第三章半導體中載流子的統(tǒng)計分布布置作業(yè)解答-資料下載頁
2025-06-16 15:28本頁面
【正文】 計算300K時的位置及電子和空穴濃度。（4）如果溫度升高到500K，計算（3）中電子和空穴的濃度（本征載流子濃度數值查圖37）。解：（1）由題意可知：,則有，不滿足的條件（說明襯底不是非簡并半導體，以簡并半導體的情況考慮）。屬于弱簡并的范圍（ 見P95）。此時，雜質濃度為： （I） %P95 (3112)式已知：,，（查P77表32得）代入(I)式得： 查P94費米積分曲線： 代入 表達式得對簡并半導體：導帶電子濃度 %P94 (3110)式即（2）對外延層：在300K時，處于過渡區(qū)，雜質全部電離，且，說明外延層是非簡并半導體，且本征激發(fā)可忽略。則：過渡區(qū)，費米能級：?！厩箅娮雍涂昭舛取坑缮厦娣治隹芍?，電子濃度空穴濃度（3）此時外延層既有均勻分布的n型雜質，又有隨深度變化的p型雜質，題中某深度處，該處有效雜質濃度，則該處半導體處于非簡并狀態(tài)，且300K時，雜質全部電離，本征激發(fā)可忽略。此時費米能級：％P92 (3101)式【求電子和空穴濃度】由上面分析可知，空穴濃度電子濃度（4）如果溫度為500K，雜質全部電離，而且本征激發(fā)開始起主要作用，不能忽略。電中性方程為： （I）雜質全電離：， (II)又 (III)聯立（I）、(II)、(III)式，將代入解得：
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