[理學(xué)]第二章襯底制備-資料下載頁(yè)
2025-03-21 22:15本頁(yè)面
【正文】 0。使各片厚度一致；n ④ 使各硅片各處厚度均勻；n ⑤ 改善平整度。n 磨料： n ① 要求：其硬度大于硅片硬度。n 種類： Al2O SiC、 ZrO、 SiO MgO等 四、晶片加工 、倒角前的圓片倒角后的圓片 (EdgeRounding)四、晶片加工n 目的：進(jìn)一步消除表面缺陷，獲得高度平整、光潔及無(wú)損層的 “理想 ”表面。n 方法：機(jī)械拋光、化學(xué)拋光、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP,chemicalmechanicalpolishing）① 機(jī)械拋光 :與磨片工藝原理相同，磨料更細(xì)（）， MgO、 SiO ZrO；n 優(yōu)點(diǎn)：表面平整；缺點(diǎn)：損傷層深、速度慢。三、晶片加工② 化學(xué)拋光（化學(xué)腐蝕）典型配方： HF:HNO3:CH3COOH=1:3:2(體積比 )3Si+4HNO3+18HF=3H3SiF6+4NO↑+8H2O注意腐蝕溫度： T=3050℃ ,表面平滑；T25℃ ,表面不平滑。 三、晶片加工： KOH、 NaOHn 特點(diǎn)： 1）適于大直徑（ 75mm） 。2） 不需攪拌；3)表面無(wú)損傷。n 缺點(diǎn)：平整度差 三、晶片加工③ 化學(xué)機(jī)械拋光（ CMP)n 特點(diǎn)：兼有機(jī)械與化學(xué)拋光兩者的優(yōu)點(diǎn)。n 典型拋光液： SiO2+NaOHSi+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑200mm硅圓片厚度和表面粗糙度的變化鋸片后倒角后機(jī)械研磨后化學(xué)腐蝕后CMP后小結(jié)n 硅 (Silicon)儲(chǔ)量豐富，便宜，且堅(jiān)固 ,穩(wěn)定，易生成氧化物。n 100and111n 直拉法和區(qū)熔法 ,直拉法更為常用n 鋸片 ,修邊 ,研磨 ,腐蝕和 CMP
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