【總結(jié)】半導體物理教材:劉恩科王延來15124750239固體物理的分支半導體的微觀結(jié)構(gòu)和宏觀物理特性的關(guān)系物理特性電學特性微觀結(jié)構(gòu)原子排列的方式、鍵合結(jié)構(gòu)、電子的運動狀態(tài)等學習要求深刻理解概念、物理機制48學時,3學分,閉卷考試,平時30%,期末70%第一章半導體中的電子狀態(tài)n半導體材料分類n晶體材料:單晶和多晶
2025-01-01 06:43
【總結(jié)】半導體物理學主講人:代國章物理樓110室,13786187882Email:?課程代碼:14010022?課程性質(zhì):專業(yè)課程/選修課學分:?時間:周三(9,10)、(單周)周四(3,4)?教室:B座111?課程特點:內(nèi)容廣、概念多,理論和系統(tǒng)性較強。?課程要求:著重物理概
2025-01-01 07:03
【總結(jié)】內(nèi)容:?黑體輻射與能量量子化的假設(shè)?光電效應?康普頓效應?氫原子光譜與玻爾的氫原子理論?微觀粒子的波粒二象性?測不準關(guān)系?薛定鄂方程?無限深勢阱中的粒子?激光原理?晶體點陣及電子波在周期勢場中的傳播應用Atoms(原子核)(外層電子、價帶電子)(激發(fā)態(tài)電子)Moretha
2025-05-05 18:14
【總結(jié)】QJ/TBTCL家用電器(惠州)有限公司企業(yè)標準QJ/TBJ053063-2004
2025-06-19 16:55
【總結(jié)】第一章緒論1.半導體材料的五大特性:整流效應、光電導效應、負電阻溫度效應、光生伏特效應和霍爾效應所謂光電導效應,是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現(xiàn)象。電導與所加電場的方向有關(guān),在它兩端加一個正向電壓,它是導通的;如果把電壓極性反過來,它就不導通,這就是半導體的整流效應。2.能帶結(jié)構(gòu)3.外延生長:在單晶襯底上生長單晶薄
2025-01-09 18:29
【總結(jié)】NewGenerationofHigh–PowerSemiconductorClosingSwitchesforPulsedPowerApplicationsI.IntroductionSolidstatesemiconductorswitchesareveryinvitingtouseatpulsedpowersystemsbeca
2025-06-29 04:43
【總結(jié)】1SemiconductormaterialsLecturer:AiminLiu&WeifengLiu劉愛民劉維峰2半導體材料及器件工藝技術(shù)(四)1噴霧熱解成膜技術(shù)?2CVD成膜技術(shù)?低壓CVD、常壓CVD、離子增強型CVD、MOCVD?3擴散及陽極氧化技術(shù)
2025-03-22 02:27
【總結(jié)】半導體材料?半導體材料的發(fā)展簡史?半導體材料的發(fā)展趨勢?半導體材料的分類什么是半導體?按照不同的標準,有不同的分類方式。按固體的導電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導體、半導體和絕緣體。導體、半導體和絕緣體的電阻率范圍材料導體半導體絕緣體電阻率(歐姆)﹤10-310-3109﹥10
2025-01-14 10:05
【總結(jié)】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-04-30 01:43
【總結(jié)】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點:是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部優(yōu)點,耐壓高、電流大、耐浪涌能力強,造價便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡單,使用方便。§GTO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點:①
2025-05-01 06:14
【總結(jié)】半導體光電子學的新進展RecentProgressonSemiconductorBasedOpto-electronicDevices羅毅YiLUO集成光電子國家重點實驗室清華大學電子工程系StateKeyLabonIntegratedOptoelectronics
2025-01-01 06:44
【總結(jié)】第九章半導體光電子材料n電子器件和光電子器件應用是半導體材料最重要的兩大應用領(lǐng)域n半導體材料Si,GaAs和GaN,InP等既是重要的電子材料,也是重要的光電子材料半導體激光材料n1962年,GaAs激光二極管的問世,作為半導體光電子學的開端。n激光的激射波長取決于材料的帶隙,且只有具有直接帶隙的材料才能產(chǎn)生光輻射,它使注入的電
2025-01-05 09:59
【總結(jié)】第四章電力晶體管§GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導體材料,兩個PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點三重擴散;叉指型基極和發(fā)射極;特點:發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很?。◣譽m—幾十um)N-摻雜
【總結(jié)】半導體的光學特性第一章OpticalPropertiesofSemiconductor?半導體光電子器件工作的本質(zhì)就是?光子與半導體中電子的相互作用,因此,了解這種作用是掌握光電子器件的關(guān)鍵。?光子與半導體電子的作用可以用散射理論來描述?在光子的散射作用下,電子從一個狀態(tài)進入另一種狀態(tài)。?這里電子的狀態(tài)用電子波矢k來表
2025-01-14 10:03
【總結(jié)】半導體材料的分類及應用 能源、材料與信息被認為是當今正在興起的新技術(shù)革命的三大支柱。材料方面,電子材料的進展尤其引人注目。以大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路為核心的電腦的問世極大地推動了現(xiàn)代科學技術(shù)各個方面的發(fā)展,一個又一個劃時代意義的半導體生產(chǎn)新工藝、新材料和新儀器不斷涌現(xiàn),并迅速變成生產(chǎn)力和生產(chǎn)工具,極大地推動了集成電路工業(yè)的高速發(fā)展。半導體數(shù)字集成電路、模擬集成電路、存儲器、專用集成電路
2025-08-03 01:41