【文章內(nèi)容簡介】 過濾腔體，進一步減弱了氮氧化物、烷類等氣體的干擾。封裝好的氣敏元件有６只針狀管腳，其中４個用于信號取出，２個用于提供加熱電 流。 部件 材料 1 氣體敏感層 二氧化錫 2 電極 金（ Au） 3 測量電極引線 鉑（ Pt） 4 加熱器AT89C51 鎳鉻 AT89C51合金（ NiCr） 5 陶瓷管 三氧化二鋁 6 防爆網(wǎng) 100目雙層不銹鋼（ SUB316） 7 卡環(huán) 鍍 鎳銅材（ NiCu） 8 基座 膠木 9 針狀管腳 鍍鎳銅材（ NiCu） VRL 工作原理 . 傳感器的表面電阻 Rs，是通過與其串聯(lián)的負載電阻 RL上的有效電壓信號 VRL輸出而獲得的。二者之間的關(guān)系為： Rs/RL = (VcVRL) / VRL 圖 5 為利用圖 2 回路測得在傳感器由潔凈空氣轉(zhuǎn)移至一氧化碳氣氛中時， RL上的信號輸出變化情況，輸出信號的測定是 在一個完整的加熱周期（由高電壓至低電壓 分鐘）或在兩個完整的加熱周期內(nèi)測得。 MQ7型氣敏元件的敏感層是用非常穩(wěn)定的二氧化錫制成的。因此，它具有優(yōu)秀的長期穩(wěn)定性，在正常使用條件下，其使用壽命可達 5年。 靈敏度調(diào)整： MQ7型氣敏器件對不同種類，不同濃度的氣體有不同的電阻值。 因此，在使用此類型氣敏器件時，靈敏度的調(diào)整是很重要的。 我們建議您用 200ppmCO校正傳感器。 當(dāng)精確測量時，報警點的設(shè)定應(yīng)考慮溫濕度的影響。 靈敏度的調(diào)整程序： 。 . ，通電老化 48小時以上。 . RL至獲得對應(yīng)于某一個一氧化碳濃度時所需要的信號值。 AT89C51 AT89C51 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 4K 字節(jié) Flash閃速存儲器， 128 字節(jié)內(nèi)部 RAM， 32 個 I/O口線，兩個 16 位定時 /計數(shù)器，一個 5 向量兩級中斷結(jié)構(gòu)，一個全雙工串行通信口，片內(nèi)振蕩器及時鐘電路。同時， AT89C51 可降至 0Hz 的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的 節(jié)電工作模式?？臻g方式停止 CPU的工作，但允許 RAM。定時 /計數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存 RAM中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個硬件復(fù)位。 引腳功能說明 Vcc：電源電壓 GND：地 P0口： p0口是一組 8位漏極開路型雙向 I/O口，也即地址 /數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時，每位能吸收電流的方式驅(qū)動 8個 TTL邏輯門電路，對端口寫“ 1”可作為高阻抗輸入端用。 在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時，這組口線分時轉(zhuǎn)換地址（低 8位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部 上拉電阻。 在 Flash 編程時， P0 口接收指令字節(jié)，而在程序校驗時，輸出指令字節(jié)，校驗時，要求外接上拉電阻。 P1口： P1是一個帶內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口， P1的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4 個 TTL 邏輯門電路。對端口寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉倒高電平，此時可作輸入口。作輸入口使用時，因為內(nèi)部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流（ IIL）。 Flash編程和程序和程序校驗期間， PI接收低 8位地址。 P2口： P2是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口， P2的輸出 緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4 個 TTL 邏輯門電路。對端口寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時可作輸入口使用時，因為內(nèi)部存在上拉電阻，某個引腳被外部信號拉低時回輸出一個電流（ IIL）。 在訪問外部程序存儲器或 16 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（例如執(zhí)行 MOVX@DPTR 指令）時， P2口送出高 8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（如執(zhí)行 MOVX@RI指令）時， P2口線上的內(nèi)容（也即特殊功能寄存器的內(nèi)容），在整個訪問期間不改變。 Flash編程或校驗時， P2亦接收高位地址和其他控制信號。 P3口： P3口是一組 帶有內(nèi)部上拉電阻的 8位雙向 I/O口。 P3口輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4 個 TTL 邏輯門電路。對 P3 口寫入“ 1”時，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。作輸入端時，被外部拉低的 P3口將用上拉電阻輸出電流（ IIL）。 P3口除了作為一般的 I/O口線外，更重要的用途是它的第二功能，如下表所示 P3口還接收一些用于 Flash閃速存儲器編程和程序校驗的控制信號。 RST：復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時， RST引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上高電平將使單片機復(fù)位。 ALE/PROG：當(dāng)訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時， ALE（地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低 8 位字節(jié)。即使不訪問外部存儲器， ALE 仍以時鐘振蕩頻率的 1/6 輸出固定的正脈沖信號，因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。要注意的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個 ALE脈沖。 對 FLASH存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖 (PROG )。 如有必要，可通過對特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中的 8EH 單元的 D0位置位，可禁止 ALE 操作。該位置位后，只有一條 MOVX 和 MOVC指令 ALE 才會被激活。此外，該引腳會被微弱拉高，單片機執(zhí)行外部程序時，就設(shè)置 ALE無效。 PSEN ：程序儲存允許（ PSEN ）輸出是外部程序存儲器的讀選通信號，當(dāng) AT89C51由外部程序存儲器取指令（或數(shù)據(jù)）時，每個機器周期兩次 PSEN 有效，即輸出兩個脈沖。在此期間，當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器，這兩次有效的 PSEN 信號不出現(xiàn)。 EA/VPP：外部訪問允許。欲使 CPU僅訪問外部程序存儲器（地址為 0000H— FFFFH）， EA 端必須保持低電平（接地）。需注意的是：如果加密位 LB1被編程，復(fù)位時內(nèi)部會鎖存 EA端狀態(tài)。 如 EA端為高電平（接 Vcc端）， CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。 Flash存儲器編程時，該引腳加上＋ 12V的編程允許電源 Vpp，當(dāng)然這必須是該器件是使用12V編程電壓 Vpp。 XTAL1：振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端。 XTAL2：振蕩器反相放大器的輸出端。 畢業(yè)設(shè)計（論文） —— 外文翻譯（譯文） TECHNICAL DATA TECHNICAL DATA MQ— 7 GAS SENSOR FEATURES High sensitivity to carbon monxide Stable and long life APPLICATION They are used in gas detecting equipment for carbon monoxide(CO) in family and industry or car. SPECIFICATIONS A. Standard work condition Symbol Parameter name Technical Condition Remark Vc Circuit voltage 5V177。 Ac or Dc VH (H) Heating voltage(high) 5V177。 Ac or Dc VH (L) Heating voltage(low) 177。 Ac or Dc RL Load resistance Can adjust RH Heating resistance 33Ω177。 % Room temperature TH (H) Heating time(high) 60177。 1seconds TH (L) Heating time(low) 90177。 1seconds PH Heating consumption Less than 330mw B. Environment conditions Symbol Parameters Technical conditions Remark Tao Using temperature 20℃ 50℃ Tas Storage temperature 20℃ 50℃ Advice using scope RH Relative humidity Less than 95%RH O2 Oxygen concentration 21%(stand condition) the oxygen concentration can affect the sensitivity characteristic Minimum value is over 2% characterisic Symbol Parameters Technical parameters Remark Rs Surface resistance of sensitive body 220k In 100ppm Carbon Monoxide A(300/100ppm) Concentration slope rate Less than Rs(300ppm)/Rs(100ppm) Standard working condition Temperature20℃177。 2℃ relative humidity 65%177。 5% RL:10KΩ177。 5% Vc: 5V177。 VH: 5V177。 VH: 177。 Preheat time No less than 48 hours Delecting range: 20ppm2020ppm carbon monoxide D． Structure and configuration,basic measuring circuit Structure and configuration of MQ7 gas sensor is shown as Fig. 1(Configuration A or B),sensor posed by micro AL2O3 ceramic tube,Tin Dioxide(SnO2) sensitive layer,measuring electrode and heater are fixed into a crust made by plastic and stainless steel .The heater provides necessary work conditions for work of sensitive enveloped MQ7 have 6 pin,4 of them are used to fetch signals,and other 2 are used for providing heating current. Standard circuit: As shown in Fig 2, standard measuring circuit of MQ7 sensitive ponents consists of 2 parts. one is heating circuit having time control function (the high voltage and the low voltage work circularly ). The second is the signal output circuit, it can accurately respond changes of surface resistance of the sensor. Electric parameter measurement circuit is shown as E. Sensitivity characteristic curve sensitivity characteristics of the MQ7 is shows the typical sensitivity characteristics of the MQ7 for several gases. in their: Temp: 20℃、 Humidity: 65%、 O2 concentration 21% RL=10kΩ Ro: sensor resistance at 100ppm CO in the clean air. Rs: sensor resistance at various concentrations of gases. is shows the typical dependence of the MQ7 on temperature and humidity.