晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專項(xiàng)訓(xùn)練單元-易錯(cuò)題專題強(qiáng)化試卷學(xué)能測(cè)試-資料下載頁(yè)
2025-04-02 02:55本頁(yè)面
【正文】 態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，液態(tài)時(shí)能導(dǎo)電，可溶于水，屬于離子晶體；D固態(tài)液態(tài)時(shí)均不導(dǎo)電，熔點(diǎn)為3500℃，屬于原子晶體，故答案為：金屬晶體；分子晶體；離子晶體；原子晶體；(4)由晶胞結(jié)構(gòu)糢型可知A、B、C、D分別為氯化銫、氯化鈉、二氧化硅、金剛石（或晶體硅）的晶體結(jié)構(gòu)模型，故答案為：氯化銫；氯化鈉；二氧化硅；金剛石（或晶體硅）。【點(diǎn)睛】本題解答關(guān)鍵：巧用晶體的熔點(diǎn)判斷晶體。離子晶體的熔點(diǎn)較高，常在數(shù)百攝氏度至一千攝氏度，原子晶體熔點(diǎn)高，常在一千攝氏度至幾千攝氏度，分子晶體熔點(diǎn)低，常在數(shù)百攝氏度以下至很低溫度，而金屬晶體多數(shù)熔點(diǎn)高，但也有很低的（如汞）。12．3d64s2 NCFeK 6 直線形 3：4 sp 正八面體 2 金剛石是原子晶體，C60是分子晶體，前者原子間是靠強(qiáng)烈的共價(jià)鍵結(jié)合的，后者分子間是靠微弱的范德華力結(jié)合在一起的 (1，) 【解析】【分析】（1）Fe原子核外電子排布式為；IIA、VA族為全充滿或半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素；與形成6個(gè)配位鍵；（2）(CN)2分子中存在碳碳鍵，結(jié)構(gòu)式為，HCN結(jié)構(gòu)式為；（3）Fe3C的晶胞結(jié)構(gòu)中，以C原子為原點(diǎn)建立三維坐標(biāo)系，F(xiàn)e原子位于坐標(biāo)軸上且關(guān)于原點(diǎn)碳原子對(duì)稱，6個(gè)Fe形成的空間結(jié)構(gòu)為正八面體；配位數(shù)之比等于相應(yīng)原子數(shù)目反比；（4）金剛石是原子晶體，是分子晶體；（5）由A、B參數(shù)，可知A處于坐標(biāo)系的原點(diǎn)，晶胞中含有A原子的3個(gè)棱分別為坐標(biāo)系的x、y、z軸，C為與晶胞右側(cè)面，C到晶胞左側(cè)面距離為參數(shù)x，到晶胞前平面距離為參數(shù)y，到晶胞下底面距離為參數(shù)z；由質(zhì)量公式計(jì)算可得。【詳解】（1）Fe原子核外電子排布式為，處于過(guò)渡元素，除最外層外價(jià)電子還包含3d電子，故價(jià)電子排布式為：；一般金屬性越強(qiáng)第一電離能越小，同周期主族元素隨原子序數(shù)增大第一電離能呈增大趨勢(shì)，IIA、VA族為全充滿或半充滿穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能：；與形成6個(gè)配位鍵，中鐵提供的空軌道數(shù)目是6，故答案為：；；6；（2）(CN)2分子中存在碳碳鍵，結(jié)構(gòu)式為，C原子為sp雜化，故分子空間構(gòu)型為：直線形，單鍵為鍵、三鍵含有1個(gè)鍵、2個(gè)鍵，分子中鍵與鍵數(shù)目之比為3：4；HCN結(jié)構(gòu)式為，中心碳原子的鍵電子對(duì)數(shù)為2，孤電子對(duì)數(shù)為0，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為2，故碳原子的雜化軌道類型為sp雜化，故答案為：直線形；3：4；sp；（3）Fe3C的晶胞結(jié)構(gòu)中碳原子的配位數(shù)為6，與碳原子緊鄰的鐵原子，以C原子為原點(diǎn)建立三維坐標(biāo)系，F(xiàn)e原子位于坐標(biāo)軸上且關(guān)于原點(diǎn)碳原子對(duì)稱，6個(gè)Fe形成的空間結(jié)構(gòu)為正八面體，故C原子的配位數(shù)為6，配位數(shù)之比等于相應(yīng)原子數(shù)目反比，則Fe原子配位數(shù)為，故答案為：正八面體；2；（4）金剛石是原子晶體，是分子晶體，前者原子間是靠強(qiáng)烈的共價(jià)鍵結(jié)合的，后者分子間是靠微弱的范德華力結(jié)合在一起的，金剛石的熔點(diǎn)比的熔點(diǎn)高，故答案為：金剛石是原子晶體，是分子晶體，前者原子間是靠強(qiáng)烈的共價(jià)鍵結(jié)合的，后者分子間是靠微弱的范德華力結(jié)合在一起的；（5）由A、B參數(shù)，可知A處于坐標(biāo)系的原點(diǎn)，晶胞中含有A原子的3個(gè)棱分別為坐標(biāo)系的x、y、z軸，C為與晶胞右側(cè)面，C到晶胞左側(cè)面距離為參數(shù)x，到晶胞前平面距離為參數(shù)y，到晶胞下底面距離為參數(shù)z，由B的參數(shù)可知晶胞是邊長(zhǎng)為1的正方體，則C的參數(shù)、平面NiO基本結(jié)構(gòu)單元為，重復(fù)單元呈平行四邊形，每個(gè)機(jī)構(gòu)單元含有1個(gè)“NiO”，的半徑為am，則結(jié)構(gòu)單元的面積為：，每平方米含有的結(jié)構(gòu)單元數(shù)目，即結(jié)構(gòu)單元含有“NiO“數(shù)目，故每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為，故答案為：；?！军c(diǎn)睛】同周期元素從左向右，元素的第一電離能并不是逐漸增大的，當(dāng)元素的核外電子排布是全空、半充滿和全充滿狀態(tài)時(shí)，第一電離能就會(huì)反常的大
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1