高二化學晶體的結構與性質專項訓練單元-期末復習學能測試-資料下載頁
2025-04-05 05:01本頁面
【正文】 徑。【詳解】(1)基態(tài)Co原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d74s2，價層電子排布式為3d74s2。答案為：3d74s2；(2)根據(jù)離子價層電子排布和洪特規(guī)則的特例分析電離能，離子越穩(wěn)定，越容易生成，生成此離子的電離能越小，此離子再失電子的電離能越大。錳的第三電離能大于鐵的第三電離能,其主要原因是Mn2+價層電子排布式為3d5，達到穩(wěn)定結構，不易失電子形成Mn3+，F(xiàn)e2+價層電子排布式為3d6，要失去1個電子才達到穩(wěn)定結構 ，較易形成Fe3+，故錳的第三電離能大于鐵。答案為：Mn價層電子排布式為3d5，達到穩(wěn)定結構，不易失電子形成Mn3+，F(xiàn)e2+價層電子排布式為3d6，要失去1個電子才達到穩(wěn)定結構 ，較易形成Fe3+，故錳的第三電離能大于鐵；(3) HCHO分子呈平面結構，鍵角接近120176。，而CO2的鍵角是180176。，碳原子的雜化類型不同，鍵角不同。HCHO中鍵角小于CO2中鍵角。答案為：小于；(4)①1個NH3含有3個共價鍵，N原子還能形成1個配位鍵，配位鍵也屬于σ鍵，所以1 mol [ Co(NH3)6]3+含24mol σ鍵。答案為：24；②SCN中，C沒有孤電子對，N吸引電子對的能力比S強，所以S提供孤電子對形成配位鍵。從而得出SCN與金屬離子形成的配離子中配位原子是S。答案為：S；③依題意，配體相同，配位數(shù)相等的配離子，分裂能與中心離子的電荷數(shù)有關，正電荷數(shù)越多，吸引電子能力越強，分裂能越大。ab，主要原因是[Co(H2O)6]3+所帶正電荷較多。答案為：；[Co(H2O)6]3+所帶正電荷較多；(5)氯化鋰為離子化合物，形成離子晶體，氯化鈦是共價化合物，形成分子晶體，它們的熔點相差很大，其主要原因是LiCl是離子晶體，TiCl4是分子晶體，離子鍵比分子間作用力強。答案為：LiCl是離子晶體，TiCl4是分子晶體，離子鍵比分子間作用力強；(6)圖1中，由均攤法可知，1個晶胞含有2個黑球、4個白球(2個白球在體內，4個白球在面心)，所以黑球為鈦，白球為氧。1個鈦與6個氧相連，鈦的配位數(shù)為6。則二氧化鈦晶胞(如圖1)中鈦原子配位數(shù)為6。答案為：6；由圖2知，1個晶胞含4個TiN(類似氯化鈉晶胞)，圖3 棱上三個粒子相切，則有[4r(Ti)]2=[2r(Ti)+2r(N)]2+[2r(Ti)+2r(N)]2，r(Ti)=r(N)①，d=，從而得出r(Ti)+r(N)=②，將①代入②中，即得r(N)= cm=pm。答案為：?！军c睛】在書寫價層電子排布式時，我們若不注意審題，可能會把價層電子排布式寫成核外電子排布式，從而導致出錯。12．金屬 銅失去的是全充滿的3d10電子，鎳失去的是4s1電子 3：1 107 【解析】【分析】【詳解】(1)單質銅及鎳都是由金屬鍵形成的晶體，Cu、Ni失去一個電子后形成的Cu+、Ni+電子排布式分別為[Ar]3d[Ar]3d84s1，Cu+的3d軌道全充滿，達到穩(wěn)定狀態(tài)，所以Cu的第二電離能相對較大；(2)①Cu原子位于面心，Cu原子個數(shù)為6=3，Ni原子位于晶胞的頂點，Ni原子個數(shù)為8=1，故鎳白銅合金中Cu與Ni的數(shù)量比為3：1；②合金中含有3個Cu，1個Ni，晶胞密度為d g/cm3，則=d(a107cm)3，解得a=107 nm?！军c睛】本題考查了物質結構與性質，涉及核外電子排布、晶胞的計算。注意原子核外電子排布處于全滿、半滿或全空是穩(wěn)定狀態(tài)。
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