ltps制程與技術發(fā)展(ppt59頁)(編輯修改稿)
2025-03-17 16:25 本頁面
【文章內容簡介】 (Sputtering)裝置和低壓化學氣相沉積 (Low Pressure Chemical Vapor Deposition， LPCVD)裝置，將 αSi薄膜堆積於上 ? 再利用結晶化退火技術的加熱爐退火法或雷射光雷射退火，將其多結晶化處理 標準化製作過程 (6) 6. 微影曝光工程： ? 利用輥輪被覆式 (Roll Coater)或旋轉被覆式(Spin Coater) 塗佈光阻劑於光罩基板 (Mask Blank)後作烘焙處理 (Baking) ? 將光罩基板上的膜面圖案予以曝光微影和顯影處理，形成所需要的圖案 標準化製作過程 (7) 7. 蝕刻工程： ? 在 CF和 TFT基板上，形成之金屬膜、絕緣膜和半導體膜等過程中作為光罩圖案 ? 所使用的光阻劑必須利用乾式 (Dry)或濕式(Wet)蝕刻裝置進行加工處理，再利用濕式剝離裝置 (WetType Resist Stripping System)將所剩之光阻劑，予以剝離處理並進行圖案的檢驗工作 標準化製作過程 (8) 8. 閘極形成工程： ? PolySi TFT元件之閘極部分的形成工程 ? 在 PolySi薄膜上利用 CVD或熱氧化法(Heat Oxidation)，將絕緣性 SiO2薄膜形成於上，再利用 CVD將閘電極功能的 PolySi薄膜堆積其上 標準化製作過程 (9) 9. 雷射退火結晶化技術： ? 低溫 PolySi結晶化的技術主要是準分子雷射退火法 (ELA) 資料來源：工研院電子所 資料來源：工研院電子所 資料來源：工研院電子所 標準化製作過程 (10) ： ? 為了 PolySi薄膜之源極和汲極層的低電阻化，及使關閉 (Off)電壓值提高，導入高濃度不純物的工程 ? 方法： ? 先利用離子植入裝置、雷射摻雜裝置和電漿摻雜裝置 ? 再將不純物的原子導入，再利用熱或雷射能量將不純物原子予以活性化。 資料來源：工研院電子所 標準化製作過程 (11) ： ? 配線和電極材料的選用，以鉬 (Mo)、鉭(Ta)、鉻 (Cr)和鋁 (Al)等金屬導電膜為主 ? 製程以濺鍍法為主流 資料來源：工研院電子所 資料來源：工研院電子所 標準化製作過程 (12) ： ? 為提升 Po
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