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半導(dǎo)體復(fù)習(xí)提綱-資料下載頁

2025-06-07 17:21本頁面
  

【正文】 數(shù)的差、絕緣層中的電荷等。理想MIS結(jié)構(gòu)CV特性小結(jié):(1)半導(dǎo)體材料及絕緣層材料一定時,CV特性將隨絕緣層厚度do及半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度NA而變化;(2)CV特性與頻率有關(guān),尤其是反型層時的CV曲線的形狀。 [111 110 100]晶面的比較 ??? 第9章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu) 考概念 Pn結(jié)是由導(dǎo)電類型相反的同一種半導(dǎo)體單晶材料組成的,通常稱為同質(zhì)結(jié)。而由兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料組成的結(jié),則稱為異質(zhì)結(jié)。 反型異質(zhì)結(jié):導(dǎo)電類型相反的兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料所形成的異質(zhì)結(jié)。 同型異質(zhì)結(jié):導(dǎo)電類型相同的兩種不同的半導(dǎo)體單晶材料所形成的異質(zhì)結(jié)。 異質(zhì)結(jié)也可以分為突變型異質(zhì)結(jié)和緩變型異質(zhì)結(jié)。 異質(zhì)pn結(jié)的超注入現(xiàn)象:是指在異質(zhì)pn結(jié)中由寬禁帶半導(dǎo)體注入到窄禁帶半導(dǎo)體中的少數(shù)載流子濃度可超過寬禁帶半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子濃度。 激子:半導(dǎo)體中電子和空穴因庫侖力相互作用可形成束縛的電子空穴對,稱為激子。 超晶格:半導(dǎo)體超晶格是指由交替生長兩種半導(dǎo)體材料薄層組成的一維周期性結(jié)構(gòu),而其薄層厚度的周期小于電子的平均自由程的人造材料。11 調(diào)制摻雜:在形成異質(zhì)結(jié)是一邊摻雜一邊不摻雜的摻雜方式。調(diào)制摻雜異質(zhì)結(jié)就是在一邊摻雜、另一邊不摻雜的異質(zhì)結(jié) 12量子阱(QW)是指由兩種不同的半導(dǎo)體材料相間排列形成的、具有明顯量子限制效應(yīng)的電子或空穴的勢阱。多量子阱是指多個量子阱組合在一起的系統(tǒng)。就材料結(jié)構(gòu)和生長過程而言,多量子阱和超晶格沒有實質(zhì)差別,僅在于超晶格勢壘層比較薄,勢阱之間的耦合較強,形成微帶;而多量子阱之間的勢壘層厚,基本無隧穿耦合,也不形成微帶。多量子阱結(jié)構(gòu)主要應(yīng)用于其光學(xué)特性。 單量子阱和雙量子阱區(qū)別???? 5.勢壘厚度 聲子,光子 第10章 半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象1 本征吸收:由于電子由帶與帶之間的躍遷所形成的吸收過程稱為本征吸收。1 導(dǎo)帶極小值和價帶極大值對應(yīng)于相同的波矢k,常稱為直接帶隙半導(dǎo)體。否則稱為間接帶隙半導(dǎo)體。1 激子吸收:光子能量不足以使價帶電子受激進入導(dǎo)帶成為自由電子,而仍然受到空穴的庫倫場作用,形成新的系統(tǒng)——激子,這樣的光吸收稱為激子吸收1 自由載流子吸收:光子能量不足以使電子處帶與帶之間躍遷或形成激子時,仍然存在著吸收,自由載流子在同一帶內(nèi)的躍遷所引起的吸收稱為自由載流子吸收。1 雜質(zhì)吸收:束縛在雜質(zhì)能級上的電子或空穴也可以引起光的吸收。電子可以吸收光子躍遷到導(dǎo)帶能級,空穴也可以吸收光子而躍遷到價帶,這種光吸收稱為雜質(zhì)吸收。1 晶格振動吸收:光子的動能直接轉(zhuǎn)換為晶格振動動能的吸收1 光電導(dǎo):由光照引起半導(dǎo)體電導(dǎo)率增加的現(xiàn)象稱為光電導(dǎo)。本征吸收引起的光電導(dǎo)稱為本征光電導(dǎo)。1 定態(tài)光電導(dǎo)是指在恒定光照下產(chǎn)生的光電導(dǎo)。1 光電導(dǎo)靈敏度一般定義為單位光照度所引起的光電導(dǎo)。少數(shù)載流子陷阱有增加定態(tài)光電導(dǎo)靈敏度的作用。 光生伏特效應(yīng):當(dāng)適當(dāng)波長的光照射非均勻半導(dǎo)體時,由于內(nèi)建電場的作用,半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生電動勢,這種由內(nèi)建電場引起的光電效應(yīng),稱為光生伏特效應(yīng)。2 本征躍遷:導(dǎo)帶電子躍遷到價帶,與價帶空穴相復(fù)合,伴隨著發(fā)射光子,稱為本征躍遷2 非本征躍遷:電子從導(dǎo)帶躍遷到雜質(zhì)能級,或雜質(zhì)能級上的電子躍遷到價帶,或電子在雜質(zhì)能級之間的躍遷,都可以引起發(fā)光,這種躍遷稱為非本征躍遷2 激光的發(fā)射要滿足的3個條件:形成分布反轉(zhuǎn),使受激輻射占優(yōu)勢;具有共振腔,以實現(xiàn)光量子放大;至少達到閾值電流密度,使增益至少等于損耗。2 非晶態(tài)半導(dǎo)體特點:長程無序,短程有序;亞穩(wěn)性2 SW效應(yīng):a—Si:H樣品在長時間的光照后其光電導(dǎo)和暗電導(dǎo)都顯著減小,將光照后的樣品置于150oC下退火30分鐘,再冷卻到室溫,樣品又恢復(fù)到原來狀態(tài),這一現(xiàn)象稱為SW效應(yīng)。
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