅速關(guān)閉,t2開始導(dǎo)通,將k1和柵極本身積累的電荷迅速泄放,V1被關(guān)閉,而此時由于另兩組中的一組之下橋維持在導(dǎo)通狀態(tài),電容C5就會通過電機繞組和該下橋迅速充電補充電能,為下一個周期做準(zhǔn)備。 從上面的過程可以看出,電容C5的充電量應(yīng)該是越大越好,但電容大了,可能二極管來不及給電容充電,電容小了,又不能保證導(dǎo)通時間,所以這種驅(qū)動不能使V1長時間維持在導(dǎo)通狀態(tài),這也是為什么PWM信號要耦合到上橋的一個原因。 其次對于這個驅(qū)動電路有人還會產(chǎn)生一個疑問:按理說用作功率開關(guān)的MOSFET,為了減少開關(guān)損耗,應(yīng)盡量避免MOSFET工作在放大狀態(tài),按照這個原則,驅(qū)動MOSFET的電平應(yīng)該是快速上升、快速下降,而且這個速度是越快越好,但此電路中增加了電阻ee2,電容kk2,這四個元件在這里的作用顯然有悖于快升快降的原則,實際上這四個零件在電路中的作用也確實是有意減慢MOSFET的開啟速度,使驅(qū)動MOSFET的電壓波形上升沿沒那么陡峭,為什么要這樣做呢? 這個要從MOSFET的結(jié)構(gòu)來看,MOSFET本身各極之間存在極間電容,這個電容被稱為密勒電容。而我們現(xiàn)在這種上下橋類似推挽結(jié)構(gòu)的電路,上橋?qū)〞r,由于下橋漏極的電壓急劇升高,這種電壓變化會通過下橋的密勒電容傳遞給下橋的柵極,我們把上橋?qū)〞r下橋漏極電壓升高的速度以Δv/Δt表示,當(dāng)Δv/Δt足夠大時,傳遞給下橋柵極的電荷便會積蓄到足以使下橋?qū)ǖ牡夭?,這樣就會導(dǎo)致上下橋直接將電源短路,而解決這個問題最簡單的辦法,就是讓上下橋開通的速度不要那么快,所以加上阻容延時,并且這里的k1,k2還有吸收部分沖擊電壓的功效,這里就不多做描述了。 1. 若不給自己設(shè)限,則人生中就沒有限制你發(fā)揮的藩籬。2. 若不是心寬似海,哪有人生風(fēng)平浪靜。在紛雜的塵世里,為自己留下一片純靜的心靈空間,不管是潮起潮落,也不管是陰晴圓缺,你都可以免去浮躁,義無反顧,勇往直前,輕松自如地走好人生路上的每一步3. 花一些時間,總會看清一些事。用一些事情,總會看清一些人。有時候覺得自己像個神經(jīng)病。既糾結(jié)了自己,又打擾了別人。努力過后,才知道許多事情,堅持堅持,就過來了。4. 歲月是無情的,假如你丟給它的是一片空白,它還給你的也是一片空白。歲月是有情的,假如你奉獻(xiàn)給她的是一些色彩,它奉獻(xiàn)給你的也是一些色彩。你必須努力,當(dāng)有一天驀然回首時,你的回憶里才會多一些色彩斑斕,少一些蒼白無力。只有你自己才能把歲月描畫成一幅難以忘懷的人生畫卷。學(xué)習(xí)參考
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