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[高等教育]第2章光譜分析導(dǎo)論-資料下載頁

2025-01-19 18:49本頁面
  

【正文】 小 , 電流不易放大;響應(yīng)較慢 。 只在高強(qiáng)度輻射區(qū)較靈敏; 長時間使用后 , 有 “ 疲勞 ” 現(xiàn)象 。 真空光電管 (真空光電二極管 ) 90V DC 直流放大 陰極 R + 光束 e 陽極絲( Ni) 抽真空 陰極表面可涂漬不同光敏物質(zhì):高靈敏 (K,Cs,Sb其中二者 )、 紅光敏(Na/K/Cs/Sb, Ag/O/Cs)、 紫外光敏 (Ag/O/K)、 平坦響應(yīng) (Ga/As, 響應(yīng)受波長影響小 )。 產(chǎn)生的光電流約為硒光電池的 1/10。 優(yōu)點(diǎn): 阻抗大 , 電流易放大;響應(yīng)快;應(yīng)用廣 。 缺點(diǎn): 有微小暗電流 。 光導(dǎo)電檢測器 (半導(dǎo)體檢測器 ) 實(shí)際上是一種電阻器 無輻射時,電阻可達(dá) 200kΩ 吸收輻射后,價電子被激發(fā)成為自由電子,電阻減小 根據(jù)電阻的變化監(jiān)測輻射強(qiáng)度的大小 光導(dǎo)電檢測器的敏感元件通常由硫化物、硒化物及碲化物等半導(dǎo)體晶體組成。 光導(dǎo)電檢測器在紅外光譜儀中有著重要的作用。 硅二極管 p 區(qū) n 區(qū) pn 結(jié) p 區(qū) n 區(qū) (反向偏置 ) 耗盡層 空穴 電子 ? 反向偏置電壓 —耗盡層 —pn結(jié)電導(dǎo)趨于 0 (i=0); ? 光照 —耗盡層中形成空穴和電子 —空穴移向 p區(qū)并湮滅 —外 加電壓對 pn“電容器 ” 充電 —產(chǎn)生充電電流信號 (i?0) 。 特點(diǎn): 靈敏度介于真空光電管和光電倍增管之間 。 光電倍增管 一種加上多級倍增電極的光電管,同時具有光電轉(zhuǎn)換和電流放大功能。 石英套 光束 1個光子產(chǎn)生 106~107個電子 柵極, Grill 陽極 屏蔽 光電倍增管示意圖 共有 9個倍增極 (打拿極 ),所加直流電壓共為 90?10V 光電培增級 900V dc 90V 1 2 3 4 5 6 7 8 9 陽極 陰極 石英封 讀出裝置 R 光電倍增管( PMT)電路圖 陰極吸收入射光子的能量并將其轉(zhuǎn)換為電子 , 轉(zhuǎn)換效率隨入射光的波長而變化 。 光陰極靈敏度與入射波長之間的關(guān)系叫做光譜響應(yīng)特性 。 光譜響應(yīng)特性的長波段取決于光陰極材料 , 短波段取決于入射窗材料 。 優(yōu)點(diǎn): 高靈敏度;響應(yīng)快;適于弱光測定 , 甚至對單一光子均可響應(yīng) 。 缺點(diǎn): 熱發(fā)射強(qiáng) , 因此暗電流大 , 需冷卻 ( 30oC)。 對外加電壓極其敏感 , 必須嚴(yán)格控制外加電源的電壓 硅二極管陣列 SiO2窗 p 型硅 n 型硅基 p n p n p n p n p n p n 側(cè)視 (cross section) 頂視 (top view) 光束 說明: i. 在一個硅片上 , 許多 pn 結(jié)以 一維線性排列 , 構(gòu)成 “ 陣列 ” ; ii. 每個 pn 結(jié)相當(dāng)于一個硅二極管檢測器; iii. 每個光二極管都被絕緣二氧化硅包圍 , 即每個 pn 結(jié)相當(dāng)于一個獨(dú)立的光電轉(zhuǎn)換器; iv. 硅片上置于單色器焦面上 , 經(jīng)色散的不同波長的光分別被轉(zhuǎn)換形成電信號; v. 實(shí)現(xiàn)多波長或多目標(biāo)同時檢測 。 硅二極管陣列在靈敏度 、 線性范圍和信噪比方面不如光電倍增管 。 電荷轉(zhuǎn)移器件 新型的多道檢測器,將電荷從收集區(qū)轉(zhuǎn)移到檢測區(qū)后完成測定 SiO2絕緣體 摻雜 n區(qū) 襯基 5V 10V 電極 h? CTD側(cè)視圖(一個電荷轉(zhuǎn)移單元或像素) 光子 —空穴 —空穴聚集 ( 金屬 SiO2電容 ) a行轉(zhuǎn)換器單元 ?b個檢測單元 /行 = a ? b個像素 = 二維排列于一片硅片上; 類似膠片上的信息存貯; 測量兩電極間電壓變化 —CID 使電荷移至電荷放大器并測量 —CCD 優(yōu)點(diǎn) :與光電培增管相比 , 電荷轉(zhuǎn)移器最大的優(yōu)勢在于其二維特性 , 可作為影像檢測器 , 在電視及航空等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用; 低溫工作時 , 暗電流非常低 , 因而具有高靈敏度 。 缺點(diǎn) :讀出過程有干擾 。 熱檢測器 ?熱檢測器基于黑體吸收輻射并根據(jù)吸收引起的熱效應(yīng)測定輻射強(qiáng)度的一類檢測器 ?熱檢測器廣泛應(yīng)用于紅外光區(qū)的檢測 真空熱電偶 :真空熱電偶是目前紅外光譜儀中最常用的一種檢測器 。 ?它利用不同導(dǎo)體構(gòu)成回路時的熱電效應(yīng) , 將溫差轉(zhuǎn)變?yōu)殡妱莶钸M(jìn)行測量 。 ?將兩片相同的金屬 , 將它們的一端焊接在金箔的一面作為熱接點(diǎn) , 另一端作為冷接點(diǎn)金屬導(dǎo)線和檢測電路相連 。 ?當(dāng)熱接點(diǎn)溫度升高 , 兩種不同的金屬間產(chǎn)生溫差電動勢 ,在閉路情況下 , 回路即有電流產(chǎn)生 。 ?為了增加靈敏度 , 常常將幾個熱電偶串聯(lián)起來 , 形成熱電堆 。 ?測熱輻射計 :基于導(dǎo)體或半導(dǎo)體吸收輻射后,溫度改變使其電阻改變,產(chǎn)生輸出信號。 ?采用的測量電路為惠斯通電橋:將兩個相同的熱敏元件連接到惠斯通電橋的相應(yīng)兩個臂上,其中一個為檢測元件,用于吸收紅外輻射,另一個器補(bǔ)償環(huán)境溫度變化影響的功能。 ?沒有吸收紅外輻射時,惠斯通電橋處于平衡狀態(tài),沒有信號輸出;當(dāng)檢測元件吸收紅外輻射是,惠斯通電橋不平衡,有信號輸出。 ?熱釋電檢測器 :將熱電材料的厚單晶薄片放在兩電極之間,然后連接到放大器上,產(chǎn)生了隨溫度變化的電容器。 ?熱釋電檢測器的響應(yīng)時間快,可進(jìn)行快速掃描。 ?這類檢測器主要用于紅外及 Raman光譜分析中 光電轉(zhuǎn)換器種類及應(yīng)用波段 檢測器種類 檢測器 應(yīng)用波段 早期檢測器 人眼 (Vis) , 相板及照像膠片 (UV Vis) UV Vis 硒光電池 ( Photovoltaic cell ) 350 ( 500 ) max 750 nm 真空光電管 ( Vacuum phototube ) 據(jù)光敏材料而定 光電倍增管 ( Photomultiplier tube ) UVVis 光電轉(zhuǎn)換器 (photo transducer) 硅二極管 ( Silicon diode ) 190 1100nm 光二極管陣列 ( Photodiode array, PDA ) 多通道轉(zhuǎn)換器 (Multichannel t ransducer) 電荷轉(zhuǎn)移器件 Charge transfer device, CTD : 電荷注入器件 ( Charge injection device, CID ) 電荷耦合器件 ( Charge coupled device, CCD) 電導(dǎo)檢測器 光導(dǎo)電檢測器 ( Photoconductivity ) ; UV V is 真空熱電偶 ( T hermocouple ) 測熱輻射計 ( Bolometer ) 熱 檢測器 (Thermal transducer) 熱釋電檢測器 ( Pyroelectric transducer ) IR IR ? ?主要有信號處理器和讀出器件組成 ?信號處理器可放大檢測器的輸出信號,也可用來執(zhí)行某些信號的數(shù)學(xué)運(yùn)算。 ?常用的讀出器件:數(shù)字表、記錄儀、電位計標(biāo)尺、陰極射線管。
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