fmea失效分析的步驟與方法(編輯修改稿)
2025-03-18 15:36 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 LITE ON 四、失效分析技術(shù) 失效分析的電測 –管腳測試 ? 管腳測試可以確定失效的模式和管腳，無法確定失效的確切部位 例 1： GBJ 的 +AC1電性失效，其余管腳 OK，則可以只對 +AC1的晶粒做后續(xù)分析，如 XRAY等 例 2： TO220AB的一端測試顯示 HIVF，我們可以估計可能的失效模式為晶粒橫裂等。 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) ? 芯片測試（ DECAP后的測試） –芯片測試可以縮小失效分析的范圍，省去一些分析步驟 例：做過 PCT的失效器件在去黑膠后測試電性恢復(fù)，后續(xù)的去銅可以不做，可以初步判定失效機理為水汽進(jìn)入封裝本體引起，導(dǎo)致失效 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) 烘焙技術(shù) ? 對材料的烘焙可以確定材料是否受到潮濕及水汽影響或內(nèi)部離子污染 例： PCT失效的材料在烘焙后電性恢復(fù) ? 內(nèi)部離子污染造成的電性失效，烘烤可以“治愈”或逆轉(zhuǎn)變壞電氣特性 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) 無損分析技術(shù) ? 定義：無須打開封裝對樣品進(jìn)行失效定位和失效分析的技術(shù)。 ? 除電測技術(shù)分析外，有 X射線和反射式聲學(xué)掃描顯微技術(shù)等 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) ? XRAY –原理與醫(yī)用的 X射線透視技術(shù)完全相同，器件的不同材料造成不同的吸收系數(shù)，收集穿透的X射線通過圖象處理可反映不同部位的影象 –可以觀察器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)，焊錫的狀況，本體氣孔等 例： DFM的焊錫氣孔（手動與自動制程的差異） LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) 手動制程 自動制程 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) ? CSAM –原理：利用超聲脈沖探測樣品內(nèi)部的空隙缺陷等，超聲波對于不同的介質(zhì)都會產(chǎn)生發(fā)射波，如果遇到空氣即 100反射，該技術(shù)是對器件分層最有效的檢測方法 –可以檢測材料結(jié)構(gòu)界面的粘連和分層狀況，及塑封材料的空洞、芯片開裂等。 例：分層器件與正常器件的 CSAM圖片 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) 種類 應(yīng)用優(yōu)勢 基本原理 X射線透視象 觀察材料高密度區(qū)的完整性 透過材料高密度區(qū)X射線強度衰減 CSAM象 觀察材料內(nèi)部空隙，如芯片粘接不良，器件封裝不良 超聲波傳播遇空氣隙受阻反射 ? X射線透視與反射式聲掃描比較 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) ? DECAP –利用強酸將器件的封裝去處，展示材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，是一個破壞性的分析技術(shù)，不可逆轉(zhuǎn)，因此在進(jìn)行此步分析時請確認(rèn)所有非破壞性的分析已經(jīng)完成，本廠通常用燒杯中加熱的方式，更高級的 DECAP有專門的設(shè)備 –分析人員須考慮潛在的損壞和每項分析的目的 記住木匠遵循的規(guī)律：測量兩次才鋸一次 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) ? 高級的 DECAP設(shè)備原理圖（一般用于集成電路）
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