fmea失效分析的步驟與方法-資料下載頁
2025-02-28 15:36本頁面
【正文】 OT 和 SEM的方法可能會看到失效點 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 五、器件失效機理的分析 封裝水汽和離子污染 –失效模式：表現(xiàn)為漏電增大，電性不穩(wěn)定等 –失效機理：水汽來源有 a、封裝工藝缺乏防潮措施； b、封裝材料吸收水汽及放出有害氣體，離子污染主要來自芯片工藝過程操作人員和環(huán)境及封裝材料的鈉離子等 ? 水汽和離子污染均可用高溫烘烤的方式來驗證 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 五、器件失效機理的分析 焊接不良 –失效模式：表現(xiàn)為 VF偏高、 F/S能力差等 –失效機理：焊接氣孔、虛焊、假焊、鍍層脫落等 ? 可通過 X射線或 DECAP后去銅觀察焊錫覆蓋狀況來判斷 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 六、案例 ? 案例 1： – SMBF12AVCL在 PCT失效 –失效機理：材料封裝小，水汽容易進入封裝本體內(nèi)導(dǎo)致器件失效 –驗證： a、烘烤后有部分電恢復(fù)； b、 DECAP去黑膠后測試全部恢復(fù)電性 –改善措施：改進封裝制程或更換封裝材料 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 六、案例 ? 案例 2： – GBJ10A 在 F/S 失效 –失效機理：芯片本身 F/S 能力不足，芯片尺寸小（ 95mil） –驗證： a、歷史 F/S 資料顯示其失效綠居高不下；b、 DECAP后芯片開裂，屬過電應(yīng)力損傷 –改善措施：增加芯片尺寸至 105mil，提升 F/S能力 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 七、分析過程的一些注意事項 : ? 為了完成任務(wù)而急于進行下一步的破壞性分析 –可能失去找到關(guān)鍵的因素的機會 –可能最后得到錯誤的結(jié)論 ? 細致的觀察 –對每一步驟的樣品必須做全面的觀察 –對任何異常均需要詳細的記錄并放大取照 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 七、分析過程的一些注意事項 : ? 避免帶入潛在的過程影響因素 –酸溫不宜過高 –避免驟冷驟熱過程 –晶粒盡量避免超聲清洗 –使用示波器測試時選取適當(dāng)串連電阻，加電壓時要緩慢，避免材料被打死 –拿取材料不宜直接用手，防止靜電損傷 –避免在器件在輸運過程造成機械損 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 七、分析過程的一些注意事項 : ? 注意安全 –嚴格按照用酸規(guī)定，穿戴好防護用品 –煮材料時應(yīng)有人員在場監(jiān)督 –相關(guān)物品按規(guī)定標(biāo)志存放 –使用完作好 5S LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 主要設(shè)備 ? 實驗化學(xué)解剖臺 ? 研磨機 ? 超聲清洗機 ? 沾錫性實驗臺 ? 顯微鏡 ? XRAY ? CSAM LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 使用化學(xué)用品 ? 濃硫酸 ? 濃硝酸（發(fā)煙硝酸） LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON QA LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH
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