半導(dǎo)體光電子ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-01-14 10:03本頁(yè)面
【正文】 電子伏特能量的光子與電子的波矢 k。 通過(guò)計(jì)算可以發(fā)現(xiàn)，相對(duì)于電子的波矢，光子的波矢可以忽略不計(jì)，因此電子在躍遷前后 iphif kkkk ???在能量與波矢色散關(guān)系圖中，這種躍遷就是一種垂直躍遷。由于躍遷的這種垂直特性，我們有 ??? ????????? ???rheg mkmmkE21122222 ??? ?這里 ?rm是電子空穴系統(tǒng)的 reduced mass。 ? ? ? ? ? ?32 2/12/32 ??? ? ?? grcv EmN ?? ? 3// mJ? ? ? ????? ??? cvcvphab s Npam neW 2202??? ????? ??? cvcvphabs Nmpm neW 32220202?????????cvp單位為 那么吸收幾率可以寫(xiě)成 依據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，半導(dǎo)體對(duì)于非偏振光的吸收可以寫(xiě)作 這里 為半導(dǎo)體光躍遷的參數(shù)，通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以測(cè)的。 與有效質(zhì)量相對(duì)應(yīng)的狀態(tài)密度為 【 例題 】 GaAs價(jià)帶的電子吸收。如果 GaAs的帶隙為 ，計(jì)算光吸收產(chǎn)生的導(dǎo)帶電子的能量與價(jià)帶空穴的能量。 討論半導(dǎo)體的光吸收特性時(shí)，吸收系數(shù)比吸收幾率更方便使用，它們的關(guān)系為 vnWphabs???因此，吸收系數(shù)的公式可以寫(xiě)成 ? ? ? ? 3212202002?????????? ?????? ????cvcvrNmpm e吸收系數(shù)的單位為 m1 【 例題 】 GaAs 與 Si的能帶邊緣的吸收系數(shù)分別為~104cm1和 103cm1，當(dāng)樣品的厚度最小為多大時(shí)，可以吸收入射光的 90%？
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