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正文內(nèi)容

覆銅板技術(shù)資料-資料下載頁

2024-11-07 04:34本頁面

【導讀】、我們常用的PCB介質(zhì)是FR4材料的,相對空氣的介電常數(shù)是。這個介電常數(shù)是會隨溫度變化的,在0-70度的溫度范圍內(nèi),其最大變化范圍可以達到20%。介電常數(shù)的變化會導致線路延時10%的變化,溫。介電常數(shù)還會隨信號頻率變化,頻率越高介電常數(shù)越小。間電容以及延時。視情況而定,一般介于140與170之間。電容的容值和工藝不同則這個諧振點不同,而且不同廠家生產(chǎn)的也會有很大差異。這個諧振點主要取決于?,F(xiàn)在的比如一個100nF的貼片電容等效串聯(lián)電感大概在,ESR. 為達好較好的濾波效。兩個電容并聯(lián)已經(jīng)相當于LC并聯(lián)。這個串阻反倒會抑制這種并聯(lián)諧振現(xiàn)象,從而降低LC諧振器在諧振點的阻。為減輕這個影響,可以酌情使用ESR大些的電容。增大ESR會使整體阻抗趨于一致。會增加,而在24M與200M頻段內(nèi),阻抗會降低。

  

【正文】 或定義,它不僅與介質(zhì)的本身特性有關(guān),還與測試方法,測試頻率,測試前以及測試中的材料狀態(tài)有關(guān)。介電常數(shù)也會隨溫度的變化而變化 ,有些特別的材料在開發(fā)中就考慮到溫度的因素 .濕度也是影響介電常數(shù)的一個重要因素 ,因為水的介電常數(shù)是 70,很少的水分 ,會引起顯著的變化 . 以下是一些典型材料的介電常數(shù) (在 1Mhz 下 ): 真空 純 PTFE GY PTFE GXPTFE 氰酸酯 /玻璃 氰酸酯 /石英 聚酰亞胺-石英 聚酰亞胺-玻璃 環(huán)氧樹脂-玻璃( FR4) 無紡芳香胺 (aramid) 芳香胺 (織布 ) 陶瓷填充聚四氟乙烯 Foamclad (Arlon 專利 ) 水 可以看出,對于高速、高頻應用而言,最理想的材料是由銅箔包裹的 空氣介質(zhì),厚度允差在+ /- 。作為材料開發(fā),大家都在朝這個方向努力 ,如 Arlon 專利開發(fā)的 Foamclad非常適合基站天線的應用。但不是所有的設(shè)計都是介電常數(shù)越小越好 ,它往往根據(jù)一些實際的設(shè)計而定 ,一些要求體積很小的線路 ,常常需要高介電常數(shù)的材料 ,如 Arlon的 AR1000 用在小型化線路設(shè)計 .有些設(shè)計如功放 ,常用介電常數(shù) (如 Arlon Diclad527, AD255 等 ),或者介電常數(shù) (如 AD350,25N/FR等 ).也有采用 介電常數(shù)的 ,(如 AD450)主要從 FR4 設(shè) 計改為高頻應用 ,而希望沿用以前設(shè)計 . 介電常數(shù)除了直接影響信號的傳輸速度以外 ,還在很大程度上決定特性阻抗 ,在不同的部分使得特性阻抗匹配在微波通信里尤為重要 .如果出現(xiàn)阻抗不匹配的現(xiàn)象 ,阻抗不匹配也稱為VSWR (駐波比 ). CTEr:由于介電常數(shù)隨溫度變化 ,而微波應用的材料又常常在室外 ,甚至太空環(huán)境 ,所以CTEr(Coefficenc of Thermal of Er,介電常數(shù)隨溫度的變化系數(shù) )也是一個關(guān)鍵的參數(shù) .一些陶瓷粉填充的 PTFE 能夠有非常好的特性 ,如 CLTE. ( Loss, loss tangent, Df, Dissipation factor) 除了介電常數(shù) ,損耗因子是影響材料電氣特性的重要參數(shù) .介電損耗也稱損耗正切 ,損耗因子等 ,它是指信號在介質(zhì)中丟失 ,也可以說是能量的損耗 .這是因為高頻信號 (它們不停地在正負相位間變換 )通過介質(zhì)層時 ,介質(zhì)中的分子試圖根據(jù)這些電磁信號進行定向 ,雖然實際上 ,由于這些分子是交聯(lián)的 ,不能真正定向 .但頻率的變化 ,使得分子不停地運動 ,產(chǎn)生大量的熱 ,造成了能量的損耗 .而有些材料 ,如 PTFE 的分子是非極性的 ,所以不會受電磁場的影響變化 ,損耗也就較小 . 同樣 ,損耗因子也跟頻率和測試方法有關(guān) .一般規(guī)律是在頻率越高 ,損耗越大 . 最直觀的例子是傳輸中電能的消耗 ,如果電路設(shè)計損耗小 ,電池壽命可以明顯增加 。在接收信號時 ,采用的損耗的材料 ,天線對信號的敏感度增加 ,信號更清晰 . 常用的 FR4環(huán)氧樹脂 ()極性相對較強 ,在 1GHz下 ,損耗約 ,而 PTFE基 材 ()在此條件下的損耗是 ,不僅介電常數(shù)低 ,而且損耗也較低 ,因為硅的含量較純 .
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