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正文內(nèi)容

城市軌道交通牽引供電系統(tǒng)(編輯修改稿)

2025-01-23 12:17 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 ,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。 IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。 ? 圖 1所示為一個 N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。 N+ 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的 P 型區(qū)(包括 P+ 和 P 一區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)( Subchannel region )。而在漏區(qū)另一側的 P+ 區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)( Drain injector ),它是 IGBT 特有的功能區(qū),與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成 PNP 雙極晶體管,起發(fā)射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調(diào)制,以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。 ? IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給 PNP 晶體管提供基極電流,使 IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使 IGBT 關斷。 IGBT 的驅動方法和 MOSFET 基本相同,只需控制輸入極 N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當 MOSFET 的溝道形成后,從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴(少子),對 N 一層進行電導調(diào)制,減小 N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。 斬波器 ?用于將輸入的變化的網(wǎng)壓變換為穩(wěn)定的直流電壓 ?利用電壓的變化進行直流電機的調(diào)速 圖 83 升降壓斬波器電路 整流器 將交流電轉換為直流電 三相逆變電路 ? 主要由 6只功率開關元件組成。采用 SPWM控制各開關元件,使其按一定的邏輯順序導通和關斷,從而使三相逆變電路輸出正負對稱的方波電壓。電壓和頻率的參考值儲存在控制程序中,根據(jù)與輸出電壓的反饋值之間形成的偏差,作為功率元件門極信號的指令,控制輸出電壓恒定。對于輸入電壓和負載的變化,則通過檢測各相電流值來校正輸出電壓。頻率的控制采用內(nèi)置晶振。 電力供電系統(tǒng) ? 一次電力系統(tǒng):發(fā)電廠、傳輸線路、區(qū)域變電所 ? 軌道交通牽引供電系統(tǒng):牽引供電和動力照明供電系統(tǒng) ? 牽引網(wǎng) ? 接觸網(wǎng): 經(jīng)過受電器向電動列車供給電能的導電網(wǎng)。 ? 回流線: 用以供牽引電流返回牽引變電所的導線 ? 饋電線: 從牽引變電所向接觸網(wǎng)輸送牽引電能的導線 ? 軌道(電路): 利用走行軌作為牽引電流回流的電路 ? 變電站:變換電壓和電流 ? 主變電站 DC110kv35
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