【正文】
0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 ?表示任意態(tài) 三態(tài)輸出“與非”狀態(tài)表 A B EN Y 輸出高阻 1?EN0?ENABY ?功能表 三態(tài)門實現(xiàn)總線結(jié)構(gòu) 輪流定時地使各個 EN端為 1, 可把各門的輸出信號輪流傳送到總線上 。 總 線 B1 EN1 amp。 A1 B2 EN2 amp。 A2 Bn ENn amp。 An 三態(tài)門實現(xiàn)數(shù)據(jù)雙向傳輸 G1和 G2為三態(tài)反相器 , 改變控制端 EN, 即可控制數(shù)據(jù)的傳輸方向 。 1 1 DO D1 EN 總 線 DO /D1 G1 G2 CMOS門電路 CMOS反向器 其他類型 CMOS門電路 CMOS反向器 G S D G S D N溝道 P溝道 VGS(th)N 0 VGS(th)P 0 ? 作為開關應用的 MOS管 ? NMOS管開關 ? A=0,開關斷開, F=1 vI vO A F VDD T D G S S F T vI A=0 G vO D VDD vI vO A F VDD T D G S F T vI A=1 G vO D VDD S ?A=1,開關閉和, F=0 一 .CMOS反相器工作原理 兩個 MOS管的開啟電壓 VGS(th)P0, VGS(th)N 0, 通常為了保證正常工作 , 要求 VDD|VGS(th)P|+VGS(th)N。 P溝道 (負載管 ) N溝道 (輸入管 ) D G S S G D vO VDD TL T0 vI ?若輸入 vI為低電平 (如 0V), 則負載管 TL導通 , 輸入管 To截止 ,輸出電壓接近 VDD。 D G S S G D vO VDD TL T0 vI 若輸入 vI為高電平 (如 VDD), 則輸入管 To導通 , 負載管 TL截止 ,輸出電壓接近 0V。 D G S S G D vO VDD TL T0 vI 二 CMOS反相器的主要特性 1 . 電壓傳輸特性和電流傳輸特性 2 . 輸入特性和輸出特性 1 . 電壓傳輸特性和電流傳輸特性 vI vO O VDD VDD 1/2 VDD VGS(th)N A B C D VGS(th)P 1/2 VDD ?電壓傳輸特性 vI vO O VDD VDD 1/2 VDD VGS(th)N A B C D VGS(th)P 1/2 VDD 工作區(qū) AB: 0≤ VI< VGS(th)N 由于輸入管 To截止,故 VO=VDD,處于穩(wěn)定關態(tài)。 D G S S G D vO VDD TL T0 vI vI vO O VDD VDD 1/2 VDD VGS(th)N A B C D VGS(th)P 1/2 VDD 工作區(qū) CD: VDD VGS(th)P ≤ VI ≤VDD 負載管 TL截止,所以 VO≈0V,處于穩(wěn)定的開態(tài)。 D G S S G D vO VDD TL T0 vI vI vO O VDD VDD 1/2 VDD VGS(th)N A B C D VGS(th)P 1/2 VDD 工作區(qū) BC: VGS(th)N ≤ VI< VDD VGS(th)P 兩管同時導通 , 當 VI =1/2 VDD ,Vo =1/2 VDD = V th D G S S G D vO VDD TL T0 vI ?電流傳輸特性 vI O VDD iDS VGS(th)N V th VGS(th)P CMOS反相器具有如下特點: (1) 靜態(tài)功耗極低 。 在穩(wěn)定時 , CMOS反相器總有一個 MOS管處于截止狀態(tài) , 流過的電流為極小的漏電流 。 (2) 抗干擾能力較強 。 (3) 電源利用率高 。 VOH=VDD, 同時由于閾值電壓隨 VDD變化而變化 , 所以允許 VDD有較寬的變化范圍 , 一般為 +3~ +18V。 (4) 輸入阻抗高 , 帶負載能力強 。 2 . 輸入特性和輸出特性 (1) 輸入特性 CMOS輸入保護電路 反相器輸入特性 vI O VDD iI - vO VDD TP TN vI C1 D2 D1 D1′ C2 R ● (2) 輸出特性 a. 低電平輸出特性 輸出低電平等效電路 vO=VOL VDD TN RL vI=VDD TP IOL b. 高電平輸出特性 輸出高電平等效電路 VOH VDD TN RL vI=0 TP IOH 其他類型的 CMOS門電路 ?CMOS與非門 B A T3 T1 T2 T4 VDD Y CMOS或非門 ?CMOS傳輸門 TG C vO/vI vI/vO C C和 C是一對互補的控制信號。由于結(jié)構(gòu)上對稱,所以圖中的輸入和輸出端可以互換,又稱雙向傳輸。 TP VDD C C vO/vI vI/vO TN 當 C=0V, C=VDD時 , 兩個 MOS管都截止 。 輸出和輸入之間呈現(xiàn)高阻抗 , 傳輸門截止 。 TP VDD C C vO/vI vI/vO TN 當 C=VDD, C=0V時 TP VDD C C vO/vI vI/vO TN 當 0< VI< VDD- VGS(th)N時, TN導通; 當 |VGS(th)p|< VI< VDD 時, TP導通; VI在 0~VDD之間變化時, TP和 TN至少有一管導通,使傳輸門 TG導通。 應用舉例 CMOS模擬開關 C = 0時, TG1導通、 TG2截止, uO = uI1; C = 1時, TG1截止、 TG2導通, uO = uI2。 ?三態(tài)輸出 CMOS門 A Y — EN 邏輯符號 1 ▽ VDD EN A Y VDD 1 T39。N TN T39。P TP